【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＢの双方の元素を含み、ＣｅがＢよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止する。
【解決手段】多孔質焼結体からなる円板状の蒸着材１０は、外周から中央に向かって熱膨張緩和用凹部１１が形成される。熱膨張緩和用凹部１１は頂角θが中央に臨むくさび形状をなすものである場合には、その頂角θは１〜９０度である。熱膨張緩和用凹部が外周から中央に向かうスリットである場合には、スリットが厚さ方向に形成され、スリットの外周から中央に向かう長さＬが外径Ｄの１０〜５０％である。また、中央に貫通孔を形成し、熱膨張緩和用凹部１１の先端を貫通孔に連通して設けても良い。その貫通孔の直径は蒸着材１０の外径Ｄの５〜２０％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】常温時の被蒸着基板に対する蒸着マスクの整合精度を蒸着窯内における昇温時にも良好に担保でき、従って発光層を高精度に再現性良く形成できる蒸着マスク及びその製造方法を得るにある。
【解決手段】蒸着通孔５からなる蒸着パターンを備えるマスク層２に低熱線膨張係数の材質から成る支持層３を蒸着通孔５と重ならないように積層しているため、マスク自体の強度アップはもちろんのこと、熱の影響による形状変化の抑制、つまり、蒸着作業時における高温環境下での蒸着マスク１と被蒸着基板２０との位置ずれを顕著に低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ、絶縁性材料からなるマスク基材の一方の面に接着性層を有し、他方の面に一層以上の絶縁性層または金属層を、該基材と剥離可能に有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、半導体ウェーハ上の蒸着用マスク最表面にマスク基材表面を露出させた後、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ａｌの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐酸性に優れ、かつ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る燃料電池用金属セパレータ１は、表面が平面の、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材２を用いて製造された燃料電池用金属セパレータであって、金属基材２の表面に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜３と、この耐酸性金属皮膜３の上にＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属、および、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる導電性合金皮膜４と、を有する構成とした。また、本発明に係る燃料電池用金属セパレータの製造方法は、耐酸性金属皮膜を成膜する工程Ｓ１と、導電性合金皮膜を成膜する工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）

本発明は、カソード３２の蒸発表面３３上でアーク放電を生成するために、リング形状の磁場源２と、カソード３２としての蒸発材料３１を備えたカソード本体３とを有する真空アーク蒸発源１に関する。カソード本体３は、軸線方向において、カソード底部３４によって第１の軸線方向に、また蒸発表面３３によって第２の軸線方向に制限されており、リング形状の磁場源２は、蒸発表面３３の面法線３００に平行又は反平行に極性を有するように、且つ蒸発表面３３の面法線３００に同心になるように配置されている。本発明によれば、磁場振幅リング４が、蒸発表面３３から遠い側で、カソード底部３４の正面に、第２の予め指定された距離Ａ２に配置される。さらに、本発明は、アーク蒸発源１を有するアーク蒸発チャンバ１０に関する。
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【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＳｃの双方の元素を含み、ＣｅがＳｃよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｓｃの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止する。
【解決手段】蒸着材は、金属酸化物の多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．２以上３．０％未満の気孔率を有する。その多孔質焼結体は０．１〜３００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍである金属酸化物粉末とバインダと有機溶媒とを減圧下において混合して金属酸化物粉末の濃度が４５〜７５質量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーを減圧下において噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの多孔質造粒粉末を得る工程と、その多孔質造粒粉末を減圧下において成形して多孔質成形体を得る工程と、その多孔質成形体を所定の温度で焼結して金属酸化物の多孔質焼結体を得る工程とを有する。減圧下とは５００ｈＰａ以下であることが好ましい。 （もっと読む）