【課題】本発明は、カーボンナノチューブ針及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ針は第一端及び第二端を含む。前記第二端において、一つのカーボンナノチューブが他のカーボンナノチューブより外部へ延伸している。本発明のカーボンナノチューブ針の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体と、第一電極と、第二電極と、を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する両側を、それぞれ前記第一電極及び第二電極に接続させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を有機溶剤で浸漬させて複数のカーボンナノチューブ糸を形成させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ糸の対向する両端に電圧を印加して、前記カーボンナノチューブ糸を焼き切って、複数のカーボンナノチューブ針を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子線の放出電流量を安定化するために、第１引出し電極に印加する電圧を制御しても、電子線の軌道の変動を抑えることができる電子線装置を提供する。
【解決手段】電子線装置は冷陰極型電界放出電子銃を有する。冷陰極型電界放出電子銃は、冷陰極と第１引出し電極と第２引出し電極とを有する。冷陰極と第１引出し電極の間の距離を、第１引出し電極と第２引出し電極の間の距離と比較して短く設定する。冷陰極から放出される電子線の電流量が減衰したとき、第１引出し電極に印加する電圧を増加する。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】 電界放射型電子源での電力損失をなくし、電界放射型電子源を用いる装置の省電力化及び小型化を可能にする電子流制御方法を提供する。
【解決手段】 電界が印加されることにより電子を放出する電界放射型電子源において、ターゲット３に対し電子流を放出するエミッタ１１の周囲に導電性材料１２を配置し、該導電性材料１２にエミッタ１１に対して負の電圧を印加することにより、ターゲットに供給する電子流を制御する。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子放射陰極を安定に把持し、微小ビームを長期間安定に取り出すことが可能な電子源構造体及び電子源構造体駆動装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る電子源構造体は、少なくとも、ダイヤモンドからなる電子放射陰極と、前記電子放射陰極を把持する一対の導電性支柱と、前記導電性支柱を貫通して前記電子放射陰極を把持する応力を発生させるための金属ネジ及びナットと、前記金属ネジおよびナットが貫通し、前記金属ネジおよびナットと前記導電性支柱との間の電気的絶縁を保つための絶縁碍子と、前記導電性支柱を固定するための一対の電極端子と、前記端子を具備する絶縁体と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３次元の微細構造体の製造に適した３次元の微細構造体製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細構造体製造方法は、凹版に先端材料を充填し、該先端材料を基体へと転写させることを特徴とする。本発明の構成によれば、凹版と基体のアライメントを取ることにより、基体に対して精度良く特定位置のみに選択的に先端材料を転写することが出来る。また、凹版に充填する先端材料の量の多寡により、微細構造体の高さなどの形状を制御することが出来る。 （もっと読む）

【課題】高分解能、高スループットのマルチビーム検査装置を実現するために、ラングミュア限界を越える高輝度、かつ高エミッタンスのビームを得る。
【解決手段】電子銃は平面のカソード、引出し電極又はアノード、及び円錐の一部の形状のウエーネルト電極を有し、電子銃電流Ie(mA)をカソード・アノード間距離Dac(mm)との関係により次の範囲とする。0.388/Dac-0.046≦Ie≦92.8/Dac+9.28、Dac≧3mm、あるいは、0.388/Dac-0.046≦Ie≦22/Dac+32.7、Dac＜3mm。又は、電子銃電流Ie(mA)をカソード半径との関係により数値限定（数式省略）する。輝度Ｂとカソード電流密度Ｊｃの関係は、シミュレーション値５７１（破線）と実測値５７２が比較的良く一致し、かつ輝度はラングミュア限界５７３を超えている。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出が得られると共に、電子線の細径化を図ることができる電子放出素子、電子源、電子線装置、及びこのような電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。デポジション膜６０は、カーボンによって形成され、電子源１０の使用状態における電子放出部４８の昇温に対して十分に高い融点を有しているため、突起部５６と基部５２との強固な接合が保たれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の光軸を有する電子光学系で高スループットにパターン形成或いは試料の評価を行う装置では、電子銃を高輝度にすることが困難であった。
【解決手段】パターン形成あるいは試料の評価を行う装置に用いられる電子銃に於いて、カソード、第１アノード、第２アノード、ウエーネルト電極を有し、ウエーネルト電極及び第１アノード電極を円錐台形状とし、光軸からウエーネルトの角度をθｗ、光軸から第１アノードまでの角度をθa とした時、
４０．１°＜θa＜９０°あるいは４８．６°＜θｗ＜１４９°
とすることにより図１２に示した様にLangmuir限界を超える輝度を得た。 （もっと読む）