半導体基材のドーピングにおいて、低圧ドーパントガスを高電圧イオン源に配送するシステムであって、ガスが高電圧イオン源に入る前に、電子イオン化カスケードを維持する水準より低くなるまで電子加速効果を下げるために、高電圧イオン源の上流側の電子エネルギーを調節することで、低圧におけるガスの望ましくないイオン化を抑制する。具体的適用におけるガス配送システムはガス流路、ガス流路の少なくとも一部と電気的に接続してそこに電場を印加する電圧発生装置、およびガスのイオン化ポテンシャルと関係する低圧ガスの電子の加速長を調節してガス流路中でのイオン化を抑制するために設置される妨害構造物とを有する。
（もっと読む）

【課題】 装置構成を複雑化することなく、注入元素の電荷による基板のチャージアップを防止する。
【解決手段】 真空チャンバ１内で形成したプラズマＰからグリッド電極６を介してイオンを引き出し、基板Ｗへ当該イオンを注入するイオン注入装置１０において、グリッド電極６を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。電圧印加手段８は、基板Ｗを支持するステージ５と、ステージ５に正電位と負電位とを周期的に印加するパルス電源で構成される。この構成により、イオン注入過程で生じる基板Ｗのチャージアップを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 長時間にわたって大電流のイオンビームをイオン源から放出させることができるガス流量設定方法およびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 ガス源からイオン源に供給されるガスの流量をスイープさせ、そのときにイオン源から放出されるイオンビームの電流値を検出すると、図３のグラフが得られる。このグラフは表示手段上に表示され、まずオペレータは、最大のイオンビーム電流値Ｉ_ｍａｘが得られるガス流量Ｆはｆ_ａであることをそのグラフから確認する。そしてオペレータは、その確認したガス流量ｆ_ａよりも多いガス流量Ｆであり、かつ、Ｉ_ｍａｘ×８０％程度のイオンビーム電流値が得られるガス流量Ｆを図３のグラフ上で確認する。この場合、ガス流量ｆ_ａ＋ｄがそのガス流量Ｆに相当する。そこでオペレータは、ガス流量ｆ_ａ＋ｄを被加工試料Ｓのイオンビーム加工時におけるガス流量Ｆとして設定する。 （もっと読む）

【課題】電極間排気効率を向上させ、イオンビームの加速効率を改善させることができる核融合プラズマ用イオン源を得ることができる。
【解決手段】真空容器内に配設され、プラズマを発生するプラズマ源と、前記真空容器内に、該真空容器内を複数に区分するように該真空容器とは電気的に絶縁した状態で配設され、各々が同一構成で複数の丸孔が行及び列において等間隔に形成された多孔板からなる複数の電極間に所定の電位を印加し、前記プラズマ源から発生するプラズマの中からイオンビームを引出すイオンビーム引出し部を備えた核融合プラズマ用イオン源において、前記イオンビーム引出し部における電極のうちのイオンを取出す最終段の電極に形成されている複数の丸孔を、前記行単位又は前記列単位でスリット状の長孔に変更した核融合プラズマ用イオン源。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを均一化するためにグリッド透過度およびグリッドホールパターンを制御する方法を提供する。
【解決手段】イオンビームグリッドにおいてホール位置もしくはホールサイズまたはそれらの両方を変更するための設計方法は、変更すべきコントロールグリッドを特定する工程と、グリッドパターンについて変更ファクタを取得する工程と、新しいグリッドパターンを生成するために前記変更ファクタを使用する工程とを含んでいる。その変更ファクタは、ホール位置変更ファクタとホール直径変更ファクタとのうちの一方または両方である。ホールの位置もしくはサイズまたはそれらの両方についての特性であって、コントロールグリッドホールの位置もしくはサイズまたはそれらの両方についての変更ファクタの修正によって定義される特性を有するイオンビームグリッドも含まれる。 （もっと読む）

プラズマドーピング装置（１００）は、チャンバ（１０４）とドーパントガスからチャンバ内にイオンを発生させるプラズマ源（１６２）を含む。グレーティング（１５４）はチャンバ内に位置付けられる。ターゲット（１５０）を支持するプラテン（１４８）は、チャンバ内に位置付けられる。グレーティングおよびターゲットのうち少なくとも１つは、グレーティングから引き出されるドーパントイオンは非法線入射角でターゲットに衝突するよう方向付けられる。 （もっと読む）

【課題】 開口部の側面の浸食に対するイオンの引出し効率の変化が小さいイオンの生成装置を提供する。
【解決手段】 開口部３０が形成されるフロント板２６は、複数枚の板部材３５，３６が積層されて構成され、他の板部材３６よりも突出している最も内側の板部材３５は、開口部３０における側面４０が、イオンの引出し方向Ａに略平行に形成されている。前記側面４０は、イオンが引出されるときに浸食されるが、浸食されたとしてもイオンの引出し方向Ａに略平行な形状であり、浸食前後で形状が変化しない。これによって開口部３０の側面３３（各面４０〜４２を含む）の浸食に対し、イオンの引出し効率の変化を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】スキマーが損傷しないクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】
スキマー１４とイオン化室１６ａの間にバイアス電極２１ａを配置し、バイアス電極２１ａに、イオン化室１６ａの壁面を基準としたときに、スキマー１４よりも大きな負電圧を印加する。入口側孔３３ａから漏出した逆流イオンはバイアス電極２１ａに引きつけられ、スキマー１４が位置する方向から逸らされる。逆流イオンの進行方向に衝突板１５ａを配置し、逆流イオンを衝突させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ガス源を低電圧の部分に設けることを可能にするとともに、イオンビーム装置のダウンタイムを短くすることができ、しかも絶縁管の放電の可能性を小さくすることの可能な絶縁配管部材を提供する。併せて、そのような絶縁配管部材を含むガス供給装置およびイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】 絶縁配管部材１０は、接地部より高電圧部にプロセスガスを供給する配管系に使用する。プロセスガスの経路となる絶縁管１１と、当該絶縁管１１を収容する絶縁性のパージボックス１２とを組み合わせ、パージボックス１２に、無害のパージガスの供給部および排出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】
従来の方法では引き出し方向から見てプラズマ境界面が凸面となり、発散イオンビームしか得られない。
【解決手段】
従来の電場のみの制御ではプラズマ境界面が凸面にしか成り得なかったプラズマ条件でも、イオン引き出し領域に任意の磁場を与えることによりプラズマ密度分布又は／及び電子温度分布が変化し、凹面に制御することができるため、従来の方法では得られなかった高輝度ビームを得る。 （もっと読む）