【課題】膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を備えているタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 使用済みスパッタ材を徐々に使い果たす再製スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 背面と、少なくとも１つのエロージョン面溝を備えるエロージョン面と、周縁とを有する使用済みスパッタ材を提供するステップと、
前記使用済みスパッタ材の背面に機械加工を施すための前処理を行うステップと、
前記使用済みスパッタ材と同様の成分を有する原料粉末を用い、該使用済みスパッタ材のエロージョン面、前記エロージョン面溝及び周縁を被覆し、順次に予備加圧及び焼結処理を行うステップと、を有し、これにより再製スパッタリングターゲットを獲得することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】所要の特性を有する精密な薄膜を低温および／または高速で形成可能であるとともに、小型かつ安価で、簡易かつ省エネ運転が可能で、保守が容易であるスパッタ装置の提供。
【解決手段】間隔をおいて対向配置された一対のターゲット２ａ，２ｂと、ターゲットのそれぞれを支持する一対の電極部材３ａ，３ｂと、ターゲットの間に磁界空間を形成するために電極部材の背面側に配置された一対の磁石６ａ，６ｂと、ターゲットの前面中央に向けて迫出した環状の一対の電極ワッシャ部８１ａ，８１ｂを有する一対のシールド部材８ａ，８ｂと、ターゲットの間の側方に、磁界空間を臨んで配置された基板と、を備え、各ターゲットと各電極ワッシャ部の間に印加される交流電圧Ｖ_１と交流電圧Ｖ_２とが、Ｖ_１＋Ｖ_２＝０［Ｖ］となるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、チャンバ１２と、基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材に周面が対向するように設けられた回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な補助陰極２０と、保持部１６が設けられた成膜室２２と金属材料供給室２４との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材３０と、成膜室２２に接続され、スパッタリングされたターゲット材料と反応して金属化合物を形成する反応性ガスを供給する反応性ガス供給路３２と、を備える。補助陰極２０は、スパッタリングされた回転陰極１８の表面にターゲット材料と同種の金属材料を新たに供給する。 （もっと読む）

【課題】耐久力が高く、コストの低い位置合わせ機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】載置台１２の四辺に貫通孔９を設け、貫通孔９内に筒部３と、筒部３に挿通した軸部４を配置する。軸部４の上端にフランジ部８を設けておき、筒部３と軸部４を上昇させて、載置台１２の上方に位置する基板２０をフランジ部８に乗せ、四辺のうちの二辺の軸部４を傾斜機構によって、他の二辺である位置決め辺の軸部４に向けて傾斜させ、基板２０を押圧して位置決め辺の軸部４の側面に接触させ、位置決めを行う。カメラやＸＹθステージが不要であり、精度よく位置合わせできる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】α放射を生ずるＵの同位体元素とＴｈの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ１ｗｔｐｐｂ未満であり、さらにＰｂ及びＢｉの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ１ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満とし、バナジウムの純度が９９．９９ｗｔ％以上とする。粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解し、得られたインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制でき、真空ポンプを有効に活用することが可能な成膜システムおよび真空ポンプの制御システムを提供する。
【解決手段】一定の時間間隔で連続的に基板Ｗが投入されるローディング室１１と、基板が取り出されるアンローディング室１５と、を備えた成膜装置１０Ａ，１０Ｂが並行して二組配置され、一方の成膜装置１０Ａのローディング室と他方の成膜装置１０Ｂのローディング室とが対向配置されるとともに、一方の成膜装置のアンローディング室と他方の成膜装置のアンローディング室とが対向配置され、一方の成膜装置のローディング室と他方の成膜装置のローディング室との間に、ローディング室内を真空状態にすることができる真空ポンプ３１が設けられ、真空ポンプと一方のローディング室とが接続されるとともに、真空ポンプと他方のローディング室とが接続され、真空ポンプで排気する系統を切替可能に構成されている。 （もっと読む）

本発明は、亜鉛粉末とアルミニウム粉末との混合物を提供し、放電プラズマ焼結処理を用いてその亜鉛粉末とアルミニウム粉末との混合物を焼結させてＺｎＡｌ合金を得ることによりＺｎＡｌ合金ターゲット材料を作製するための方法を提供する。本発明はまた、上記の方法によって作製されたＺｎＡｌ合金ターゲット材料を記載する。
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