【課題】 本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを３５〜６５原子％含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物かなるＣｒＴｉ系合金において、Ｃｒ（１１０）のＸ線回折強度［Ｉ（Ｃｒ）］とＣｒ₂ Ｔｉ（３１１）のＸ線回折強度［Ｉ（Ｃｒ₂ Ｔｉ）］の強度比が［Ｉ（Ｃｒ₂ Ｔｉ）／Ｉ（Ｃｒ）］が０．５０以下であるＣｒＴｉ系合金およびＣｒＴｉ系スパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。またターゲットに、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ₂からなる群から選ばれる何れか１種を含有させる。 （もっと読む）

【課題】優れた記録再生特性と長期保存特性とを有し、高記録密度の磁気記録テープを提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録テープは、非磁性基板と、前記非磁性基板の上に形成された非磁性下地層と、前記非磁性下地層の上に形成された多層構造軟磁性層と、前記多層構造軟磁性層の上に形成された非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に形成されたグラニュラ磁性層と、前記グラニュラ磁性層の上に形成された保護層とを含み、前記非磁性下地層、前記多層構造軟磁性層、前記非磁性中間層、前記グラニュラ磁性層及び前記保護層は、対向ターゲット式スパッタリング法によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の平面方向で内側の領域の保磁力が高い場合、又は、内側の領域でパターン密度が高くなっている場合であっても、磁気転写が不完全になることなく効率的且つ高精度で行うことができ、高記録密度の磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することが可能な、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の上に少なくとも垂直磁性層４が形成された磁気記録媒体Ｗと、情報信号に対応する転写パターンが形成されたマスター情報担体Ｍとを重ね合わせた後、マスター情報担体Ｍ側から磁界生成手段Ｇによって外部磁界を印加しながら、マスター情報担体Ｍから磁気記録媒体Ｗへと情報信号を磁気転写する工程を含む方法であり、磁気転写を行う際、平面方向で最内周側の磁気転写領域Ｕにおける磁性層１０１の膜厚ｔ１が、最外周側の磁気転写領域Ｓの膜厚ｔ２よりも厚く形成されたマスター情報担体Ｍを用いる。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度と透磁率を高いレベルで両立可能なアモルファス構造を有する磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ−Ｆｅ系合金でなる磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜であって、該軟磁性裏打ち層膜における原子％で表されたＣｏとＦｅの組成の比率が８８：１２〜９２：８の範囲内にあり、添加元素として３．０原子％以上のＺｒと、２．０原子％以上Ｂ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａの群から選ばれる１種または２種以上の元素と、をいずれも含有し、かつ、前記添加元素の含有量の合計が５．０〜９．０原子％の範囲内にある磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜である。また、上記と同組成の磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材およびそのスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリング法により形成される磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】電気磁気変換特性を向上させ、よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層は、スパッタリング成膜により形成され、成膜時のガス圧が低ガス圧にて成膜される低ガス圧成膜層と、成膜時のガス圧が高ガス圧にて成膜される高ガス圧成膜層からなる。そして、前記高ガス圧成膜層は、成膜レートを段階的に低下させた多層成膜により形成する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材を提供することである。
【解決手段】 Ｔｉを４０〜６０原子％含有し、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材であって、スパッタ面のＸ線回折におけるＣｒ相の（１１０）面の回折ピーク強度をＡ、ＴｉＣｌ_２化合物相の（３１１）面の回折ピーク強度をＢとするとき、相対強度比Ｂ／Ａが１０％以下であるＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立して、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成すること。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）