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国際特許分類[H01J37/244]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 細部 (4,344) | 検出器;関連の構成要素またはそのための回路 (320)

国際特許分類[H01J37/244]に分類される特許

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【課題】本発明は、試料表面の高分解能かつ高コントラストな凹凸像を得ることを特徴とする走査型電子顕微鏡を提供するものである。
【解決手段】一次電子線を加速させるための正の電圧を印加すること、かつ、対物レンズの上部に、電界シールド板、または、磁界シールド板、または、電磁界シールド板を配置する。このような構造を有する走査型電子顕微鏡を用いて、試料像を得る。 (もっと読む)


【課題】広視野、高分解能、高効率検出、均一検出効率の走査型電子顕微鏡を低コスト省スペースで提供する。
【解決手段】電磁界複合対物レンズ210内に配置された試料6に電子線を走査して照射し、発生した2次電子を衝突させるターゲット290と、負の電位を有しターゲット290を介した2次電子を追い返す追返電極250と、2台の2次電子検出器220を備える走査型電子顕微鏡200において、ターゲット290は下側に向け窄まる略円錐形状のターゲット面として外周面295を備えると共に上下に貫通する電子線通過孔297備え、2次電子を外周面295に高い効率で衝突可能とすると共に2次電子検出器220からの電界を遮蔽する防電体としての役割を果たすものとした。 (もっと読む)


【課題】試料表面のスピン状態分布を高精度に分析するための電子スピン分析器を提供する。
【解決手段】試料Wから放出される二次電子を入射方向に対して横方向に走査する走査偏向器5a、5bを通してパルス化された二次電子を放出するパルスゲートユニット4と、パルスゲートユニット4から出る二次電子を加速させる加速ユニット7と、加速ユニット7から出た二次電子を照射するターゲット8と、ターゲット8の周囲に配置される電子スピン検出器15a〜15dと、電子スピン検出器15a〜15dから出る二次電子を受けるコレクタ10bとを有する。 (もっと読む)


【課題】走査電子顕微鏡としての機能と真空紫外発光検出の機能を両立させた、簡便で小型化された一体型の高性能の電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】フィールドエミッション方式或いはフィラメント方式の電子線源を有する走査電子顕微鏡に加えて、真空紫外発光材料を低真空雰囲気に保持して電子を照射する低真空試料室、該発光材料から発光した真空紫外線を含む光を集光する集光ミラーを有する集光伝送部、並びに真空紫外線を検出するための回折格子などの分光器およびCCDや光電子増倍管などの検出器からなる分光装置を具備し、該集光伝送部が集光ミラーにより集光された真空紫外線を含む光を窒素ガスなどの雰囲気下に直接分光装置に伝送する集光伝送部であることを特徴とする電子線励起真空紫外線を検出する機能を兼ね備えた走査電子顕微鏡。 (もっと読む)


【課題】電位状態に伴う走査領域の歪曲や電位の深さを適切に補正し、電位分布をミクロンオーダーの高分解能で、短時間で測定する表面電荷分布の測定方法および表面電荷分布の測定装置を得る。
【解決手段】表面電荷分布を有する試料の裏面に既知である電極電位を与えて荷電粒子ビームを走査し、試料の表面電荷分布を測定する。既知である電極電位を、解析対象となる空間に導体および誘電体の構造体モデルによる幾何学的配置と試料上の未知なる電荷密度を境界条件として、見かけの電荷密度に変換させる処理を行い、変換された見かけの電荷密度を用いて空間電界を決定することで電子軌道シミュレーション計算データを算出し、この計算データを、計測された検出信号データと照合しながら試料上の電荷密度を決定して、表面電荷分布を計測する。 (もっと読む)


【課題】粒子ビームを用いて試料の構造に関する情報を得るための検査方法において、試料から放出された電子およびx線から試料に関する情報を得ることができる検出方法および検査装置を提案する。
【解決手段】検査方法は、試料に粒子ビームを集束するステップと、試料に隣接して配置した少なくとも1つの検出器を作動するステップと、少なくとも1つの検出器によって生成した検出信号を異なった強度間隔に割り当てるステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射した電子に関連した少なくとも1つの第1信号成分を決定するステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射したX線に関連した少なくとも1つの第2信号成分を決定するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】入射加速粒子および高エネルギ放射線に耐えることのできるモノリシックセンサを提供する。
【解決手段】加速電子検出器はCMOS構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板(10)と、エピ層(11)と、p+ウェル(12)と、エピ層(11)によってp+ウェル(12)から分離されたn+ウェル(13)とを含む。p+ウェルには複数のNMOSトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がn+ウェル(13)にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いn領域(15)をp+ウェル(12)の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 (もっと読む)


【課題】電子線鏡筒の先端部からの絞り部材の着脱動作を、単純な動作及び簡易な機構によって自動的に行うことのできる電子線装置を提供する。
【解決手段】基端側に位置する電子線源から放出された電子線5を先端側から放出する電子線鏡筒1と、電子線鏡筒1の先端側に接続された試料室2と、試料室2内において、電子線鏡筒1の先端部に着脱可能に配置される絞り部材とを備えた電子線装置において、電子線5の進行方向に沿う所定の平面に沿って絞り部材を回動動作させ、これにより電子線鏡筒1の先端部に対して絞り部材を着脱可能とするための回動機構20を設ける。 (もっと読む)


【解決手段】1つの実施形態は、荷電粒子エネルギー分析器装置に関する。第1のメッシュは、第1の側部上で荷電粒子を受け取り、荷電粒子を第2の側部に受け渡すように配列され、第1の電極は、第1のキャビティが第1のメッシュの第2の側部と第1の電極との間に形成される。第2のメッシュは、第2の側部上で荷電粒子を受け取り、荷電粒子を第1の側部に受け渡すように配列され、第2の電極は、第2のメッシュの第1の側部と第2の電極との間に第2のキャビティが形成される。最後に、第3のメッシュは、第1の側部上で荷電粒子を受け取り、荷電粒子を第2の側部に受け渡すように配列され、位置検知荷電粒子検出器は、荷電粒子が第3のメッシュを通過した後に、荷電粒子を受け取るように配列される。 (もっと読む)


本発明は、(a)支持構造体(108)の第1の面上に配置されている第1の材料層(110)であって、この第1の材料層はこれに入射荷電粒子(104)が当るのに応答して二次電子を発生するように構成されているとともに、開口(112)を有しており、この開口は入射荷電粒子の一部がこの開口を通過するように構成されている当該第1の材料層と、(b)支持構造体の第2の面上に前記第1の材料層から例えば、0.5cm以上の距離だけ離間されて配置されている第2の材料層であって、この第2の材料層は、荷電粒子が前記開口を通過してこの第2の材料層に当るのに応答して二次電子を発生するように構成されている当該第2の材料層とを具える装置、システム及び方法を提供するものであり、装置は荷電粒子検出器とする。
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