【課題】交換作業時間のさらなる短縮化を通じて装置稼働率を向上させることができ、作業手順が簡単で間違いの発生を少なくすることができる物品交換機構および物品交換方法を提供する。
【解決手段】本発明の物品交換機構１は、開口部５を有する真空容器４と、物品３を支持し且つ開口部５を気密に開閉可能な２つの交換ユニット１２と、真空容器に着脱可能であり、それぞれ、交換ユニット１２と解除可能に連結して、交換ユニット１２を移動させる２つのユニット支持機構１３と、２つの交換ユニット１２を内部に収容する状態で真空容器４に着脱可能な交換用容器１０と、２つのユニット支持機構１３の各々と解除可能に連結して２つのユニット支持機構１３を動作させる複数の操作部材１８と、交換用容器１０の内部を真空状態にする真空機構２３と、交換用容器１０の内部を所定圧力まで戻す復圧機構２６と、を備える。 （もっと読む）

実施形態に係る¹⁸⁶Ｒｅの単離方法では、¹⁸⁵Ｒｅと¹⁸⁶Ｒｅを含む源化合物を気化する。気化した源化合物をイオン化して、¹⁸⁵Ｒｅと¹⁸⁶Ｒｅを含む負の電荷を帯びた分子にする。負の電荷を帯びた分子を分離して、¹⁸⁶Ｒｅを含む負の電荷を帯びた分子を単離する。単離された¹⁸⁶Ｒｅを含む負の電荷を帯びた分子を、正の電荷を帯びた収集器で収集する。その結果、単離された¹⁸⁶Ｒｅを用いて、高い比放射能を持つ治療用及び／あるいは診断用の放射性医薬品を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のフィラメントを同時に交換することにより、フィラメント交換の作業時間を短縮でき、イオン注入装置の稼働率を向上できるイオン源及びそのフィラメント交換方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン源１は、プラズマ生成容器４に隣接して設けられた真空ボックス５と、真空ボックス５内に設けられ先端部で複数のフィラメント３をそれぞれ支持する複数の支持アーム７と、真空ボックス５とプラズマ生成容器４との間に配置され両者間を気密に仕切る開閉可能なゲートバルブ６と、真空ボックス５内を真空状態とするための真空機構９と、を備える。真空ボックス５には大気開放するための蓋部材８が設けられている。ゲートバルブ６は支持アーム７及びフィラメント３が通過可能な開口部１４を有している。支持アーム７は、先端に設けられたフィラメント３を、開状態のゲートバルブの開口部１４を通過させて真空ボックス５とプラズマ生成容器４との間を移動させるように真空ボックス５に設けられている。 （もっと読む）

可動マウント（１１２、１１４）に取り付けられた少なくとも１つの電極（１０２、１０４、１０６）を備える、イオンビーム加速装置（１００）。
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【課題】プラズマシースの形成を調節可能なプラズマシース制御器を備えるイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム装置は、プラズマチャンバを備える。前記プラズマチャンバの一端にグリッドアセンブリ４９が配置される。グリッドアセンブリ４９は、第１イオン抽出口４９Ｈを備える。前記プラズマチャンバとグリッドアセンブリ４９との間にプラズマシース制御器４１及び４１‘が配置される。プラズマシース制御器４１及び４１‘は、第１イオン抽出口４９Ｈよりも小さい大きさの第２イオン抽出口４１Ｈを備える。この装置によると、プラズマシース制御器４１及び４１‘と平行な所にプラズマ表面を提供することができる。これによって、高いイオンフラックスを有するイオンビームを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】加工物表面を損傷することなく荷電粒子で加工物を照射し処理する方法を提供する。
【解決手段】クラスタイオンビーム１０８を生成するクラスタイオン源１０２を使用して加工物１１２を処理する。クラスタイオンは同じ電荷をもつ単一のイオンと同じエネルギーを有するが、クラスタを形成する原子または分子は粒子当たりのエネルギーが低いので加工物の表面の数ナノメートル内に損傷を限定する。クラスタイオンはフラーレン、ビスマス、金、またはＸｅをを含む。クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。好ましくは別の荷電粒子ビームを生成するカラム（電子ビームカラム１０６または集束イオンビームカラム）を備え、画像化、エッチング、堆積等の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを使用する半導体装置を提供する。
【解決手段】この装置によると、基準電位Ｖｒが印加される壁部１０２とプラズマが生成される内部空間とを備えるプラズマ処理室１０６と、プラズマ処理室１０６に隣接してプラズマからイオンビームを誘導する複数のグリッド１２０、１２５、１３０を備える。各グリッド１２０、１２５、１３０はイオンビーム１１５が通過する複数の誘導孔１２２を有し、グリッド１２０、１２５、１３０の中でプラズマに近い一番目のグリッド１２０には基準電位Ｖｒと同じ電位が印加され、グリッドの中でプラズマから一番遠く離れた最後のグリッド１３０には基準電位Ｖｒと異なる電位Ｖｅが印加される。これによって、プラズマ処理室１０６の壁部１０２と一番目のグリッド１２０との電位差が０になる。その結果、極めて安定性が高いプラズマが確保できる。 （もっと読む）

イオン源供給材料を供給する技術を提供する。特定の代表的な一実施例では、この技術を、イオン源供給材料を供給するコンテナとして実現しうる。このコンテナは、イオン源供給材料を予め充填するための内部空所を有しうる。このコンテナは、ノズルアセンブリを介してイオン源室に結合される対応のハウジング内に、取り外し自在に装填されるように構成された外側体をも有しうる。このコンテナは更に、予め充填されたイオン源供給材料を封止するための出口を有することができ、この出口は更に、前記ノズルアセンブリと係合して、前記内部空所と前記イオン源室との間に流路を形成する構造となっている。コンテナは使い捨て素子として構成しうる。
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【課題】放電管の内部表面でのプラズマ損失を低減できるプラズマ源，それを用いた高周波イオン源，負イオン源，イオンビーム処理装置，核融合用中性粒子ビーム入射装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁物で構成された放電管５と、放電管５の周囲に配置されたコイル３とを有する。コイル３に高周波を印加することで、放電管５の内部にプラズマを生成する。導体であるファラデーシールド４は、放電管５とコイル３の間に設置されるとともに、複数のスリット４Ｓを有する。複数の永久磁石６は、複数のスリットの間であって、ファラデーシールド４の外側に設置され、放電管５の内部に多極磁場Ｂを生成する。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 （もっと読む）