金属支持体（２）を有し、その上にコンタクト層（３）が勾配層の形で設けられている電気コンタクト、特に差込接続の電気コンタクトが提案されている。この勾配層（３）は、少なくとも２種の元素から形成されていて、その一方は銀であり、かつ第２の元素のためのマトリックスを形成するかもしくは第２の元素と合金されているか、又はその一方はニッケルであり、かつその他方はリンであるか、又はその一方はインジウムであり、かつその他方はスズである。
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鉛含有銅合金を溶液中にクロム酸を含まずリン酸化合物を含む酸性溶液に浸漬し、表面の鉛を除去することを特徴とする鉛含有銅合金の鉛溶出低減処理方法及び鉛含有銅合金製水道用器具であるため、酸性のリン酸化合物による若干のエッチング効果と微小なリン酸皮膜が形成されるのみであるので大きな変色を伴うことなく、商品価値も低下しない。また、塩化ナトリウムを添加してもよく、鉛溶出低減についても十分効果がある。前工程として、鉛含有銅合金をアルカリ性のエッチング液に浸漬して表面の鉛を除去してもよい。これらの鉛含有銅合金は外部表面が、ニッケルクロムめっきをはじめとするめっきが施されていても問題はない。
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【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）

【課題】接点と半田付け端子を有する電子部品の表面処理方法において、電子部品を回路基板に半田付け実装する時に、接点方向への半田吸い上がりを防止すると共に、耐腐食性能の向上と低コスト化を図る。
【解決手段】金属板の一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と（Ｓ１）、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と（Ｓ２）、均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散により、半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と（Ｓ３）を備えた。 （もっと読む）

【解決手段】 環境負荷の少ないノンクロム系の表面処理鋼板を用い、耐硫化変色性、耐食性に優れた溶接缶を提供することである。
【課題】 缶内面となる側の鋼板表面に、鋼板側から順に、錫めっき層、錫−亜鉛合金層、ノンクロム系の表面処理層、有機樹脂被覆層が形成されて成る有機樹脂被覆表面処理鋼板から成る溶接缶において、
前記錫めっき層及び錫−亜鉛合金層における錫量が０．９〜１２ｇ／ｍ^２であり、フリー錫量が０．１０〜１２ｇ／ｍ^２であり、及び亜鉛量が０．０１〜０．５ｇ／ｍ^２であり前記ノンクロム系の表面処理層がシランカップリング剤を主剤とする表面処理或いは水溶性フェノール樹脂による表面処理から成る層であり、溶接部におけるオーバーラップ幅が１ｍｍ以下であることを特徴とする溶接缶。 （もっと読む）

【課題】成形加工性に優れる被めっき物を提供する。
【解決手段】表層の加工変質層が除去された金属基材上にめっき層Ａが設けられている成形加工性に優れた被めっき物、前記金属基材が銅又は銅合金からなる被めっき物、前記めっき層Ａがニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金のうちの少なくとも1種からなる被めっき物、前記めっき層Ａ上に、前記めっき層Ａと異なる金属又は合金からなるめっき層Ｂが少なくとも１層設けられている被めっき物、前記めっき層Ｂがニッケル以外の金属または合金からなる被めっき物である。 （もっと読む）

【課題】 メッキ被膜を良好に形成することができ、さらに設備費を抑えることができ、加えてワークの形状によって適用が制約されることのないメッキ装置を提供する。
【解決手段】 メッキ装置１０は、内部に貫通孔１６ａを備えた筒形電極１６を、シリンダブロック１１の中空部１２内に隙間Ｓ１を開けて配置し、中空部１２内で、かつ筒形電極１６の上端部１６ｂ上方に遮蔽板３５を設け、隙間Ｓ１にメッキ液１７を流すことにより、シリンダ１２の内周壁１４にメッキ被膜６６を形成するものである。このメッキ装置１０は、遮蔽板３５を絶縁材で形成し、遮蔽板３５と内周壁１４との間にメッキ液１７を導入可能なメッキ液導入隙間Ｓ２を形成したものである。 （もっと読む）

銅のシード層を用いずに、直接銅メッキを可能にするバリア層表面処理の方法の実施形態が記載されている。一実施形態において、上部に第VIII族金属層を備えた基板上に銅をメッキする方法は、第VIII族金属表面酸化層及び／又は表面汚染物を取り除くことにより基板表面を前処理し、前処理された第VIII族金属表面上に銅をメッキすることとを含む。基板を前処理することは、水素含有ガス環境及び／又は第VIII族と反応しないガスを伴う環境内で基板をアニール処理することにより、酸含有槽内の陰極処理により又は酸含有槽内に基板を浸すことにより、実行可能である。

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平面加工部品（１）の電解処理用装置及び方法、特に加工部品表面において互いに電気的に絶縁の導電性構造Sを電解処理する方法に関する。方法は装置中輸送路T'、T"上で加工部品（１）を輸送かつ処理することから構成され、前記装置は二輸送路間の少なくとも一の組立体Aから構成され、前記組立体は各一輸送路と結合する接触電極を有する第一及び第二の回転可能な接触電極を含み、第一接触電極（２）は第一輸送路T'上を輸送され、かつ第二輸送路T"から隙間を置く加工部品に隣接し、第二接触電極（８）は第二輸送路T"において輸送され、かつ第一輸送路T'から隙間を置く加工部品に隣接する。組立体及び加工部品は処理液と接触する。接触電極は各々互いに絶縁であり、かつ第一及び第二輸送路（T'、T"）上を輸送される加工部品と、第一及び第二輸送路（T'、T"）の方へ各々向くが加工部品（１）とは接触しない第二セグメント（９）の間に電解領域Eが形成されるように電源（５）と接触する第一及び第二セグメント（９、１０）から構成される。
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接触面および上側と下側の側面を少なくとも含み、この接触面は、いわゆる高速酸素燃料溶射法（ＨＶＯＦ）にしたがって形成された被覆層を有し、この被覆層の表面粗さがＲｋ＜０．１０μｍである、ピストンリング。
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