【課題】常温常圧にて水素を吸収・貯蔵し、１５０℃以下の比較的低温で水素を放出する水素貯蔵複合材料を提供する。
【解決手段】水素貯蔵複合材料１は、水素を貯蔵する金属酸化物によって構成された水素貯蔵層２と、水素貯蔵層２上に積層された、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層と、を含む。水素貯蔵層２の水素吸収層が積層された一方の面と反対側の他方の面にも、水素を吸収する貴金属を含んで構成された水素吸収層を設けることが好ましい。具体的には、Ｌｉ_２ＺｒＯ_３層がＰｔ層で挟まれたＰｔ／Ｌｉ_２ＺｒＯ_３／Ｐｔの構成とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの特性を安定させるための動作、いわゆるバーンイン（burn-in）に要する時間を短縮するターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】スパッタリング用のターゲット１製造後、酸化物、不純物、汚染物質を除去する表面処理を実施し、その後、カバー（金属被覆体）５により、後で用いられるプラスチックバッグ２３等のパッケージ材料に直接接触しないように封止される。その際、不活性化バリヤ層によって被覆されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｃｒを３３〜４０原子％含有し、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなるＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法において、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の溶解鋳造インゴットを、１１５０℃〜１３００℃の加熱後に総圧下率５０％〜９０％の熱間塑性加工を行い、次いで５００℃〜１２００℃の加熱温度範囲で熱処理を行うＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を損なうことなく、従来のスパッタリング装置に比べて省スペース化を図れるスパッタリング装置、このスパッタリング装置に用いるターゲット組立ユニットを提供する。
【解決手段】ターゲット組立ユニット１１０は、スパッタリング用のターゲット３６と、ターゲット３６の裏面に接触しているバッキングプレート３５と、を備える。平面視において、バッキングプレート３５は、ターゲット３６が接合された接合部３５Ｂと、接合部３５Ｂを囲む環状の周縁部３５Ａと、によって構成され、バッキングプレート３５の周縁部３５Ａの外形は、バッキングプレート３５の中心を通る仮想直線２００に平行な直線部３５Ｎと、直線部３５Ｎの両端から延びる曲線部３５Ｗとによって形作られており、バッキングプレート３５の直線部３５Ｎでの幅寸法Ｌ１が、バッキングプレート３５の仮想直線２００上での幅寸法Ｌ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】磁界によって感度が変化する真空計の測定子を、磁界中の最適位置に配するように構成された真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、真空ポンプ３６により内部が減圧された真空処理室３０と、真空処理室３０内に磁界を形成する一対の磁界形成手段３２、３３と、真空処理室３０内の圧力を測定できる真空計５０と、を備え、真空計５０の測定子は、磁界形成手段の対３２、３３の一方による磁界の強度が、磁界形成手段の対３２、３３の他方による磁界の強度によって相殺される取り付け空間に配されている。 （もっと読む）

【課題】高温用伝導性の接着剤を使用せずに、大面積金属・絶縁体転移（ＭＩＴ）物質であるＶＯ₂薄膜をインシチュ（in-situ）で蒸着できる成長装置及び大面積酸化物薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】高温でＰＬＤ（pulsed laser deposition）、スパッタ（sputter）などによって、金属・絶縁体転移物質であるＶＯ₂を成長させるとき、熱伝導を良好にするために、固定装置１２０ｂにより基板１１０とヒータ１００ｂ表面との接着を改善することによって、特性が優秀な大面積ＶＯ₂薄膜を、既存方式より簡単に成長させることができる大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置、及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと成膜される膜との組成ずれを抑制し、所望組成を安定的に得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜する際に、基板ＢをターゲットＴの構成元素が付着する壁面１０Ｓで囲むと共に、壁面１０Ｓに対して物理的な処理を行って壁面１０Ｓに付着した成分を成膜雰囲気中に放出させながら、成膜を行う。 （もっと読む）

Ｐｂ_{１．００＋ｘ}（Ｚｒ_０．５２Ｔｉ_０．４８）_{１．００−ｙ}Ｏ_３Ｎｂ_ｙ（式中、ｘ＞−０．０２且つｙ＞０）の組成を有する圧電アクチュエータが記載される。この圧電材料は、アクチュエータにバイアスを印加した際に良好な屈曲作用を呈することができるペロブスカイトを有しうる。
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物理的蒸着方法は、物理的蒸着装置内のスパッタターゲットを含む陰極に無線周波数信号を印加する工程と、物理的蒸着装置内の基板を支持するチャックを少なくとも一つのキャパシタを含むインピーダンス整合回路網に電気的に接続する工程と、スパッタターゲットからの材料を基板上に堆積する工程と、を含む。
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【課題】蒸着材に用いられるＺｎＯ焼結体において、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、蒸着膜の組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】バレルスパッタリング法により、ＺｎＯ粉末１１の表面を、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物１３で被覆して粒状体１４とする。粒状体１４又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末１９を用いて、第１造粒粉末１５又は第２造粒粉末２１を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１７又は２３を作製する。 （もっと読む）