【課題】簡易な方法で、被処理基板外周部の膜だれを防止し、膜厚分布を均一化するスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも３対のターゲット対を同一平面上に並設し、このターゲット３０１ａ〜３０３ｂの後方に磁気回路３０１ｃ〜３０３ｄを平行配置し、上記並設方向両端のターゲット対３０１ａ〜３０１ｂ、３０３ａ〜３０３ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ１、Ｅ３から、所定の電力比にしたがって、上記両端のターゲット対に挟まれたターゲット対３０２ａ、３０２ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ２よりも大きな電力を供給し、さらに、上記磁気回路の並設方向と直交する方向の両端部の磁場強度を上げるスパッタリング方法。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒを用いることなく絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、
（１）該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＮｉ層及びＡｌ層で構成され、
（２）該被覆層にはＡｌが１００〜１３００μｇ／ｄｍ²、Ｎｉが４０〜６００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在する、
プリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜とする。 （もっと読む）

【課題】従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含む雰囲気にて、金属ターゲットを用いてスパッタを行う反応性スパッタ法によって金属酸化物よりなる導電性透明化合物薄膜を成膜する方法であって、スパッタ時における放電のインピーダンス又は発光強度をモニタリングし、前記モニタリングの結果に基づいて導入酸素流量を制御し、フィードバック制御によって遷移領域内で導電性透明化合物薄膜を成膜する方法において、基板を加熱する。 （もっと読む）

本発明は、耐火金属、抵抗性酸化物及び揮発性酸化物から選択される少なくとも１つの化合物を含むターゲットを、溶射、特にはプラズマ溶射によって製造するための方法に関する。当該方法は、粉末組成物の形態の前記化合物の少なくとも一部が、制御された雰囲気中で溶射によって前記ターゲットの表面の少なくとも一部に噴射され、及びその構築の際に前記ターゲットに向けられる強力な極低温の冷却ジェットが使用されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 大型基板に高品質のセラミックス薄膜をスパッタ形成するための大型のターゲットを提供する。
【解決手段】 材料粉末Ｐをプレス成形により板状に圧縮成形して、プレス成形体１１を形成するプレス成形工程と、複数のプレス成形体１１を互いに接触させて板状に並べ、これらプレス成形体１１を冷間等方圧加圧により圧縮して一体に接合し、プレス成形体１１よりも大面積の板状のＣＩＰ接合体１３を形成するＣＩＰ工程と、ＣＩＰ接合体１３を焼成して、板状の焼成体１４を形成する焼成工程とを有するターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも光電変換効率が改善された光触媒膜として用いられ得る新規な膜およびその製造方法、ならびに、このような膜を用いた、水溶液から水素を発生するのに適した水素発生装置を提供する。
【解決手段】光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Ｆｅに対するＴｉの原子数比が０．０５〜０．１のＴｉを含有し、かつＦｅに対するＴａまたはＷの原子数比が０．００１〜０．００５のＴａまたはＷを含有するＦｅ₂Ｏ₃であることを特徴とする半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置。 （もっと読む）

【課題】生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から２０ｍｍ以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 （もっと読む）

【課題】カソードを独立して開閉するＲＦスパッタ装置において、ＲＦ経路の接続部のシールド及び接触を確保する。
【解決手段】ＲＦスパッタ装置において、スパッタ室、第１のシールドに覆われたＲＦ出力端を有しスパッタ室に固定されたＲＦ電力伝達手段、第２のシールドに覆われＲＦ出力端に着脱可能なＲＦ入力端を有しスパッタ室に着脱可能に取り付けられるカソード、第１のシールドの第２のシールドに対向する端面又は第２のシールドの第１のシールドに対向する端面に取り付けられた導電性弾性部材、及び導電性弾性部材を挟む方向の力を、第１のシールド若しくは第１のシールド及びＲＦ出力端又は第２のシールド若しくは第２のシールド及びＲＦ入力端に加える加圧手段を備える構成とした。 （もっと読む）