【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】ラフネスを考慮したサンプリングによる異種計測装置間のキャリブレーション方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ装置を用いて被計測対象のＣＤ平均寸法及びラフネスを計測するＣＤ−ＳＥＭ計測過程と、該ＣＤ−ＳＥＭ計測過程において計測されるラフネスを統計処理してキャリブレーションに必要な断面計測点数を算出する断面計測点数算出過程と、該断面計測点数算出過程で算出された断面計測点数を満たすように前記被計測対象に対して断面計測装置を用いて断面計測を実施し、該実施された断面計測結果において指定された断面計測高さのＣＤ平均寸法を算出する断面計測過程と、前記ＣＤ−ＳＥＭ計測過程で計測された前記被計測対象のＣＤ平均寸法と前記断面計測過程において算出された被計測対象の断面計測高さのＣＤ平均寸法との差であるキャリブレーション補正値を算出する補正値算出過程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体検査において、設計データと撮影した半導体デバイスの画像を利用して、ＳＥＭ画像に含まれたノイズとパターンを精度よく分離する方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料への電子ビームの照射に基づいて得られる画像から、前記試料上に形成されたパターンを細線化した画像を形成する際に、前記パターンを形成する線分の方向ごとに、予め登録された前記パターンのホワイトバンドの輝度分布情報を用いたピーク位置の検出を行い、当該検出によって、前記パターンの細線部分を抽出し、当該抽出に基づいて前記細線化されたパターンを表した画像を形成する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被検体に対する撮影画像を使った検査を容易かつ高精度で行うことができる検査装置と、コンピュータをそのような検査装置として動作させる検査プログラムを提供する。
【解決手段】同一の被検体に対する、互いに撮影時刻が異なる複数の撮影画像を入手する画像入手部３１０と、複数の撮影画像のうちの２つの撮影画像について、一方の撮影画像の変形によりそれら２つの撮影画像を一致させるのに要する変形量を算出する変形量算出部３３０と、その変形量に基づいて、２つの撮影画像相互間における時間経過で被検体に生じた変形の箇所を検出する変形検出部３７０と、その時間経過で被検体に生じた亀裂等の箇所を検出する欠陥検出部３６０とを備えた。 （もっと読む）

三次元目標物体の領域の画像を構築する画像データを提供する方法及び装置が開示される。本方法は、入射放射線を提供するステップと、少なくとも１つの検出器を介して、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、目標物体に対して入射放射線を再位置決めするステップと、続けて、目標物体で散乱した放射線の強度を検出するステップと、３Ｄ物体の１つ又は複数の深さにおいて、入射放射線の少なくとも１つの特性の推定値を示すプローブ関数を求めるステップと、物体の１つ又は複数の領域の画像を、プローブ関数を使用して反復プロセスを介して構築することができる画像データを提供するステップとを含む。
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【課題】 試料表面へ電子ビームを直接照射することなく、試料表面の凹凸を観察する。
【解決手段】 電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を検出することによって試料表面の状態を観察する電子線装置を用いた試料観察方法において、試料の上に誘電体材料を載せ、試料と誘電体材料とを接触させることにより接触帯電を起こさせ、接触帯電に起因して誘電体材料表面に誘起される表面電位のコントラストを二次電子を用いた像によって観察することにより、試料表面の凹凸を観察する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

透過する放射線を使った計測対象の三次元画像の生成方法であって、特に多数の二次元投影画像を考慮した逆投影による方法において、計測対象は、計測装置の計測スペースにおいて透過する放射線により貫通され、その際透過する放射線は計測装置の放射源から発し、計測対象の投影画像の最初のセットが、計測装置の検出装置によって撮影され、その際投影画像は、放射源に対して相対的におよび／または検出装置に対して相対的に様々な計測対象の向きで撮影され、投影画像の最初のセットから、計測対象の最初の三次元画像が再構築され、最初の三次元画像は評価され、場合によっては評価の結果によって、計測対象の位置および／または向きが、放射源に対して相対的におよび／または検出装置に対して相対的に変更され、および／または評価の結果により計測装置の運転方法が、あとに続く計測対象の投影画像の撮影のために調節され、最初の三次元画像の評価の後に、計測対象の投影画像の第二のセットが計測装置の検出装置により撮影される方法に関する。
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【課題】パターンの寸法測定に際して寸法測定範囲（ＲＯＩ）を自動的に設定する。
【解決手段】実パターンの輪郭ＥＲ１〜ＥＤＲの像と、実パターンの設計図形とのマッチングを実パターンの画像上で行い、設計図形の輪郭線ＥＤ１〜ＥＤ４に内接または外接する円ＣＬ１〜ＣＬ１０を設計図形に当てはめ、円ＣＬ１〜ＣＬ１０と輪郭線ＥＤ１〜ＥＤ４との接点を基準に寸法測定範囲（ＲＯＩ）ＲＡ〜ＲＨ，ＲＪ〜ＲＱ，ＲＳ，ＲＴを決定する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では極めて困難であった、感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】感光体試料１７に対して、荷電粒子ビームを照射する照射手段２と、該照射によって得られる荷電粒子の信号を検出する検出手段５と、感光体試料１７の電荷分布の状態を測定する測定手段としての画像処理手段５１と、感光体試料１７に複数の潜像パターンを形成するための露光手段３と、露光手段３の光源の発光を制御する発光制御手段としてのＬＤ駆動部２１及び制御手段２０と、を有している。 （もっと読む）