【課題】注入した導電性不純物により形成される結晶欠陥の密度を低減し、歩留まり率が向上するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板を加熱することにより、半導体基板の基板温度を２００から５００℃の間の所望の温度に維持すると同時に、半導体基板に導電性不純物をイオン注入法もしくはプラズマドーピング法を用いてドーピングし、ドーピングした導電性不純物を活性化させるための活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップと、基板の上にプラズマを生成し、プラズマによって生成される光を基板を通って伝送するステップであって、ここで光は、基板の表側に入り、裏側から出る、ステップと、基板の下に位置決めされるセンサーによって光を受け取るステップとを包含する。さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 （もっと読む）

【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子１７に衝突するため、フラーレン分子１７が大きく変形し、フラーレン分子１７の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子１７のケージの中に入る確率が高くなる。 （もっと読む）

本発明は、チャンバ内で磁界を生成するためのコイル構造を備える真空処理チャンバに関するものであり、コイル構造は少なくとも１つの第１の部分コイルと第２の部分コイルとを含んでおり、第１の部分コイルと第２の部分コイルは、第１のコイルの少なくともそれぞれ１つの部分区域が第２のコイルの部分区域の形状を実質的に引き継ぐように、断面で見て相並んで特に１つの平面に位置しており、第２の部分区域に対する第１の部分区域の間隔は少なくとも場合により小さいほうの部分コイルの断面よりも小さいオーダーである。
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イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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この方法は、プラズマドーピング、プラズマ堆積およびプラズマエッチング技術においてプラズマ組成を調整するために用いられる。開示された方法は、プラズマ中の電子エネルギー分布を改良することによりプラズマ組成を制御する。超高速電圧パルスによりプラズマ中で電子を加速することで、高エネルギー電子がプラズマ中で生成される。パルスは、電子に影響する程度には長時間だが、イオンに大きな影響を与えるには早すぎる。高エネルギー電子およびプラズマ構成物質の衝突の結果、プラズマ組成が変化する。プラズマ組成は、使用される特定目的の要求に適合するように最適化され得る。これはプラズマ中のイオン種の比率の変化を伴い、イオン化対解離の比率を変化させ、またはプラズマの励起状態集団を変化させる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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反応ガス発生器においてプラズマに点火する、および／またはこれを維持するための、コンピュータ・プログラム生産物を含む、方法および装置について記載する。点火電源からプラズマ点火回路に電力を供給する。プラズマ点火回路の早点火信号を測定する。測定された早点火信号および調節可能な早点火制御信号に基づいて、プラズマ点火回路に供給される電力を調節する。調節可能な早点火制御信号は、ある時間期間が経過した後に調節される。 （もっと読む）

本発明による大面積プラズマ処理装置は、複数の相互接続した基本共鳴メッシュ(M1,M2,M3)を有する少なくとも1つの平面アンテナを有する。各メッシュ(M1,M2,M3)は、少なくとも2つの導電性脚部(1,2)及び少なくとも2つのキャパシタ(5,6)を有する。高周波発生装置は、前記アンテナを該アンテナの共鳴周波数のうちの1つにまで励起する。処理チャンバは前記アンテナ(A)に近接して設けられる。前記アンテナ(A)は、明確に定められた空間構造を有する電磁場パターンを発生させる。これにより前記プラズマの励起を顕著に制御することが可能となる。
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プラズマプロセスキット及びそのコンポーネント（図２参照）を損傷を与えることなく維持する技術及びシステムを開示する。具体的には、プラズマドーピング（ＰＬＡＤ）システムの汚染されたキットのコンポーネントを、それらの寿命及び再利用を長くするために、精密洗浄し回復させる技術を開示する。開示の方法は石英、アルミニウム及び／又は氏からなるコンポーネントの検査、前洗浄、機械的処理及びテクスチャ化、後洗浄、クリーンルームクラス洗浄及び包装の段階を踏む。開示の技術は所望の清浄度レベルを達成するために（主として化学的及び機械的）種々の手段の組み合わせを利用する。誘導結合プラズマ−質量スペクトロメータ（ＩＣＰ−ＭＳ）及びレーザ粒子カウンタを含む方法により得られた結果から、これらの技術の有効性が確かめられた。
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