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国際特許分類[C23C16/27]の内容

国際特許分類[C23C16/27]に分類される特許

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【課題】高硬度グラファイト材の高速加工や高硬度カーボンフィラーを配合したCFRP材の加工に用いるダイヤモンド被覆切削工具において、耐摩耗性、耐剥離性に優れるダイヤモンド表面被覆切削工具を提供する
【解決手段】超硬合金を基体とする切削工具の刃部にダイヤモンド皮膜を有する被覆工具において、該基体の直上にグラファイト層からなる中間層を有し、該中間層の平均厚みXは、5≦X≦15(nm)であり、該ダイヤモンド皮膜のラマンスペクトル分析において1320≦D≦1340(cm−1)及び1510≦G≦1590(cm−1)にピークを有し、1320≦D≦1340(cm−1)における半価幅Wdが、Wd≦20(cm−1)で、1510≦G≦1590(cm−1)における半価幅Wgが170≦Wg≦250(cm−1)であることを特徴とするダイヤモンド被覆切削工具である。 (もっと読む)


【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室2外にてボロンを含む液体9を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室2内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具20表面に被覆する。また、反応室2外におけるボロンを含む液体9の加熱およびボロンを含む気体の反応室2内への導入は、ボロンを含む液体9を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室2内へ導入する。 (もっと読む)


【課題】
使用に伴う傷などの外観品質低下の抑制に優れ、しかも装飾性に優れた黒色硬質膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】
ステンレス、Ti、Ti合金または黄銅などの装飾品用軟質基材表面に、色調層を有する装飾品であって、色調層は多孔質アモルファスカーボン層から形成されている事を特徴とする。本発明によれば、前述の装飾品用基材からなる装飾品の表面に、装飾性の高い黒色の色調が得られ、しかも、硬質で傷等による外観品質の劣化が起きにくい黒色硬質皮膜を有する装飾品及びその製造方法を提供することが出来る。 (もっと読む)


【課題】長時間に亘りプラズマの放電条件を安定させ、成膜処理の高い再現性を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理材11の表面に被膜を成膜するプラズマCVD装置であって、ホルダー12に保持された陰極としての被処理材11の周囲に配置された金属シート20からなる陽極を備え、金属シート20が予め巻き取られたローラー21と、ローラー21から展開された金属シート20を巻き取るローラー22を有している。 (もっと読む)


【課題】相手部材の材質によらずに、その相手部材の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部材100は、鋼材などを用いて形成された基材200と、基材200の表面を被覆するFe−DLC膜300とを備えている。Fe−DLC膜300は、摺動部材100の摺動面101の少なくとも一部を形成し、相手部材400の表面と摺動する。Fe−DLC膜300は、Feが添加されたDLCからなる堆積膜である。この実施形態では、Fe−DLC膜300におけるFeの濃度はたとえば約3at.%である。相手部材400は、非鉄系の軟質材料(たとえばCu材料など)を用いて形成されている。 (もっと読む)


【課題】従来のものよりもさらに耐磨耗性および低摩擦係数となるような表面加工を施した摺動部材を提供すること。
【解決手段】本発明により、基材上に形成されたSi含有ダイヤモンドライクカーボン層と、前記Si含有ダイヤモンドライクカーボン層上に共有結合で固定されたポリマーブラシ層とを摺動面に有する摺動部材が提供される。好ましくは、ポリマーブラシ層を構成するポリマーは、親油性を有する基を含むモノマーと、架橋構造を形成しうる基を含むモノマーとをランダム共重合させることにより製造されたものである。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド10とダイヤモンド10内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド10内に複数の高濃度ドープ領域20が形成される。各高濃度ドープ領域20は、ダイヤモンド10内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド10内において複数の高濃度ドープ領域20が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域20の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法による半導体ダイヤモンド等のエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させて得られた結晶層を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、成長した結晶層と基板とを分離させることを特徴とする、オフ角を有する単結晶基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、少なくとも、線膨張係数がMgOよりも小さく、かつ0.5×10−6/K以上の材料からなるベース基材13と、該ベース基材13の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶MgO層11と、該単結晶MgO11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜12を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材10。 (もっと読む)


【課題】被成膜体の非成膜部位を除く部位に被膜を成膜するとともに、成膜部位における硬度の低下を抑制することが可能な被膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着室30内に円柱状のプラズマ3aを発生させると共に真空蒸着室30内に材料ガスを供給し、被成膜体である第1シャフト10にパルス電圧を印加して第1シャフト10の表面にDLC膜121を形成する。第1シャフト10のDLC膜121を形成しない非成膜部位であるヨーク11には、DLC膜121を形成すべき成膜部位であるスプライン嵌合部12との間に、スプライン嵌合部12におけるDLC膜121の硬度の低下を抑制するための隔離間隔をおいて、ヨーク11を遮蔽する治具41を装着する。 (もっと読む)


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