【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】下地基板１０上に、第一の膜１１である炭素膜を形成する工程と、第一の膜１１上に炭化チタン層１２を形成する工程と、炭化チタン層１２を窒化する工程と、窒化された炭化チタン層の上部にＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、ＧａＮ半導体層から、下地基板１０を除去して、ＧａＮ半導体基板を得る工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉから選択される１種または２種以上の元素を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

ターゲット組立体とターゲット組立体を含むＰＶＤチャンバが開示される。ターゲット組立体は凹形状のターゲットを含む。ＰＶＤチャンバ内で使用されると、凹状ターゲットは、スパッターチャンバ内に配置された基板上の半径方向に均一な堆積層を提供する。
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【課題】フィルム基材の帯電現象による問題を回避しながら、電子ビーム加熱による蒸発物質の蒸着を可能にし、巻取り走行されるフィルム基材に損傷のないバリア性薄膜を安定に成膜できるようにした巻取り式蒸着装置及び巻取り式蒸着方法並びにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】電子ビーム１９により加熱されて蒸発する蒸発物質を、巻取り走行されるフィルム基材１２に蒸着してガスバリア性の薄膜を形成する巻取り蒸着装置において、表面にガスバリア性薄膜を蒸着させたフィルム基材１２を、成膜ロール１５から剥離直前に加熱する加熱手段と、成膜ロール１５に正の電位を印加して、巻出し・巻取り室２０内でフィルム基材１２が成膜ロール１５から剥離された後の、フィルム基材１２と成膜ロール１５との間にプラズマ２７を発生させる電位印加手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス、表示デバイス、フォトマスクなどに使用される薄膜において、成膜欠陥を低減できる成膜方法、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】薄膜作製を行うマグネトロンスパッタ成膜方法で、ターゲットの一部をマスクして成膜を行う成膜方法において、マスクが、ターゲットのスパッタ量よりもターゲット上への再付着（堆積）量が多い領域を含み、かつ、ターゲットのスパッタ量とターゲット上への再付着（堆積）量とが拮抗する領域を含むことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

アルミニウム合金製、特にダイカスト・アルミニウム合金製の部品（１）を被覆する方法が記載され、前記方法は前記- washing the pre-treated parts (1) ; and部品（１）を前処理する工程；- washing the pre-treated parts (1) ; and前処理した前記部品（１）を洗浄する工程；及び前記部品上に少なくとも１つの第１層（３）及び少なくとも１つの第２層（５）を蒸着する工程を含み、前記第１及び第２層（３，５）の各層は可変相対的モル分率を有する２つの構成成分：１）金属材料、及び２）周期律表のIVA族の元素の酸化物に基づく材料の混合物から成る。前記方法によって製造された、アルミニウム合金製の部品（１）が更に記載される。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ条件の適正化により低抵抗率のＺｎＯ系薄膜が得られる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ａｌ、Ｇａ、Ｂの１種または２種以上を０．１〜５質量％含有するＺｎＯ系ターゲットを用いて、０．１Ｔを超える漏洩磁束かつ０．４Ｐａ以下のスパッタガス圧の条件で直流マグネトロンスパッタリングにより、１０ｎｍ以上の膜厚を有するＺｎＯ系薄膜を基板上に形成する透明導電膜の製造方法である。好ましくは、漏洩磁束を０．２Ｔ以下とし、スパッタガス圧の範囲を０．１〜０．３Ｐａとする。 （もっと読む）

【課題】バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】材料損失を少なく抑えた大面積の基板への均等コーティング可能なコーター及び陰極アセンブリを提供する。
【解決手段】大面積の基板を陰極スパッタによってコーティングするためのコーターであって、コーティングチャンバを有し、その内部に、スパッタされる材料がコーティングプロセス中に回転するとともに湾曲面を有するターゲット４上に配置されている陰極アセンブリ２を備える。スパッタされる材料は、回転可能な湾曲したターゲットを持つ陰極アセンブリを少なくとも３つ以上、凝集コーティング領域のための単一のコーティングチャンバ内に並行して配置する。 （もっと読む）

【課題】 何らかの原因でアーク放電が発生したときでも放電切れを防止できるようにした低コストのセルフスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板Ｗが配置される真空チャンバ１と、前記基板に対向配置されるターゲット２と、前記ターゲットに負の直流電位を印加するスパッタ電源Ｅ１と、前記ターゲットの前方空間を囲うように配置され、正の電位が印加されるアノードシールド４と、前記真空チャンバ内に所定のスパッタガスを導入するガス導入手段６、６ａとを備える。更に、直流電源からターゲットへの出力回路に並列にＬＣ共振回路８を有する。 （もっと読む）