【課題】出力信号の感度温度係数を低減することができる感度温特補正回路を提供する。
【解決手段】センサ部３０から物理量に応じた検出信号が入力されると共に可変抵抗Ｒ２を介して基準電圧が入力される第１オペアンプ１を有し、第１オペアンプ１に可変抵抗Ｒ２と抵抗温度係数の異なる帰還抵抗としての可変抵抗Ｒ１が接続されて構成される第１感度温特調整部１０と、第１感度温特調整部１０から出力された出力信号が入力される第２オペアンプ２を有し、第２オペアンプ２に接続される帰還抵抗Ｒ３と、第２オペアンプ２の入力端子に接続されると共に第１オペアンプ１の出力端子に接続され、第２オペアンプ２に接続された帰還抵抗Ｒ３と抵抗温度係数の異なる可変抵抗Ｒ４と、を有する第２感度温特調整部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】センサ部を片持ち支持してなる圧力センサにおいて、外部温度の変化によって、圧力の検出精度が低下することを抑制することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム２４を外形輪郭線が長手方向と垂直に交差する一辺２４ａを一端２１側に有する形状とし、複数のピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄをダイヤフラム２４のうち一辺２４ａの中点周りの領域外に形成する。このような圧力センサでは、ピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄはダイヤフラム２４のうち一辺２４ａの中点周りの領域外に形成されているため、ピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄに印加される熱応力の差分を低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】圧力センサの外部の圧力値を測定するにあたって、当該圧力センサの置かれる雰囲気の温度の影響を抑えること。
【解決手段】圧力センサの外部の圧力値に応じて発振周波数が変化するようにその長辺がＡＴカットの水晶基板２０における結晶軸方向のＸ軸に沿うように形成された主水晶振動子１４ａと共に、圧力センサの外部の圧力値によっては発振周波数がほとんど変化しないようにその長辺がＡＴカットの水晶基板２０におけるＸ軸から６０°ずれた方向と平行になるように形成された補助水晶振動子１４ｂを容器１３内に配置して、これら水晶振動子１４ａ、１４ｂにより検出される周波数ｆ_１、ｆ_２の差分を取る。 （もっと読む）

【課題】センサチップへの応力の伝達を防止し得るセンサチップの取付構造を提供する。
【解決手段】センサ１０は、主に、センサチップ２０と、このセンサチップ２０を取り付けるための部材である被取付部材３０と、センサチップ２０および被取付部材３０との間に介在する磁性流体４０等から構成されている。センサチップ２０は、受圧面２１が形成される面とは反対側の面である磁性流体側面２３にて、磁性流体４０の表面張力により当該磁性流体４０に保持されて固定されている。磁性流体４０は、被取付部材３０の永久磁石３３により当該被取付部材３０のチップ側面３１に磁気吸着により固定されている。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の発振周波数に基づいて周囲の圧力を検出する圧力センサーにおいて、圧力センサー間で感度のばらつきを抑えることである。
【解決手段】気密容器の一部を構成するためのダイヤフラムに、圧電振動子を、当該ダイヤフラムの撓みに応じて応力が発生すると共に当該ダイヤフラムに隙間が介在するように固定する工程と、前記ダイヤフラムを容器形成部材に固定して、内部に前記圧電振動子が収納された気密容器を形成する工程と、前記気密容器の形成後に、ダイヤフラムに加わる圧力に対する圧電振動子の発振周波数を調整するために、ダイヤフラムの表面に樹脂からなり、当該ダイヤフラムと共に撓む薄膜を形成する工程と、を備えるように圧力センサーを製造する。これによって、圧力センサー間の感度のばらつきを抑えることができ、さらに圧力センサーの強度も向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】低コスト化かつ小型化を実現できる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧力センサ１は、内部に基準圧室８が形成されたシリコン基板２と、シリコン基板２の一部からなり、基準圧室８を区画するようにシリコン基板２の表層部に形成されたダイヤフラム９と、ダイヤフラム９の周囲を取り囲んでダイヤフラム９をシリコン基板２の他の残余部分１１から分離する分離絶縁層１０とを含んでいる。ダイヤフラム９には、基準圧室８に連通した貫通孔１２が形成されていて、貫通孔１２内には、充填体１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。
【解決手段】 静電駆動型振動子（固定電極１および振動子３）の出力電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を、演算増幅器１４並びに抵抗１１，１２および１３を備えた負性インピーダンス変換回路１０で構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動式トランスデューサの製造工程を簡略化するとともに、簡易にセンサ性能の向上を図れるようにする。
【解決手段】振動子が形成された第１のシリコン基板の振動子形成面側に、絶縁膜を挟んで第２のシリコン基板を接合させる工程と、第２のシリコン基板を、振動子を覆うとともに、振動子の励振または振動周波数検出のための電極として機能するシェルに加工する工程と、シェル内を真空封止する工程とを含む振動式トランスデューサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】コストを増大することなく導入管の形状を容易に変更することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】薄膜のダイアフラム部１ａ及び該ダイアフラム部１ａの圧力による撓みを検出する検出素子が形成されたセンサチップ１と、センサチップ１を収納する一面を開口した略箱形のボディ１１並びにボディ１１に取り付けられて被圧力検出流体をボディ１１内部に導入する導入口１２ａを有する導入管１２から成るパッケージ１０とを備え、導入管１２には、その一端部の周方向に沿って外側に向けて突出する鍔部１２ｂが一体に設けられ、該鍔部１２ｂは、円形状に形成され、ボディ１１の上端の外周縁に係止され且つボディ１１の前記開口を塞ぐとともに、封止材６で封止されることでボディ１１に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】中空構造等を作製するためのエッチング工程とガラス基板等他の部材の貼り付け工程を必要としない簡単な工程で、センサー等を作製するための貼り合わせ基板を製造する方法、及び構造強度の問題となる中空構造を形成しなくとも、センサー等の作製に用いることができる多孔質領域を有する貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１の貼り合わせ面に部分的に多孔質領域３を形成する工程と、ボンド基板４の貼り合わせ面に絶縁膜２を形成する工程と、絶縁膜２を介してベース基板１とボンド基板４を貼り合わせる工程と、貼り合わせられたボンド基板４を薄膜化して薄膜層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）