【課題】 基材上に高い密着性をもって炭素膜が形成された炭素膜被覆部材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭素膜被覆部材１が、超硬合金の基材２の表面に直径５０μｍ以下の複数の微細穴３が並んで形成され、基材２の表面に微細穴３を埋めて炭素膜４が形成されている。また、この炭素膜被覆部材の製造方法は、超硬合金の基材２の表面に直径５０μｍ以下の複数の微細穴３を並べて形成する穴形成工程と、該穴形成工程後に基材２の表面に微細穴３を埋めて炭素膜４を形成する炭素膜形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱陰極ＰＩＧプラズマＣＶＤ法によって雄スプライン部にＤＬＣ被膜を形成する場合に、ＤＬＣ被膜の膜厚のばらつきを小さくすることができるスプラインシャフトのＤＬＣ被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空室６０内において、柱状のプラズマ７０ａの周囲に複数のスプラインシャフト１０を配置すると共に、柱延在方向に複数のスプラインシャフト１０を同軸状に並べて配置する。同軸状に並べて配置された複数のスプラインシャフト１０は、それぞれの雄スプライン部１６の間に軸方向隙間が形成されるように配置される。複数の雄スプライン部１６の軸方向隙間は、プラズマ７０ａの柱延在方向の中央部に位置するようにする。 （もっと読む）

【課題】金属製の成膜対象物上にダイヤモンドライクカーボン膜を成膜することができるダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法およびダイヤモンドライクカーボン膜付き金属物を提供することを課題とする。
【解決手段】メタンガスを含む成膜用ガスＲＧを流動させる流動経路１４に、ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜対象となる金属製の成膜対象物３０を配置する。そして、成膜用ガスＲＧを所定流量で流動経路１４に流すとともに成膜対象物３０を室温から所定温度にまで上昇させるプロセスを経ることにより、成膜対象面３０ｆの不純物と成膜用ガスＲＧとを反応させることで成膜対象面３０ｆから不純物を除去し、更に、不純物が除去されることで露出した金属元素によって成膜用ガスＲＧを反応させて成膜対象面３０ｆにダイヤモンドライクカーボン膜３４を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】 水溶性溶剤との親水性に富み、耐摩擦性に優れ、塗料が短時間でロール表面に馴染じみ易く、塗りむらができにくく、塗り厚を均一にし易い親水性ＤＬＣ膜の成膜方法と親水性ＤＬＣ成膜基材を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内に基材をセットし、真空チャンバー内を常温かつ真空状態にし、基材の周辺にプラズマを発生させて、基材に負の高電圧パルスを印加することで基材表面をスパッタリングし、その後、ＤＬＣの原料ガスとＯ_２を真空チャンバー内に供給して基材に親水性ＤＬＣ膜を形成する。親水性ＤＬＣ膜の形成前にＯ_２含有層を形成したり、ＤＬＣ膜を形成したりしてもよい。ＤＬＣ膜の形成前にミキシング層を形成してもよい。基材の表面に親水性ＤＬＣ膜を設けた。基材と親水性ＤＬＣ膜との間に、Ｏ_２含有層やＤＬＣ膜を設けてもよい。基材とＤＬＣ膜の間にミキシング層を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が１．０×１０^−８（ｍ^２・Ｋ/Ｗ）以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】摺動面に潤滑油を確実に供給し、潤滑性能を高めた摺動部材及び圧縮機を提供すること。
【解決手段】クランクシャフト３またはベーン４６は、基材上にダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４を備え、このダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４と相手方の部材との間にオイルが供給された状態で摺動する構成とし、ダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４の摺動面５４Ａに、孔径の異なる第１の空孔６１及び第２の空孔６２を形成し、孔径の大きな第１の空孔６１と孔径の小さな第２の空孔６２とが、摺動方向Ｘに沿って、交互に配列されている。 （もっと読む）

【課題】摺動面に潤滑油を確実に供給し、潤滑性能を高めた摺動部材及び圧縮機を提供すること。
【解決手段】ベーン４６は、ベーン溝から突出する方向Ｘ１及び当該ベーン溝４７に収納される方向Ｘ２に往復移動する基材上にダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４を備え、このダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４とベーン溝４７との間にオイルが供給された状態で摺動する構成とし、ダイヤモンドライクカーボン皮膜層５４の摺動面５４Ａに、方向Ｘ１側に中心軸Ｓ１を傾斜させた複数の第１空孔６１と、方向Ｘ２側に中心軸Ｓ２を傾斜させた複数の第２空孔６２とを配列した。 （もっと読む）