【課題】イオン注入システムと、Ｎ型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。例えば、注入中に、Ａｓ₄Ｈ_x⁺クラスターとＢ₁₀Ｈ_x又はＢ₁₀Ｈ_x⁺クラスターとは、それぞれＡｓ及びＢドーパントの供給源として使用される。イオン注入システム（１０）は、半導体素子製造のための半導体基板内へのクラスターイオンの注入に関して説明される。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム抽出装置において、スリットの形成されたグリッドに印加される電圧を調節しイオンビームの方向と強度を調節することによって、ウエハに対するエッチング率の均一性を改善し半導体素子の生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビーム抽出装置は、プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、該イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧を制御してイオンビームの方向を調節するグリッドと、を備える。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化及び真空チャンバー内の真空度の低下を防ぎ、クラスターの崩壊を抑える。
【解決手段】ガスを噴出して断熱膨張させクラスターを生成するノズル５を、スキマー４で仕切られたクラスター生成室２に配置し、生成したクラスターをイオン化装置２０にてイオン化させる。イオン化装置２０は、ノズル５から噴出してクラスター生成室２に滞留するガスを用いて、プラズマ１０を発生させるプラズマ発生部２１を有する。そして、ノズル５により生成されたクラスターとプラズマ発生部２１により発生させたプラズマ１０とを衝突させてクラスターをイオン化させる。 （もっと読む）

【課題】開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】ガス制御装置１０であって、可変流量バルブ４１を備え、チャンバー１に流入するガスの流量を設定流量となるように制御するマスフローコントローラ４と、前記マスフローコントローラ４の上流に設けられる１次側バルブ６と、前記マスフローコントローラの下流に設けられる２次側バルブ７と、を具備し、前記チャンバー１へのガスの流入を止めるガス閉処理時において、前記マスフローコントローラ４、前記１次側バルブ６、前記２次側バルブ７をこの順で全閉させる、又は、前記１次側バルブ６を全閉させてから第１所定時間以内に前記マスフローコントローラ４を全閉させ、その後に前記２次側バルブ７を全閉させる制御部８を備えた。 （もっと読む）

本発明は組織の外科的移植方法を提供する。この方法は、ドナーから移植片組織を外移植するステップと、移植片組織の少なくとも第１の部分にイオンビームを照射するステップと、ガスクラスターイオンビームが照射された移植片組織をレシピエントに外科的移植するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを増大させることなく行うことができ、かつ表面を汚染させず、クリーンな表面状態を保つことができる固体表面の封孔処理方法を提供する。
【解決手段】固体表面の孔や溝の周囲から、孔や溝に向かって固体表面の構成物質を移動させることができる臨界照射角度より大きな照射角度で、ガスクラスターイオンビームを少なくとも孔や溝の周囲に照射することにより、ピンホール状の孔や溝状の傷などを有する固体表面の封孔処理を行う。 （もっと読む）

【課題】耐用年数を増加し、機器の停止時間を減少させるイオンビームを生成する方法および装置を提供すること。
【解決手段】イオン源（４００）の耐用年数は、反応性ハロゲンガス（ＦまたはＣｌ）を使用して、イオン源（４００）および引出し電極（４０５）のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第１イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第１イオン源にＦイオンまたはＣｌイオンを供給する。 （もっと読む）

【課題】低いエネルギーを有しながらも電流密度が充分に高いイオンビームを生成し、少ない損失で長い距離を輸送できるビーム生成装置及び輸送装置を提供する。
【解決手段】ビーム生成装置は、高エネルギー、且つ高電流密度を有するビームを引き出す多重引出口を有するプラズマ電極１１とビーム引出電極１２とを含むイオン源１０と、多重口構造の第１減速電極２０と、ビームを集束する多重口構造の静電レンズ３０と、ビームを再び減速させながら、前記ビームの最終エネルギーを制御する多重口構造の第２減速電極４０とを含む。また、ビーム輸送装置は、前記生成装置によって生成されたビームを輸送する装置であって、前記第２減速電極４０の下流に多重口構造のイオンビームレンズ５０を一定間隔で繰り返し配置することにより、ビームが移動する間、ビームの空間電荷による広がりによる損失を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスの回数を少なくかつ故障を少なくした引出電極用マニピュレータを提供すること。
【解決手段】本発明の引出電極用マニピュレーター・システムは、同軸配置された支持管システムの内側支持管248によって支持される抑制電極210と、前記同軸配置された支持管システムの外側支持管246によって支持されている接地電極212と、前記同軸配置された支持管システムの遠方端に位置して、前記支持管システムを機械的に支持し、かつ高電圧真空フィードスルーとして作用する高電圧インシュレータリング211とを含む。この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの入射エネルギー分布の変化を抑制可能なイオンビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマの生成空間を規定するプラズマ室と、複数の第１貫通孔６ａを有する第１グリッド１２、第１グリッド１２を挟んで生成空間の反対側に配置され、複数の第１貫通孔６ａのそれぞれに連通する複数の第２貫通孔６ｂを有する第２グリッド１４、複数の第１貫通孔６ａの中の第１連通孔６Ａ及び複数の第２貫通孔６ｂの中の第２連通孔６Ｂにそれぞれ嵌合するように両側に突出した突起部５２、５４とを有するスペーサ２を備え、生成空間に面し、プラズマ中のイオンを引き出す引出電極１０と、引出電極１０に面し、生成空間から引き出したイオンにより処理される基板を載置する基板台とを備える。 （もっと読む）