【課題】電極間の接続抵抗が低く、かつ耐熱衝撃特性が高い接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１は、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２と、第２の電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４と、第１の接続対象部材２の上面２ａと第２の接続対象部材４の下面４ａとの間に配置されており、かつ導電性粒子２１を含む異方性導電材料により形成されている接続部３とを備える。導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。導電性粒子２１における樹脂粒子２２の中心を通る中心線に対して、導電性粒子２１における第２の導電層２４は、上下非対称に偏在しており、上記中心線に対して上側の領域又は下側の領域に第２の導電層２４全体の７０体積％以上、１００体積％以下が存在する。 （もっと読む）

【課題】導電性接合材料を基板の電極に供給しつつ溶着する導電性接合材料供給工程、及び電子部品の端子に導電性接合材料を一度溶融させて転写する転写工程を選択することができ、基板と電子部品を１５０℃以下の低温で効率よく接合することができる導電性接合材料及び導体の接合方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】融点が１５０℃以上の高融点金属粒子と、融点が８０℃以上１３９℃以下の中融点金属粒子と、融点が７９℃以下の低融点金属粒子とからなる金属成分を含む導電性接合材料である。前記金属成分が、高融点金属粒子表面に、中融点金属粒子から形成された中融点金属層と、低融点金属粒子から形成された低融点金属層とをこの順に有する多層金属粒子である態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銀粒子２の凝集が生じにくく、取り扱いが容易である微小銀粒子含有組成物の提供。
【解決手段】微小銀粒子含有組成物は、多数の微小銀粒子２と、それぞれの銀粒子２の表面を覆うコーティング層４とからなる。この銀粒子２は、いわゆるナノ粒子である。この銀粒子２は、鱗片状である。コーティング層４は、有機化合物からなる。この有機化合物は、銀粒子２に付着している。この有機化合物は、銀粒子２の凝集を抑制する。この組成物は、ケーキ状を呈する。組成物の全量に対する有機化合物の質量比率は、２％以上１５％以下である。 （もっと読む）

【課題】異方性導電材料を硬化させた硬化物層にボイドを生じ難くすることができる異方性導電材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤と、導電性粒子５と、フィラーとを含む。導電性粒子５は、樹脂粒子と該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有する。該導電層の少なくとも外側の表面層ははんだ層である。上記フィラーは、１次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上、８００ｎｍ以下であるナノフィラーであるか、又は反応性官能基を表面に有するフィラーである。本発明に係る異方性導電材料の測定温度範囲４０〜３００℃での最低溶融粘度を示す温度は６０〜１２０℃の温度領域にあり、かつ該最低溶融粘度は１Ｐａ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】加重をかけることなく３００℃以下の硬化温度で接合した場合であっても、高い電気伝導性及び熱伝導率を有し、かつ大気雰囲気で接合した場合であっても、卑金属面への十分な接着強度を有する接着剤組成物及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、Ｘ線光電子分光法で測定される銀酸化物由来の酸素の状態比率が１５％未満である片状の銀粒子（Ａ）、及び３００℃以上の沸点を有するアルコールまたはカルボン酸（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】単分散性が良好で、コストが安く、マイグレーションが起こり難く、導電性に優れた導電性微粒子を提供すること。
【解決手段】コア粒子１０２と、コア粒子１０２の表面に形成され、ニッケル及びリンを含有する金属めっき被膜層１０４と、コア粒子１０２に対して反対側を向く金属めっき被膜層１０４の表面に形成されたパラジウム層と、を備え、金属めっき被膜層１０４においてコア粒子１０２側の金属めっき被膜層１０４の表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの２０％以下である領域Ａ内でのリンの含有率が、領域Ａ全体に対して７〜１５重量％であり、金属めっき被膜層１０４においてパラジウム層側の金属めっき被膜層１０４の表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの１０％以下である領域Ｂ内でのリンの含有率が、領域Ｂ全体に対して０．１〜３重量％であり、金属めっき被膜層全体に対するリンの含有率が７重量％以上であることを特徴とする、導電性微粒子１００。 （もっと読む）

【課題】接続構造体における電極間の接続に用いた場合に、電極間の接続が容易であり、導通信頼性を高めることができ、更に落下又は振動などの衝撃に対する接続構造体の耐衝撃特性を高めることができる異方性導電材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、導電性粒子１と、バインダー樹脂とを含む。導電性粒子１は、樹脂粒子２と、該樹脂粒子２の表面２ａを被覆している導電層３とを有する。導電層３の少なくとも外側の表面層が、はんだ層５である。導電性粒子１が２０％圧縮されたときの圧縮弾性率は、１０００Ｎ／ｍｍ^２以上、８０００Ｎ／ｍｍ^２以下である。導電性粒子１の圧縮回復率は２０％以上、９０％以下である。 （もっと読む）

【課題】銅の高原子価化合物から金属銅膜を製造する組成物、金属銅膜の製造方法、および金属銅膜を提供する。
【解決手段】銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。
また、銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤；銅錯体およびレオロジー調整剤から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱して金属銅膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシートと同時に焼成して導体回路を形成したときに、反りの発生をより一層有効に抑制することができるセラミック多層回路基板用導電ペーストを提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミック多層回路基板用導電ペーストは、アトマイズ法により製造され、平均粒径が２〜９μｍの範囲内であるとともに最大粒径が４０μｍ以下であり、さらに薄片化されたアトマイズ銀薄片粉末を導電性粉末として含有するもので、アトマイズ銀薄片粉末は、導電性粉末の５０重量％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基材粒子の表面上に低融点金属層が形成された導電性粒子を効率よくかつ簡便に得ることができる導電性粒子の製造方法、並びに該導電性粒子の製造方法により得られた導電性粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性粒子の製造方法では、基材粒子と、基材粒子の表面上に形成された低融点金属層とを有する導電性粒子を得る。本発明に係る導電性粒子の製造方法では、基材粒子５２と、低融点金属層を形成するための低融点金属粒子５３と、樹脂粒子５４とを接触させ、せん断圧縮によって低融点金属粒子５３を溶融させることにより、基材粒子の表面上に低融点金属層を形成する。本発明に係る導電性粒子は、上述の製造方法により得られ、基材粒子と、基材粒子の表面上に形成された低融点金属層とを有する。 （もっと読む）