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国際特許分類[H01J27/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | イオンビーム管 (482) | イオン源;イオン銃 (482)

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好ましくは、チタニアまたはジルコニアを備える生体適合性材料製の骨に埋入可能な医療機器は、骨をより統合し易くするように改変された表面を少なくとも一部分備えている。埋入可能な機器は、骨形成誘発剤を注入した表面を組み込むことができ、および/または治療薬を装填された穴を組み込むことができる。注入面および/または穴は、取り込まれる骨形成誘発剤および/または治療薬の分布および量を決定するようにパターン成形することができる。治療薬の放出または溶出速度プロファイルは制御することができる。このような骨に埋入可能な医療機器の製造方法も開示され、骨統合を向上させるためにイオンビーム照射、好ましくはガスクラスタイオンビーム照射の使用を採用する。 (もっと読む)


【課題】電子分光法及び電子分光を行う装置に関する。特に、試料から表面層を選択的に除去するために用いることのできる電子分光用イオン源に関する。
【解決手段】電子分光装置2は内部に試料台6を設置した超高真空容器4を備える。イオン銃8は超高真空容器4内に伸びており、多環式芳香族炭化水素イオンビーム10を供給する。イオンビームは使用の際、試料台の上の試料に向けられる。光子源12は、使用時に試料上に投射する光子ビーム14を供給するのに適合している。真空容器4の内部には光電子分光器16が設置され、使用時に試料から放射される電子18を検出する。 (もっと読む)


【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極に印加する電圧について、イオンビームの偏差角度および発散角度の両方を小さくするのに適した電圧を、短時間でかつ容易に決定することができる方法を提供する。
【解決手段】 第1〜第3電極11〜13に印加する電圧をV1 〜V3 、V1 −V2 を差電圧V12、V2 −V3 を差電圧V23とすると、電圧V1 を所要の電圧に設定する。差電圧V12を変化させて、イオン源2から引き出されるイオンビーム20のビーム電流を測定して、そのピーク値およびその時の差電圧V12を求める動作を、差電圧V23を所定の範囲内で所定の電圧刻みで変えて行う。上記ピーク値の比較を行って、ピーク値が最大となる時の差電圧V12を求めてそれをV12P とする。0<V12≦V12P を満たす範囲内で、電圧V1 は変えずに、電圧V2 と電圧V3 の組み合わせを変化させて、イオンビーム20の偏差角度を測定する。そして、偏差角度が最小となる電圧V2 と電圧V3 の組み合わせを決定する。 (もっと読む)


内壁が設けられるとともにイオン化されるガスを含むように構成されたイオン化チャンバ(3)と、イオン化チャンバ(3)内に配置されたフィラメント(13)と、フィラメントへの電圧印加用の電源(19)とを含むフィラメント放電イオン源(1)であって、フィラメント(13)は実質的に互いに平行に配置されるとともに内壁を介して電源(19)に接続され、少なくとも1つの第1のフィラメントが第1の内壁を介して電源に接続されるとともに少なくとも1つの第2のフィラメントが第1の内壁と対向する第2の内壁を介して電源に接続される、イオン源である。 (もっと読む)


【課題】オフされているグリッドからのビームの漏洩を抑制し、更にニュートラライザが良好な中和効果を有する荷電粒子照射装置、これを用いた周波数調整装置及び荷電粒子制御方法を提供する。
【解決手段】イオンガン11は、ガス導入部114よりArガスを本体111内に導入し、フィラメント113とアノード112との間で直流熱陰極放電をおこし、Arのプラズマを生成する。次に、2つ分割された構成を有する、分割加速グリッド116a、116bに、イオンを射出する方向に電圧勾配を与えて、イオンを射出させる。イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド117に負電圧を印加する。これにより、停止している側のグリッドからのイオンビームの漏洩を抑制し、更にニュートラライザの中和効果を良好とすることができる。 (もっと読む)


【課題】イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、効率よくイオン照射処理を施すことができる寿命の長いイオン照射装置を提供する。
【解決手段】電子源20A を物品Wのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源20A におけるフィラメント2a、2a’、2a”は、電子源20A の全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。フィラメントは、互いに逆向きの電流が流れるように平行又は略平行に接近する対部分をフィラメントの各端部寄りに含むように屈曲配置し、或いは、少なくとも一組の互いに隣り合うフィラメントについて、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する部分からなる対部分をフィラメントの両端部寄りに含ませる。かかる電子源から放出させた電子をチャンバ1内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Wに照射する。 (もっと読む)


【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Sには、基板Sの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源3からラジカルが供給され、基板Sの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源4から中性粒子ビームNBが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Sを加工する際に、基板Sのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Sの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームNBによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームNBによって補完し、基板Sの加工面を平らにすることができる。 (もっと読む)


ガス反応チャンバを含むイオン源が開示される。本発明は、供給材料をガス反応チャンバに供給することにより、ガス状供給材料を四量体、二量体、他の分子種または他の原子種に変換する方法を含む。この供給材料は、イオン源に供給される適切なガス種に変換されてイオン化される。より具体的には、ガス反応チャンバは、AsH、PHのようなハイドライド材料および他の供給材料をガス状態で受け入れるように構成され、また、イオン注入で用いるための様々な分子種および原子種を生成するように構成される。本発明の一実施形態において、ガスは相対的に均一に加熱され、生成される分子種および原子種の相対的に正確な制御を提供する。本発明の代替実施形態において、ガス反応チャンバは、供給ガスを注入で必要な異なるソースガス種に変換する、たとえばハイドライドを四量体分子に変換する、ために触媒表面を用いる。本発明の他の実施形態において、ガス反応チャンバは、適切な材料の存在下で、触媒(熱分解)反応が生じるように構成される。適切な材料はたとえばガラス、または、W、Ta、Mo、ステンレス鋼、セラミック、ボロン窒化物、他の耐熱性金属、を含み、また適切な温度まで上昇される。 (もっと読む)


【課題】高温でもクランプ力の低下が少なく、クランプ力の再生も容易で、フィラメントの保持や位置調整の作業性が良いフィラメント保持構造を提供する。
【解決手段】フィラメント保持構造は、溝を挟んで板厚方向に二つに分かれている部分の両方の相対応する位置に、フィラメント50を通すフィラメント穴96、支点部材110を通す支点部材穴98を有しているフィラメント導体90と、それの溝内に位置している部分102に、フィラメントを通すフィラメント穴、支点部材を通す支点部材穴を有しているフィラメントクランパー100と、上記穴に通された支点部材と、ボルト112及びナット114とを備える。フィラメント導体90及びフィラメントクランパーのフィラメント穴にフィラメントを通し、ボルト及びナットでフィラメントクランパーを締め付けて、フィラメントにせん断方向に力を加えてフィラメント導体90に保持する。 (もっと読む)


【課題】既存のSIMS用イオンビーム発生技術においては、イオン種がほぼ3種類(C60、Au、Bi)に限定されているのが現状であり、より大きな分子量を有するイオン種を生成できるイオンビーム源が求められている。また、従来のクラスターイオンビーム発生装置は、プラスの電荷を有する正イオンビームのみを生成するタイプがほとんどであり、負イオンのクラスターイオンビーム源が望まれていた。
【解決手段】本願発明においては、「イオン液体」を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させ、必要なイオンのみをイオン源内部に輸送する構造とした。 (もっと読む)


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