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国際特許分類[C23C16/27]の内容

国際特許分類[C23C16/27]に分類される特許

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【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 (もっと読む)


【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造方法を提供すること。
【解決手段】 切削工具はアルゴンを含有するDLC被膜を有する。または、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層の表面にアルゴンを含有するDLC被膜を有する。
DLC被膜および中間層が直流プラズマCVDによって形成されたものである。処理容器内に切削工具からなる処理物を置き、処理容器を真空状態にし、直流プラズマCVD装置を用いて、アルゴンガスと原料ガスとの混合ガスを流入させながら、前記ガスをプラズマ化して処理物に作用させ、アルゴンを含有するDLC被膜を処理物の表面に形成する。または、アルゴンガスとシリコンガスとの混合ガスを流入させながら、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層を処理物の表面に形成させた後に、前記アルゴンを含有するDLC被膜を処理物の表面に形成する。 (もっと読む)


【課題】シール摺動部材を常用しているエアーシリンダーにおいて、Oリングが使用されている。DLC膜付ゴムにおける摺動部の摩擦係数μ0.35を0.08〜0.15程度に下げ、ドライ摺動でも使用可能な低摩擦化、長寿命化を具現化する摺動部材を提供する。
【解決手段】1例として挙げたエアーシリンダー1は、ハウジング2の内部にピストン4およびピストンロッド3が一対となりエアー室7にエアー出入口8,9から空気圧が交互に送り込まれる機構になっている。シリンダー1の機能を発揮するため、Oリング5およびOリング6がエアー漏れを防ぐように圧接挿入されている。Oリング5,6の摩擦係数を下げるためDLC膜付ゴムの膜面に電子ビーム照射をすることにより、摩擦係数の低減を実現する。 (もっと読む)


【課題】CFRP材、高Si含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金で構成された工具基体表面に、下部層として結晶性ダイヤモンド膜、上部層として微結晶ナノダイヤモンド膜を被覆し、刃先稜線部のみ、ウエットブラスト処理等により下部層を露出させたダイヤモンド被覆切削工具において、工具の刃先稜線部に形成されている下部層の圧縮残留応力分布を測定した場合、下部層の露出表面の残留応力値σsは1.5〜3GPaであって、しかも、刃先稜線部に形成されている下部層の膜厚の1/2の位置における残留応力値をσ1/2とした場合、σs/σ1/2の値は、0.8〜1.0である。 (もっと読む)


【課題】格子定数や歪などの情報も共通化させ、より結晶性の優れたモザイク状の単結晶を提供する。
【解決手段】種基板上に気相合成法によって単結晶ダイヤモンドを合成した後、その成長界面付近で種基板と成長層とを分離し、分離面が上面になるように配置して並べ、該2枚の基板上にダイヤモンドをエピタキシャル成長させて1枚の接合したダイヤモンド基板を作製する。さらに、上記で得た接合したダイヤモンド基板を種基板として利用し、2回、3回と同じ操作を繰り返すことによって、単結晶基板を大きくしてゆける。これにより、種結晶基板の結晶学的特徴を有する単位A(種結晶の表面に由来)と、種結晶基板の結晶学的特徴と鏡像関係を有する単位B(成長層の分離面に由来)とがモザイク状に並んだ単結晶ダイヤモンド基板が得られる。 (もっと読む)


【課題】凹部のない大面積で高品質なCVDダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が{100}であるダイヤモンド単結晶基板の{100}側面同士を近接させて4枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して1枚の大面積CVDダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の4枚の単結晶基板の、隣接する2枚の単結晶基板A1とA2とからなる単位Aと、他の2枚の単結晶基板B1とB2とからなる単位Bとにおいて、A及びBが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつA1とA2が対向する側面間の間隔の真中の面と、B1とB2が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Aと単位Bが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積CVDダイヤモンド単結晶を製造する方法。 (もっと読む)


【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部15が位置する凹部13が充填膜27で充填されてから無機膜28が形成されるので、無機膜28に亀裂が生じない。無機膜28はダイヤモンドライクカーボンやAlNのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部15に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部15の熱は無機膜28に伝達され、発光部15が高温にならない。更に、第一パネル10、第二のパネル20の間の隙間は樹脂膜29で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部15は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置1は寿命が長い。 (もっと読む)


【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材11の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第1の層13と、第1の層13の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第1の層13と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第2の層14と、第1の層13と基材11との間に形成され、第1の層13と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第3の層15とを備えていている。 (もっと読む)


【課題】保護膜の膜厚を薄くしつつ、耐久性および耐食性を向上させると同時に潤滑膜に対する保護膜表面の結合力を増加させる。さらに、該保護膜を備えた良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のための保護膜であって、該保護膜がフッ素と窒素とを含んでいることを特徴とする保護膜である。磁気記録媒体のための保護膜を製造する方法であって、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に該保護膜を形成する工程と、フッ素含有ガスおよび窒素含有ガス中で該保護膜をプラズマ処理する工程とを含むことを特徴とする方法である。 (もっと読む)


【課題】高耐摩耗性を損なうことなくDLC皮膜に導電性を付与する。
【解決手段】銀やSUS304ステンレス鋼等の基体1を用意する。プラズマCVD法,スパッタリング法,PBII法等の皮膜形成方法により基体1表面に絶縁性のDLC皮膜2を形成する。DLC皮膜2表面に適当なエネルギー密度のレーザ光を部分的に照射することにより、レーザ光の照射領域にあるDLC皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域3を形成する。 (もっと読む)


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