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国際特許分類[G03F7/022]の内容

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【課題】ポジ型感光性樹脂組成物に用いた場合に、高感度、高解像度を示す、保存安定性の良好な、ハロゲン元素を含まないナフトキノンジアジド化合物と、その製造に有用な中間体であるアミドフェノール化合物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物。


(式中、RおよびRは互いに独立にフェニル基を有する1価の有機基であり、R、R、RおよびRは互いに独立に、水素原子または1価の有機基である。QおよびQは、互いに独立であり、少なくとも1つは4-又は5−ナフトキノンジアジドスルホニル基のどちらかである。また、Xはハロゲン元素を含まない2価の基または単結合である。) (もっと読む)


【課題】高感度で熱硬化後にアルカリ溶剤へ耐性がある感光性シロキサン組成物の提供。
【解決手段】(a)ポリシロキサン(b)下記一般式(1)で表されるキノンジアジド化合物、(c)溶剤からなる感光性シロキサン組成物。
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【課題】めっき耐性を有し、現像性の良好なポジ型感光性組成物及び該感光性樹脂組成物からなる感光性フィルムを提供することである。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、(A)アルカリ溶解性樹脂と、(B)キノンジアジド構造を有する感光剤と、(C)分子構造中にカルボキシル基を有する化合物と、を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】化学増幅型レジストよりなる厚膜レジストの現像に好適に使用できる現像液を提供する。
【解決手段】アニオン性界面活性剤、およびカチオン性界面活性剤を含む第四級アンモニウム化合物の水溶液よりなるフォトレジスト現像液であって、フォトレジスト現像液全体の質量を100質量%として、下記式(1)で示されるアニオン性界面活性剤を0.1〜5質量%、カチオン性界面活性剤を0.01〜2質量%含むことを特徴とするフォトレジスト現像液;


(式中、Rは水素原子またはメチル基であり、Rは水素原子または炭素数1〜4のアルキル基であり、Aは炭素数1〜4のアルキレン基であり、一分子中で、AOは同一であっても、異なる2種以上の組み合わせであってもよく、pは1〜3の整数であり、mは5〜30であり、Mは水素原子またはアンモニウムイオンである。) (もっと読む)


【課題】高感度、高解像力、高耐熱性、良好なプロファイル、良好なフォーカス許容性、少ない現像残渣等に優れ、アルカリ水溶液で現像することにより得られるパターン状有機膜を形成できるポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】感光性化合物(B)と、アルカリ可溶性樹脂(A)とを含有し、感光性化合物(B)が分子中にキノンジアジド及び光の照射によって蛍光又は燐光を発する基を有するものであるポジ型感光性組成物を提供し、またこのポジ型感光性組成物によって形成された有機膜を提供する。 (もっと読む)


【課題】高感度で、熱処理後のパターン形状に優れる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(a)一般式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂、(b)一般式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂以外の樹脂、(c)光酸発生剤および(d)前記(c)以外の光酸発生剤を含有する感光性樹脂組成物。
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【課題】パターン加工性に優れ、高温での熱処理後も矩形のパターン形状を維持することのできるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(a)ノボラック樹脂、(b)特定構造のポリイミド前駆体を主成分とする樹脂、(c)特定構造のナフトキノンジアジド化合物、(d)アルコキシメチル基含有化合物および(e)溶剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】リフトオフによる蒸着および/またはスパッタ膜の形成方法に関し、基板表面に、ライン/スペースが10μm/10μm以下のような微細パターンにおいても、アンダーカットがパターン間の下部で繋がらないようにアンダーカット形状を制御することが可能なレジストパターンを、1回の露光および現像で得て、バリのない製膜層を容易に形成
することができる2層レジスト膜およびこれを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の樹脂組成物1と特定のポジ型感放射線性樹脂組成物2を基板表面に塗布して2層積層膜を形成し、一回の露光により2層積層膜からなるレジストに断面がアンダーカット形状をした微細パターンを形成し、次にこれをマスク材として有機あるいは無機薄膜等を蒸着および/またはスパッタし、リフトオフすることで所望の形状を有するパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】パターニング精度を維持したまま高OD化させる。
【解決手段】ポジ型あるいはネガ型のフォトレジスト中にクロミズム特性を有する材料を含む感光性樹脂組成物を提供する。この感光性樹脂組成物は、加熱あるいは光照射等によってOD値を変化できる。したがって、パターニング工程後に加熱あるいは光照射等を行って高OD化させることによって、パターニング精度を高く維持すると共に、高OD化させたブラックマトリクスを提供することができる。 (もっと読む)


本発明は、フォトリソグラフィーによるサブミクロンパターン化に有効である新規なジアゾナフトキノンスルホン酸ビスフェノール誘導体、及びその作成方法を提供する。具体的には、本発明はアルカリ可溶樹脂、光活性化合物、及び界面活性剤とを含むフォトレジストコーティング膜に関する。作成されたフォトレジスト膜の膜厚は1ミクロン未満である。光活性化合物はアルカリ水溶液中に可溶性又は膨潤性を有し、光活性化合物として以下の式Aで示されるジアゾナフトキノンスルホニクビスフェノルエステルが挙げられる。
(式A)


ここで、DNQは2-ジアゾ-1-ナフトキノン-4-スルホニル, 2-ジアゾ-1-ナフトキノン-5-
スルホニル、1-ジアゾ-2-ナフトキノン-4-スルホニル基を示し、R, R1はアルキル、アリ
ール、及び置換アリール基を示す。本発明は、さらに光感応性組成物をコーティング及び撮像する方法も提供する。
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