【課題】検出精度が低下することを抑制することができる力学量センサを提供する。
【解決手段】物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部２１が形成されたセンサチップ２０と、センシング部２１を露出させつつセンサチップ２０を片持ち支持する支持部材４０と、を有する力学量センサにおいて、センサチップ２０の平面形状を矩形状において隣接する二つの角の除去により構成される角部２３ａを有する形状とし、センサチップ２０のうち角部２３ａ側の端部を支持部材４０に封止する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】回路部の一部をキャップ基板のデッドスペースに形成することで、体格が低減された半導体センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１０とキャップ基板５０が絶縁膜５１を介して接合された半導体センサであって、キャップ基板５０の裏面５０ｂから絶縁膜５１までが除去されて、外部に露出したキャップ基板５０の壁面に絶縁膜６０が形成され、絶縁膜６０を側壁、外部に露出した絶縁膜５１を底部とする凹部５６ａが、センサ基板１０の内部配線１３ｂにおける裏面５０ｂ側への射影位置に形成され、凹部５６ａ上の外部配線５３ａ及び内部配線１３ｂによってコンデンサＣ１、キャップ基板５０に形成された貫通電極５２ａと凹部５６ａとの間の外部配線５３ａによって抵抗Ｒ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて、大型化を抑制しつつ、絶縁部材に圧力検出素子が接触する可能性を低減させる。
【解決手段】圧力センサは、軸線方向に延び、先端側が底面部を形成する有底筒状の筐体と、圧力検出素子と、貫通孔４０を有する台座３０と、隙間をあけて貫通孔に挿通され、ボンディングワイヤによって圧力検出素子と電気的に接続される配線部５０と、を備える。さらに圧力センサは、貫通孔内の隙間に充填され、台座と配線部を絶縁すると共に配線部を保持する絶縁部材３６を有する。台座は、貫通孔の先端側開口が形成された対向面を有する台座本体３２と、対向面から突出し、圧力検出素子と当接する凸部３４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１の一方の面に接合され、圧電性基板１１との間に気密封止されたキャビティを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板１１の一方の面に形成され、キャビティ内に配設されたＩＤＴ１６と、封止基板１２の圧電性基板１１と接合する面と反対の面に形成され、パッケージ１３外部に露出すると共に引出し電極を介してＩＤＴ１６に導通された外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板１１は、パッケージ１３外部から作用する力学量に応じて変位する変位部を有し、圧電性基板１１には、変位部２１を圧電性基板１１の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられ、パッケージ１３は、封止基板１２の外部接続電極１８を形成した面を回路基板上に表面実装するセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１の一方の面に接合され、圧電性基板１１との間に気密封止されたキャビティを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板１１の一方の面に形成され、キャビティ内に配設されたＩＤＴ１６と、圧電性基板１１及び封止基板１２のうちの少なくとも一方に形成され、パッケージ１３外部に露出すると共に引出し電極を介してＩＤＴ１６に導通された外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板１１は、他方の面に内側を露出する凹部が形成されると共に、凹部の底面に位置する薄肉部分が、パッケージ外部から作用する力学量に応じて変位する変位部２１であるセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供する。
【解決手段】絶対圧力センサ１は、ダイアフラム１１の周縁に複数のピエゾ抵抗１２・１２子を形成し、該ピエゾ抵抗１２・１２の形成面とは反対側の面にキャビティ１３を形成したセンサ基板１０に、キャビティ１３を閉じるようにキャップ基板２０を接合してなる。キャビティ１３の厚みＴ２は、キャップ基板２０の厚みＴ３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板１１の一方の面に接合され、圧電性基板１１との間に気密封止されたキャビティＣを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板１１の一方の面に形成され、圧電性基板１１と前記封止基板１２との接合部及びキャビティＣ内に配設されたＩＤＴ１６と、封止基板１２又は圧電性基板１１を厚み方向に貫通すると共にＩＤＴ１６に導通する貫通電極３３と、圧電性基板１１及び封止基板１２のうちの少なくとも一方に形成され、貫通電極３３に導通する外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板１１は、パッケージ外部から作用する力学量に応じて変位する変位部２１を有し、圧電性基板１１には、変位部２１を圧電性基板１１の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられているセンサ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷの信号強度及び検出感度を向上することができると共に、長期に亘って高い作動信頼性を確保することができ、且つシンプルな構成で製造容易化及び低コスト化を図り易いセンサを提供すること。
【解決手段】圧電性基板１１と、圧電性基板の一方の面１１ａに接合され、圧電性基板との間に気密封止されたキャビティを画成させる封止基板１２と、を具備するパッケージ１３と、圧電性基板の一方の面に形成され、キャビティ内に配設されたＩＤＴ１６と、両基板のうちの少なくとも一方に形成され、パッケージ外部に露出すると共に引出し電極を介してＩＤＴに導通された外部接続電極１８と、を備え、圧電性基板が、パッケージ外部から作用する力学量に応じて変位する変位部２１を有し、圧電性基板には変位部を圧電性基板の他方の面側に露出させる開放部Ｅが設けられているセンサ１０を提供する。 （もっと読む）