【課題】電子顕微鏡や加速器に用いることができる、磁気特性の耐久性に優れて、且つ、室温動作可能なスピン偏極電子源を提供する。
【解決手段】スピン偏極電子源として、フェリ磁性体の酸化鉄ウィスカーを用いる。特には、当該フェリ磁性体の酸化鉄の種類が、マグネタイト又はマグヘマイトであり、ウィスカーの直径が、１０ｎｍ〜２μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドからなる電子放射陰極を加熱した際に、脱ガスの少ない電子源モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンドからなる電子放射陰極と、前記電子放射陰極を把持する一対の導電性支柱と、前記導電性支柱と前記電子放射陰極の間に配置されるブロックと、を有し、前記ブロックが、表面の少なくとも一部に耐熱性被覆層が形成されたグラファイトからなる電子源モジュールである。耐熱性被覆層としてはダイヤモンドが好適であり、前記ブロックのグラファイトとしてはパイロリティックグラファイトが好適である。 （もっと読む）

【課題】陰極先端の周囲の真空度を高真空度にて正確に管理することができる電界放出型電子銃及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】初期減衰期間を測定することによって、陰極先端の周囲の真空度が十分に高いか否かを判定する。陰極先端の周囲の真空度が十分に高い場合には、電界放出を行い、安定期間に電子ビームを使用する。陰極先端の周囲の真空度が十分に高くない場合には、ベーキングを実施し、陰極先端の周囲の真空度を更に高くする。 （もっと読む）

【課題】電子線及び電子ビーム機器や真空管、特に、電子顕微鏡や電子ビーム露光機に使用される、ダイヤモンドを用いた高輝度でエネルギー幅が狭いダイヤモンド電子源の提供。
【解決手段】柱形の単結晶ダイヤモンドを用いた電子源であって、電子放出部１１と通電加熱部１２とで構成され、該電子放出部は柱の端面に高さ１０μｍ以上且つ先端曲率半径５μｍ以下の先鋭突起を一ヶ所にのみ有し、該電子放出部の単結晶ダイヤモンド中に最も多く含まれる不純物は窒素であって該窒素の濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、該通電加熱部の室温（２５℃）端子間抵抗は５００Ω以下であるダイヤモンド電子源。 （もっと読む）

【課題】エミッション電流の長期的な安定化が可能で、高歩留まりな電子放出素子，電子銃、それを用いた電子顕微鏡装置及び電子線描画装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、炭素と化合物を形成する金属元素を少なくとも１つ含有する金属基材の表面の少なくとも一部に、グラフェン構造の炭素被膜２０７を有している。また、電子放出素子は、炭化物層あるいは炭素−金属固溶体層を有する金属基材の表面の少なくとも一部に、グラフェン構造の炭素被膜を有している。 （もっと読む）

【課題】
簡便に電子ビームの高品質化を図ることができる電子銃、電子顕微鏡、及び電子発生方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる電子銃１００は、レーザ光が入射してきた方向に向けて電子を放出する電子銃であって、レーザ光源と、前記レーザ光源からのレーザ光が入射し、入射光が全反射を繰り返しながら内部を伝播する中空の導光部材と、前記導光部材から出射した光を屈折する中空のレンズと、前記レンズによって屈折されたレーザ光が入射するフォトカソードと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はナノチップエミッタ作製方法に関し、単一若しくは複数個の原子をエミッタ先端部に配置する手法を実現することを目的としている。
【解決手段】タングステンエミッタ１の外側の結晶面から内側の結晶面へと順次高い電圧から低い電圧を引出電極５に印加し、その都度各結晶面で電界蒸発を行なうように構成する。この構成によれば、エミッタへの印加電圧を印加制御を行なうことにより、（１１１）面内の［１１１］軸上に単一若しくは３個若しくは６個の原子を配置したイオン源とすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。
【解決手段】基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。この結果、励起される電子のスピン偏極度と偏極電子の外部量子効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】製造を簡略化し、かつ、長寿命化を実現できる電子源及び電子源の製造方法を提供する。
【解決手段】電子源１は、第１の金属に第２の金属を添加した金属線２を用い、前記金属線２を熱処理して第２の金属を金属線２の先端2aに析出させて針部３を形成することとしたから、再度熱処理して第２の金属を析出させて、新たに針部３を形成することができる。従って、電子源１では、経時使用によって、針部３が磨耗、損傷した場合でも、熱処理をするだけで針部３を容易に再生することができる。これにより、電子源１は、容易に長寿命化を実現することができる。 （もっと読む）