【課題】基板の搬送速度にムラがあっても成膜ムラを発生させない。アークが生じても当該基板をＮＧ基板にしない。
【解決手段】エンコーダ（６）で基板（３）の移動を検出し、基板（３）の移動に応じたスパッタ・トリガ信号（１２）を発生させて、直流パルス電力によるスパッタリングを行う。アークの発生を検出すると、基板（３）の移動を止めて、スパッタリングをやり直す。
【効果】基板（３）の移動に同期してスパッタリングを行うので、基板（３）の搬送速度ムラがあっても成膜ムラを生じない。アークが発生しても当該基板（３）がただちにＮＧ基板となることを回避できる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持部２０に、基板ホルダ２と基板１１とＯリング４によって囲まれる閉空間２１を形成し、その空間に流量及び圧力を制御した散乱用ガスを導入する。そのガスを基板１１の貫通穴３３を通じて真空チャンバー１内に流出させることにより、真空チャンバー全体のガス圧力を上昇させずに、貫通穴内部及びその近傍のみの圧力を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】所望の硬さを維持しつつ基材への密着性に優れた高硬度の硬質皮膜で被覆された硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に下地層２としてクロム皮膜が形成され、この下地層２上に応力緩和層としてのクロム皮膜３と硬質層としての窒素含有クロム皮膜４が交互に配置されるように複数のクロム皮膜３と複数の窒素含有クロム皮膜４を形成する硬質皮膜被覆部材の製造方法において、バイアス電圧−３０Ｖ〜−７０Ｖ、好ましくは−３０Ｖ〜−５０Ｖでスパッタリングして、略同一の厚さ１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍのクロム皮膜３と、略同一の厚さ１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍの窒素含有クロム皮膜４を交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣＺＴＳ半導体光吸収層を用いた光電変換素子を２５０℃以下でかつ硫化水素などの有毒ガスを用いることなく、安定、安全かつ安価に実現する。
【解決手段】基材上にｎ型半導体透明導電膜と金属電極とに挟まれてｐ型半導体光吸収層が積層されており、前記ｐ型半導体光吸収層は銅、亜鉛、錫および硫黄を含み、かつ銅／（亜鉛＋錫）の組成比が７０原子％以上１００原子％未満であり、さらに前記基材の軟化点または融点が３５０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いターゲット利用効率を有するマグネトロンスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリングターゲットは、マグネトロン装置及び該マグネトロン装置の磁界内に設置されるターゲットを備え、前記マグネトロン装置は、金属板、前記金属板内に嵌着される複数の第一マグネット及び複数の第二マグネットを備え、前記第一マグネット及び前記第二マグネットの磁力線が相反し、前記複数の第一マグネット及び前記複数の第二マグネットは、複数の行及び複数の列に沿って配列され、各行の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、各列の少なくとも１つの第一マグネットは第二マグネットに隣り合って、前記マグネトロン装置の磁界内に前記行方向に沿って延在する磁力線と前記列方向に沿って延在する磁力線が存在する。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置の構成部品本体２の表面に、アーク溶射法でＡｌ溶射膜３を形成する。Ａｌ溶射膜３を真空中で加熱して脱ガス処理することによって、脱ガス処理後のＡｌ溶射膜を真空中で常温から７７３Ｋまで１時間で加熱した後、１時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下であるＡｌ溶射膜３を得る。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、被処理基板外周部の膜だれを防止し、膜厚分布を均一化するスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも３対のターゲット対を同一平面上に並設し、このターゲット３０１ａ〜３０３ｂの後方に磁気回路３０１ｃ〜３０３ｄを平行配置し、上記並設方向両端のターゲット対３０１ａ〜３０１ｂ、３０３ａ〜３０３ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ１、Ｅ３から、所定の電力比にしたがって、上記両端のターゲット対に挟まれたターゲット対３０２ａ、３０２ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ２よりも大きな電力を供給し、さらに、上記磁気回路の並設方向と直交する方向の両端部の磁場強度を上げるスパッタリング方法。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒを用いることなく絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、
（１）該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＮｉ層及びＡｌ層で構成され、
（２）該被覆層にはＡｌが１００〜１３００μｇ／ｄｍ²、Ｎｉが４０〜６００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在する、
プリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜とする。 （もっと読む）