【課題】理論から一貫してデバイスのＩＶ特性を予測でき、特にナノオーダーサイズの微小デバイスの特性予測に好適に用いることができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】本発明のシミュレーション装置は、前記デバイスの原子構造モデルを作成する原子構造作成部２１と、前記原子構造モデルにおける電子構造計算を実行する電子構造計算部２２と、前記電子構造に基づき量子効果及び原子構造を反映させて当該デバイスの第１の電流−電圧特性を算出するＩＶ特性計算部２３と、前記計算により得られた第１の電流−電圧特性に対して、電圧補正値による補正処理を実行する補正処理部２４と、半古典近似法を用いて第２の電流−電圧特性を計算するＩＶ特性計算部２５と、前記第１、第２のＩＶ特性を結合する結合処理部２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン上への膜堆積・エッチングなどのプロセスによる形状変化や、デバイス上に混在する異なる段差のパターンを考慮した具体的なＣＭＰシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの表面をＣＭＰにより研磨した後の表面形状を予測するシミュレーション方法において、デバイスの設計ＣＡＤパターンからパターン密度を計算する際に、パターンＣＡＤデータを予め加工するかもしくは計算したパターン密度データを加工することにより、表面形状をより正確に考慮したＣＭＰシミュレーションを実施する。これにより、パターン形成後のプロセス（膜堆積、エッチングなど）によって変化したデバイス表面上の凹凸形状を考慮でき、また、複数の高さの異なる段差を含むデバイスについてＣＭＰシミュレーションが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の物性値や挙動を高い精度で評価する。
【解決手段】 第１電極と半導体層とが絶縁層を挟んで対向する半導体素子の特性を評価するための評価装置であって、第１電極と、半導体層に設けられた第２電極と、の間の容量と印加電圧との関係を実測する実測部１、絶縁層の容量、空乏層の容量、半導体層の容量、半導体層の抵抗が直列接続されているとの仮定に基づき第１電極及び第２電極間に印加される電圧を表したＣ-Ｖ論理式に係る定義情報を格納する記憶部２、絶縁層の容量、空乏層の容量、半導体層の容量、及び半導体層の抵抗のパラメータを設定し、各パラメータにおけるＣ−Ｖ論理式の特性をシミュレートするシミュレーション部３、および各パラメータを任意に設定変更しながら、Ｃ−Ｖ論理式の特性と実測の結果とを比較し、Ｃ−Ｖ論理式の特性が実測の結果に近づくようにＣ-Ｖ論理式の各パラメータを特定するパラメータ特定部４を備える。 （もっと読む）

製造されたリソグラフィマスクを検査し、マスク検査データから物理的マスクデータを抽出し、物理的マスクデータとマスクレイアウトデータとの差に基づいて系統的マスクエラーデータを決定し、系統的マスクエラーデータに基づいて系統的マスクエラーパラメータを生成し、系統的マスクエラーパラメータで個別マスクエラーモデルを作成し、特定のマスクおよび／または特定の投影システムを使用してリソグラフィプロセスのパターニング性能を予測し、パターニング性能を最適化するプロセス補正、したがって最終デバイス歩留まりを予測する方法およびシステムが開示される。
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【課題】インターナルゲッタリングの挙動を正確に、かつ実際の測定を行うことなく、予測できるようにし、インターナルゲッタリング能の評価を正確に、かつ短時間、低コストで行える方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板中の鉄の初期汚染濃度Ｃ_ｉｎｉと、酸素析出物の密度Ｎと、酸素析出物の半径Ｒと、インターナルゲッタリングの熱処理温度Ｔと、インターナルゲッタリングの熱処理時間ｔと、熱処理後にシリコン基板中に残存する鉄Ｆeの濃度Ｃ（ｔ）との間に成立する演算式を用いて、シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測するに際して、酸素析出物の表面において鉄シリサイドの核が発生する過程と、表面に鉄シリサイドの核が発生した酸素析出物によって鉄をゲッタリングする過程を考慮した演算式を加えて、シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内傾向シミュレーションでウェハ面内の出来栄えを予測するときの計算量及び計算時間を低減可能な出来栄え予測装置を提供する。
【解決手段】ウェハ面内を均一メッシュで分割して一連の工程のそれぞれの出来栄えの面内傾向のデータを予測して作成する均一メッシュデータ作成部１１と、データからウェハ面内を不均一に分割する不均一メッシュを一連の工程のそれぞれについて作成する不均一メッシュ作成部１２と、ウェハ面内の特定の領域について不均一メッシュのうち最も細かいメッシュを共通メッシュとして選択する共通メッシュ作成部１３と、一連の工程のそれぞれの出来栄えを共通メッシュで表現する共通メッシュデータ作成部１４と、共通メッシュデータを用いて、一連の工程を経た後の出来栄えを共通メッシュで分割された領域毎に予測する予測部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パワーユニットモデル作成時間の短縮化を図ることや、フロアプランのばらつきを考慮した高精度のシミュレーションを行うことが可能な半導体集積回路の電源電圧分布シミュレーション方法を提供すること。
【解決手段】
ステップＳ１では、デザイン情報（コアサイズＣＳ、コアリング幅ＣＷ、ブロック形状ＢＳ・マクロ形状ＭＳ、ブロック電流ＢＩ・マクロ電流ＭＩ、など）がシミュレータに入力される。ステップＳ２では、フロアプランに関する情報（ブロック位置ＢＰ・マクロ位置ＭＰ、電源Ｉ／Ｏ位置ＩＯＰ）が設計者によってシミュレータに入力される。ステップＳ３では、パワーユニット管理テーブル初期化、抵抗モデリング、電流源モデリングが行われる。ステップＳ５（図１）では、ステップＳ４で得られたパワーユニット管理テーブルＣＴを用いて、スタティックＩＲドロップが計算される。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造用液化ガス供給システムの評価を、高い信頼性で、短時間かつ低コストで行うことができる評価装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造用液化ガス供給システムにおける液化ガスに関する情報、容器に関する情報、加温空気に関する情報、および解析条件の情報を入力するためのデータ入力部１１と、液化ガス供給システムの運転時間に対応する時間を、解析を行うための所定の時間間隔に分ける時間ステップ設定部１５と、データ入力部１１により入力された情報を基に、時間ステップ設定部１５により分割された時間ステップ毎に伝熱解析を行い、容器温度と容器内液相温度を算出する伝熱解析部１３と、伝熱解析部１３により算出された容器内液相温度から液化ガスの液相の熱物性を算出する液化ガス状態計算部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体プロセスシミュレーション装置イオン注入の際にシリコン基板中に導入される転位の輪の物理量を抽出するために用いる透過電子顕微鏡写真画像を取り込む画像データ入力部２００１と、イオン注入工程後の熱処理工程における不純物の拡散に前記イオン注入工程により基板中に導入される転移の輪からの寄与を考慮した拡散モデルを用いて不純物拡散を行うプロセスシミュレーション装置計算部２００２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 三次元シミュレーションと統計学上同等の高精度のシミュレーション結果を短時間で得る。
【解決手段】 デバイスシミュレーション装置は、初期条件設定部１と、半導体デバイス構造を三次元のメッシュ状に分割するメッシュ分割部２と、メッシュ分割された半導体デバイス構造内に参照面を設定する参照面設定部３と、半導体デバイス構造内の不純物濃度を参照面に畳み込んで参照面の不純物面密度を計算する空間分布設定部４と、参照面の不純物面密度を用いて二次元のデバイスシミュレーションを行うシミュレーション部５と、デバイス特性を計算する統計解析部６とを備えている。半導体デバイス構造の三次元的な不純物分布を二次元の参照面上に畳み込んで二次元のシミュレーションを行うため、三次元シミュレーションを行う場合と統計的に有意差がない精度で、三次元シミュレーションを行うよりも高速にシミュレーションを行える。 （もっと読む）