【課題】ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部（ビア表面）の平坦性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１１の片面に銅箔１２を有するプリント配線板用基材の絶縁層１１に、底部に銅箔１２が露呈するようにあけられたビアホール１３を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔１２をめっき給電用陰極とし、ビアホール１３内に位置する針状の突出電極部５１を含む電極部材５０をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハーにめっき処理を行う際に、めっき電流の不通によるウェハーの品質異常を防ぐ。
【解決手段】ウェハー５４のめっき処理時に、主電源１９の電圧を検出する。主電源１９の電圧が設定電圧を越え、その状態が一定の主電源電圧異常誤検出防止時間以上継続した場合に、ウェハー５４を回収する。これにより、めっき処理時において主電源１９に電圧異常が生じた場合にはウェハー５４が回収される。めっき処理開始時に、主電源１９のＯＮ時より遅らせて補助電源２０をＯＦＦすると、めっき液の給液が遅れても、一時的な無通電状態の発生が回避される。めっき処理終了時に、主電源１９のＯＦＦ時より早めて補助電源２０をＯＮすると、一時的な無通電状態の発生が回避される。 （もっと読む）

【課題】ダイレクトメタライゼーション法を用いた２層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム基材の片面にシード層を形成し、そのシード層上に銅層を形成するダイレクトメタライゼーション法で得られる２層フレキシブル銅張積層板において、前記シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした片面２層フレキシブル銅張積層板等を採用する。 （もっと読む）

【課題】 金属にカーボンナノ材料を複合する複合めっきにおいて、表面を平滑に仕上げることのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 実施例１では（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ）とするとともに、界面活性剤は、ポリアクリル酸を採用した。
【効果】 めっき層の表面粗さを従来の表面粗さの約１／５０まで改善することができる。したがって、本発明によれば、カーボンナノファイバを含む複合めっきであるにも拘わらず、平滑な表面が得られるので、カーボンナノファイバ混入に基づいて熱的特性及び電気的特性に優れ、外見性の良いめっきを金属材料に施すことができる。
この結果、カーボンナノファイバを含む複合めっきの用途を飛躍的に拡大させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸性銅水溶液のパルス逆電解法を、印刷用シリンダ、特にグラビア印刷用シリンダに銅を堆積させるために使用する。
【解決手段】メッキ組成物は、概して、銅イオン、対イオン、塩化物イオン、ポリアルキレングリコール、及び浴可溶性二価の硫黄化合物を含む。この利点は被メッキ物上へ電着された銅膜厚分布の向上、金属廃棄物の低減、メッキ処理時間の短縮、生産能力の向上等である。 （もっと読む）

【課題】小型の電子部品にめっきを施す場合にも、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良や、めっき膜の均一性の低下などの発生を抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能な電子部品のめっき方法および該めっき方法を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品（積層セラミックコンデンサ）１０が、長さ（Ｌ）０．６mm以下、幅（Ｗ）０．３mm以下、高さ（Ｔ）０．３mm以下の、略直方体形状を有するものである場合に、通電用メディア１１として、直径が電子部品１０の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いる。
また、略球形ほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）１２をさらに添加して振動めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 電子部品に対して、厚膜の部分めっきを効率よく施すことを可能にする部分めっき装置を提供する。
【解決手段】 頂面と底面の双方にて開口した複数の筒状めっき液保持容器、各筒状めっき液保持容器の内部に備えられた一方の電極、該電極に電気的に接続された電源、各筒状めっき液保持装置の開口底面に接続するめっき液供給容器、筒状めっき保持装置の周囲に備えられためっき液回収容器、そして上記電源の他方の極に電気的に接続された電子部品仮保持具からなる電子部品の部分めっき装置。 （もっと読む）

【課題】ボルトのねじ部とそれ以外の非ねじ部にわたってメッキを施し、非ねじ部のメッキ厚は厚く、ねじ部のメッキ厚は薄くすることが容易にできるメッキ方法及びメッキラインを提供する。
【解決手段】ボルトの非ねじ部側を下側にしてメッキ槽のメッキ液中に、ねじ部及び非ねじ部がメッキ液中に浸漬される、ボルトとメッキ液の液面とが第１の相対位置にある状態でメッキを施す第１工程と、
その第１工程の後、ボルトの非ねじ部がメッキ液に浸漬され、ねじ部は浸漬されない、ボルトとメッキ液の液面とが第２の相対位置にある状態で、ねじ部にはメッキ被膜を形成することなく非ねじ部にメッキ被膜を形成する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付け性の劣化、接着強度の低下、接触抵抗の増大を引き起こすことがない、端子部品の表面処理膜、及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】 不活性雰囲気で、スズからなる第一のめっき膜と、厚さが５０ｎｍ以下で、スズより卑な金属を含む第二のめっき膜を、端子部品表面に順次形成する。第二のめっき膜は、スズよりも卑な金属を含むので、第一のめっき膜よりも容易に酸化されるが、その酸化物層により下地の第一のめっき膜の酸化防止が可能で、はんだ付け性などが向上する。第二のめっき膜の酸化物層は薄いので、通常のフラックスの処理で支障なくはんだ付けができる。 （もっと読む）

【課題】潜在的に高い垂直磁性特性を有するとともに処理パラメータにより特性を制御が可能な磁性材料を電気めっきで製造する。
【解決手段】５０〜８０重量％のコバルト、９〜１５重量％のニッケル、１０〜２５の重量％のレニウム、０．１〜２．０重量％のリン、５〜１０重量％のタングステン又は白金とからなる磁性材料層であり、この磁性材料層は、好ましい垂直磁性（例えば、磁性材料が磁化されると、磁性材料は、層の平面方向に垂直方向の高い磁場力を与える）をもつ層として形成される。磁性材料層は、好ましくは約１μｍの厚さを有し、電気めっきによって形成される。この磁性材料層は、ＭＥＭＳ装置に適用するのに有利である。 （もっと読む）