【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】［１］（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜、［２］（Ｚｒ_1-a-b-c ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ，Ｄ_c ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＤはＳｉ，Ｂの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０．０３≦ｃ≦０．３、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。なお、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｃはＤの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法における膜質のばらつきを改善し、結晶性の良い硼化物膜を製造する。大面積の基板上に均質な膜質（結晶性）の硼化物膜を形成する。電子放出特性（特に電子放出の安定性）に優れた電子放出素子の製造方法を提供する。遮蔽部材の設置による成膜エネルギーの低下を簡易な構成で改善する。
【解決手段】基板と硼化物のターゲットと開口部を有する遮蔽部材とを、前記基板と前記ターゲットとが対向し、且つ、前記基板と前記ターゲットとの間に前記遮蔽部材が位置するように、配置した状態で、スパッタ法により前記開口部を介して前記基板上に硼化物膜を成膜する。ここで、前記遮蔽部材は、前記ターゲットのエロージョン領域と前記基板との間を遮るように配置され、前記開口部が位置する領域のプラズマ密度が前記遮蔽部材で遮られている領域のプラズマ密度よりも高くなるように、前記基板と前記ターゲットの間の空間のプラズマ密度分布が設定される。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部１０１ｄを備えた反応容器と、空間部１０１ｄ内に設置された成膜手段と、空間部１０１ｄの内部を減圧状態とする排気手段と、反応容器の一面に設けられ、空間部１０１ｄに連通された開口部１０１ｃと、開口部１０１ｃを覆うように取り付けられ、開口部１０１ｃを開閉自在とする扉部１０７と、開口部１０１ｃまたは扉部１０７の外周に取り付けられた枠部８０３と、枠部８０３に開口部１０１ｃを囲むように形成された溝部８０３ｃと、溝部８０３ｃに嵌めこまれたＯリング８０２と、枠部８０３に取り付けられ、枠部８０３を加熱する加熱部８０４と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明はターゲットプレートの半径線に渡り均一のスパッタ速度を作り出すためにターゲットプレートの近傍で半径方向に均一なイオンとラジカルの密度を提供することを企図している。この処理装置は、上部電極１２と下部電極１３を含む反応容器１１と、上部電極に固定されたターゲットプレート１４とから構成される。基板１５は下部電極の上に搭載される。さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。初期プラズマと二次的プラズマの合成プラズマに基づいてターゲットプレートの下側に半径方向に均一なイオン密度とラジカル密度が作り出され得る。 （もっと読む）

【課題】金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象物の凹部中に金属をプラズマ蒸着する方法に関する。この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ法による化合物薄膜の作成において、薄膜の組成比を制御することのできる装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲット式スパッタ装置の相対する２個のターゲット５，６に組成の異なる化合物ターゲット用い、かつ基板ホルダー４をターゲットに対して垂直から平行まで左または右に様々な角度をつけることによって組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】光学損失の少ない多層膜を製造する方法と装置を生産すること。
【解決手段】被覆装置又は反応装置に対して相対的に移動可能な少なくとも１つの基板上で、第一の層の上に、反応性成分を有する第二の層の堆積を行い、かつ少なくとも１つの層の構造および／または化学量論比の変更を反応装置によって行う多層膜を製造する方法において、所定の値以下に多層膜の光学損失を低下させるために、第一の層に隣り合う第二の層の領域内に、厚さｄ₁を有し、かつ反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁値よりも小さい値を有する境界面の構成を行い、第二の層の瞬間の厚さｄ（ｔ）の値を、有利には第二の層の堆積の間に算出し、かつｄ（ｔ）がｄ₁よりも大きくなり次第、反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁よりも大きい値を有する第二の層の堆積を行うことを特徴とする、多層膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】操作パラメータのより優れた調整、したがってより優れた層品質を可能にするアークソースを提供する。
【解決手段】このソース１は絶縁対電極および／または交換磁気システムを有する。これにより、必要に応じて任意の電位が対電極８に与えられ、かつ／または様々な磁気システム５を備えたソースが、特にアークソースないしスパッタソースとして操作され得る。磁気システムは、アークソースまたはスパッタソースとしての択一的な適用に対する前記磁気システムの適合が、プロセスのサイクルの最中に真空状態を中断することなく動作中に実現できるように、前記磁気システムが少なくとも一つの方向に自由に移動できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットとバッキングプレートなどの固定プレートとの間の熱伝導性を維持しつつ、より低コストで短時間で製造可能なターゲットと固定プレートを有するターゲット構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング用のターゲット１０と、当該ターゲット１０が固定されるとともに、当該ターゲット１０を冷却するためのバッキングプレート１１とを有するターゲット構造１において、バッキングプレート１１には、冷却流体が流れる流体流路４０が形成され、バッキングプレート１１とターゲット１０は、流体流路４０がない位置でバッキングプレート１１を貫通するネジ５０により固定され、ターゲット１０の一部は、流体流路４０に露出している。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）