【課題】例えば、複数のターゲットを相互に隔てる溝部をクリーニングする。
【解決手段】第２マグネット素子（８０）は、Ｎ極及びＳ極のうちＳ極が裏板６側に位置し、且つＮ極がターゲット（３）側に位置している。第１マグネット素子（８１）は、中部にＮ極が設けられ、その周辺部にＳ極が設けられている。第１マグネット素子（８１）は、溝部（４）内をクリーニングする際に、制御装置（１００）の制御下で、Ｘ方向、即ち図中太線矢印方向に沿って駆動される。第２マグネット素子（８０）は、第１マグネット素子（８１）から当該第２マグネット素子（８０）に作用する磁力によって、第１マグネット素子（８１）と同様に、図中太線矢印方向に沿って駆動されることによって、溝部（４）に付着した付着物をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜をスパッタ時に水添加することなく製造でき、高エッチング性と低結晶化温度を有し、結晶化後には低抵抗率と高透過率の特性を高い次元で満足する透明導電膜、該透明導電膜製造用のスパッタ時に異常放電のない焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、Ｇｅ／（Ｇｅ＋Ｉｎ）の原子％で６〜１６％であり、その他の諸特性を有する焼結体ターゲット、該ターゲットを所定の条件でスパッタして得られる非晶質透明導電膜、該非晶質透明導電膜をアニールして得られる結晶質透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲットのスパッタ物質を基板に付着させる成膜プロセス領域と、成膜プロセス領域とは分離して配置され基板に反応性ガスを接触させてスパッタ物質の組成を変換させる反応プロセス領域と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で基板を繰り返し移動させる基板保持移動手段とを有する。成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂを含む。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 加熱性を損なうことなく被加熱体を冷却することが可能な被加熱体の冷却方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも一部が断熱材で覆われた被加熱体を冷却する被加熱体の冷却方法であって、被加熱体１０を加熱するとき、断熱材１１を被加熱体１０に密着させ、被加熱体１０を冷却するとき、被加熱体１０と断熱材１１との間に空間１３が生じるように、断熱材１１を被加熱体１０から離間させ、空間１３中に冷却流体１４を送り込み、被加熱体１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】キャリヤの移動度や薄膜トランジスタ等の作製工程における耐エッチング性等が従来以上に優れたＩＧＺＯアモルファス半導体膜を形成することができる透明薄膜形成用材料、及びこの透明薄膜形成用材料を作製するためのＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素被膜を成膜するための方法としてスパッタリング法を採用した場合でも、低摩擦係数を実現することができる、自動車部品用摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】自動車部品用摺動部材１は、基材２と、基材２の表面にコーティングされた硬質炭素被膜３とを有する。基材２の表面粗さはＲｙ（最大高さ）で０．１μｍ以下であり、硬質炭素被膜３はスパッタリング法により成膜されている。 （もっと読む）

【課題】常温常圧にて水素を吸収・貯蔵し、１５０℃以下の比較的低温で水素を放出する水素貯蔵複合材料を提供する。
【解決手段】水素貯蔵複合材料１は、水素を貯蔵する金属酸化物によって構成された水素貯蔵層２と、水素貯蔵層２上に積層された、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層と、を含む。水素貯蔵層２の水素吸収層が積層された一方の面と反対側の他方の面にも、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層を設けることが好ましい。具体的には、Ｌｉ_２ＺｒＯ_３層がＰｔ層で挟まれたＰｔ／Ｌｉ_２ＺｒＯ_３／Ｐｔの構成とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく高スループットで基板上にパターンを形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板の成膜面に、成膜材料の粒子に対して高い親和性を示す高親和性領域と、前記親和性領域よりも低い親和性を示す低親和性領域とを形成する工程と、前記基板との間に電子捕捉部を備えたスパッタ装置を用いて、前記成膜面に前記成膜材料の粒子を飛来させ、前記高親和性領域に選択的に前記成膜材料を堆積させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｃｒを１〜２０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体における中間層膜に用いるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲット材。また、上記合金組成の粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材。さらに、上記、薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜。 （もっと読む）