【課題】
スズめっき層をフュージング処理してもボイドが発生し難く、且つエッチング性が良い銅箔を提供すること。
【解決手段】
未処理銅箔中のＣｌ含有量が３０ｐｐｍ未満である銅箔。電解液としてＣｌ⁻イオン濃度が２．０ｍｇ／ｌ以下、タンパク質濃度が０．５ｍｇ／ｌ以下の硫酸−硫酸銅水溶液を用いて電解する銅箔の製造方法。未処理銅箔中のＣｌ含有量が３０ｐｐｍ未満で、該未処理銅箔の両表面のうち少なくともスズめっき層の形成される表面が、該表面をＸ線回折分析して得られた回折線のうち（２００）面の回折線の相対ピーク強度をＩ（２００）、（１１１）面の回折線の相対ピーク強度をＩ（１１１）としたときに前記Ｉ（２００）を前記Ｉ（１１１）で除して算出される相対強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．２０以下である銅箔。 （もっと読む）

【課題】 電流効率の変動を抑制でき、環境への負荷が小さくて、効率的な銅ストライクめっきを可能にする銅ストライクめっき浴を提供すること。
【解決手段】 本発明の銅ストライクめっき浴は、シアン化銅化合物と、無機酸の塩及び有機酸の塩の１種又は２種以上とを含む。好ましくは、シアン化銅化合物はシアン化銅ナトリウム、シアン化銅カリウム、又はそれらの混合物である。無機酸の塩は、リン酸塩、ピロリン酸塩、水酸化アルカリ化合物、ホウ酸塩又は炭酸塩でよく、有機酸の塩は、ギ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸又はＬ−グルタミン酸の塩でよい。リン酸、ピロリン酸、ホウ酸又は炭酸等の無機酸、あるいはギ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸又はＬ−グルタミン酸等の有機酸を更に含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 新規なめっき用レベリング剤、並びに該レベリング剤を含む、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および該添加剤組成物を含む酸性銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 特定構造のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト−二酸化イオウ共重合体からなるめっき用レベリング剤、並びに、（Ａ）前記めっき用レベリング剤、（Ｂ）ポリマー成分および（Ｃ）ブライトナー成分を含む酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および（Ｄ）銅イオン５〜７５ｇ／Ｌ、（Ｅ）有機酸および／または無機酸２０〜３００ｇ／Ｌを含む基本浴組成に、前記酸性銅めっき浴用添加剤組成物を配合してなる酸性銅めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、第１の硫酸濃度を有するめっき液で銅の導電層を形成する第１工程と、前記第１の硫酸濃度より薄い第２の硫酸濃度を有するめっき液で、前記導電層上に更に導電層を積層する第２工程と、前記半導体構造上に成膜された銅の導電層を研磨する研磨工程とを有する。これにより、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 （もっと読む）

【課題】酸性銅水溶液のパルス逆電解法を、印刷用シリンダ、特にグラビア印刷用シリンダに銅を堆積させるために使用する。
【解決手段】メッキ組成物は、概して、銅イオン、対イオン、塩化物イオン、ポリアルキレングリコール、及び浴可溶性二価の硫黄化合物を含む。この利点は被メッキ物上へ電着された銅膜厚分布の向上、金属廃棄物の低減、メッキ処理時間の短縮、生産能力の向上等である。 （もっと読む）

【課題】
プリント配線板の電気めっきに際して、ビアホールやめっきレジスト等が存在する基板に対しても良好なビアホール充填性とめっき膜の平坦性を再現性良く保証する電気銅めっき法を提供する。
【解決手段】
プリント配線板の電気めっきに際して用いるめっき液に、Ｎ−アルキル、Ｎ−アラルキル、又はＮ−アリル基を付加してオニウムとした、ピリジニウム，ビピリジニウム，フェナンスロリニウム，キノリニウム，フェナジニウムの塩から選ばれる物質の少なくとも１種の化合物、および有機色素化合物の少なくとも１種を含ませる。 （もっと読む）

この発明は、アルミニウム表面を清浄化すること、腐食性のニトレート化合物を実質的に含まず、過酸素化合物を含む酸性エッチング溶液に前記アルミニウム表面を接触させること、前記アルミニウム表面を、６〜６０ｇ／ｌの亜鉛及び１００〜５００ｇ／ｌのヒドロキシイオンを含むジンケート処理溶液に接触させることを含んでなる、その後のメッキのためにアルミニウム表面をジンケート処理する方法に関する。廃棄物処理を簡単にするため、酸性エッチング溶液は有害な無機フルオリド化合物を実質的に含まない。この発明は、図２、特にステップ６を参照することによって理解することができる。 （もっと読む）

微小電子機器製造で基板上にＣｕを電気めっきするための方法と組成物であって、Ｃｕイオン源とレベリングのための置換ピリジル高分子化合物を含む。 （もっと読む）

半導体ウエハ等の製造過程のミクロ電子加工物における凹設された微細構造体を金属化により充填する電気鍍金組成物及び方法を開示する。電気鍍金組成物は銅及び硫酸の混合物を含むことができ、銅濃度と硫酸濃度の比が約０.３〜約０.８である。また、開示された電気鍍金組成物は、硫酸濃度が約６５〜約１５０ｇ/L（溶液１リットル当たりのグラム数）であるとき、銅濃度がその溶解度の限界近くにある銅及び硫酸の混合物を含むことができる。かかる電気鍍金組成物は、また、促進剤、抑制剤、ハライド及び／又は平滑剤等の慣用の添加剤を含むことができる。製造過程の半導体加工物に形成された溝及び／又はコンタクトホール等の要点内に、導電性材料を電気化学的に析出させる方法が開示され、開示された電気鍍金溶液を使用する複数の陽極反応器の利用に適した方法を含む。 （もっと読む）