【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるＭＥＭＳデバイスを得る。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスＤは、支持基板２ａの側面２ｅに露出させた貫通電極２２ａ〜２２ｅの断面部を、可動電極４、５および固定電極２０ａ〜２１ｂの電位取出口として利用可能とした加速度センサ（第１のセンサ）Ｓ１と、この加速度センサＳ１に支持基板２ａを介して積層されるセンサ基板１Ａを有した圧力センサ（第２のセンサ）Ｓ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面から形成することができる圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１の製造方法においては、図４Ａ〜Ｃに示すように、ｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃを４方向に等分且つ外側又は内側にずらして配置し、そのｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃの上部に重なるように環状のｎ型半導体拡散層５を形成し、その環状のｎ型半導体拡散層５及びｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃのｎ型半導体拡散層５との重複部分をエッチングして、環状溝４で囲まれたメサ部３及び４個のブロック状のｐ型半導体部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄを半導体基板２の表面側に形成した。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 動作中の温度を安定させることで、転送レートを低下させることなく、所定の物理量を正確に測定するセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】 センサーモジュール１０であって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサー２０と、使用されることで発熱する発熱部品３０と、を含み、発熱部品は、検出信号に基づいて演算処理を行う演算処理部３４と、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部４６と、を含み、切り替え制御部は、物理量センサーに所定の物理量を検出させる第１の動作モードと、第１の動作モードに続く動作モードであって、演算処理部に演算処理を行わせる第２の動作モードと、を切り替え、第２の動作モード時において、物理量センサーおよび発熱部品に基づく発熱量が、第１の動作モード時における発熱量と同じになるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 部品を増やすことなく、ウォームアップ時間を短くして、測定開始までの時間を早める、使い勝手のよいセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】 センサーモジュール１０であって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサー２０と、使用されることで発熱する発熱部品３０と、を含み、発熱部品は、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部４６を含み、切り替え制御部は、物理量センサーに所定の物理量を検出させ、検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、所与の条件を満たした場合に、ウォームアップモードが通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、通常動作モード時における飽和温度をターゲット温度とする。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に配置された引出電極間の短絡を防止して生産の歩留を高めた圧電デバイス、圧電モジュールを提供する。
【解決手段】第１基板１４と、前記第１基板１４に導電性を有する第１の接合層６２Ａを介して積層された圧電振動基板２６と、を積層し、前記圧電振動基板２６は、圧電振動片（振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８）と、前記圧電振動片の外周を囲むように設けられた枠部２８と、を有し、前記第１基板１４は、前記圧電振動片に対向する主面側に第１の凹部１６を有する圧電デバイス１０であって、前記枠部２８は、前記第１の凹部１６の内壁よりも前記圧電振動片側に突出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止部材の流動によるボンディングワイヤの断線を防止する。
【解決手段】センサチップ２とボンディングワイヤ３５との接合部をゲル状の封止部材３６にて封止する圧力センサにおいて、ダイヤフラム部２１と封止部材３６との間に壁２３を設ける。これによると、封止部材３６が硬化するまでの間、壁２３によりダイヤフラム部２１側への封止部材３６の移動が阻止されるため、ダイヤフラム部２１は封止部材がない状態が維持される。したがって、センサチップ２が受ける差圧が大きくなってダイヤフラム部２１がストッパ１２１に当接する状態になっても、封止部材３６は流動しない。これにより、ボンディングワイヤ３５に負荷がかかることが防止され、ひいてはボンディングワイヤ３５の断線が防止される。 （もっと読む）

【課題】差圧測定器を効率的に校正可能な差圧測定器の校正システムを提供する。
【解決手段】差圧測定器３の校正システム４０であって、圧力発生装置４によって複数の設定値の圧力を加えられた第１の圧力測定器１が検出した圧力の複数の検出値、及び圧力発生装置４によって複数の設定値の圧力を加えられた第２の圧力測定器２が検出した圧力の複数の検出値を収集する収集回路４１と、複数の設定値と、第１の圧力測定器１が検出した複数の検出値と、の差に基づき、第１の圧力測定器１が検出する圧力の検出値の第１の補正式を決定する第１の補正式決定部４５ａと、複数の設定値と、第２の圧力測定器２が検出した複数の検出値と、の差に基づき、第２の圧力測定器２が検出する圧力の検出値の第２の補正式を決定する第２の補正式決定部４５ｂと、を備える、差圧測定器の校正システム。 （もっと読む）