【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品との間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品と間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】厚み精度が均一であり、表面平滑性に優れるとともに、ブロッキング等のない表面滑性に優れた半導体ウェハの表面保護テープ、及び該表面保護テープ用基材フィルムを提供する。
【解決手段】半導体ウェハの表面保護テープ用の基材フィルムであって、ポリエチレン系樹脂を含む層を少なくとも１層有し、下記要件を満たすことを特徴とする基材フィルム：（１）ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠して測定した、該基材フィルムの表裏両面の表面粗さ（Ｒａ）が０．８μｍ以下であり、少なくとも一方の面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以上であり、及び（２）該基材フィルムの厚みの最大値と最小値と差が４μｍ以下、を提供する。また、該基材フィルムと粘着層とを含む半導体ウェハの表面保護テープを提供する。 （もっと読む）

【課題】研磨装置において二枚以上の基板を監視する方法を提供する。
【解決手段】研磨装置において二枚以上の基板を監視する方法が、第１の方向に第１基板を移動させ、監視システムの隣りに配置されたバッファステーション内に当該第１基板を移動させるステップと、第１の方向に直角な第２の方向に前記第１基板を移動させて、第１基板に対して監視プロセスを行うステップと、第２基板を取り出してバッファステーション内に移動させるステップと、第１基板を前記バッファステーションから取り出すステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】 被加工物に発生するクラックを低減することのできる被加工物の切断方法を提供すること。
【解決手段】 第１メインローラ５ａと、これから所定距離を隔てて配置された第２メインローラ５ｂと、これらメインローラ間で複数列に平面状に張られた、表面に砥粒が固着されているワイヤー３とを備えており、第１メインローラ５ａにワイヤー３を供給しながら、第２メインローラ５ｂからワイヤー３を送出するワイヤーソー装置Ｓを用いて、被加工物１の切断開始時に、無負荷状態における複数列のワイヤー３を含む仮想平面１２に対して、被加工物１の第１メインローラ５ａ側に位置する第１面１ａの第１端部２１が仮想平面１２から上方へ離れる方向に第１面１ａを傾斜させるとともに、被加工物１の第２メインローラ５ｂ側に位置する第１面１ａの第２端部２２をワイヤー３に最初に接触させて切断を行なう被加工物の切断方法とする。 （もっと読む）

【課題】上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度を高めて、両面研磨後のウェーハの高平坦度化が可能な両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法を提供する。
【解決手段】ドレッシング時、例えば第１のドレスプレートのリング形状の第１のドレス工具により、上研磨布の研磨作用面のうち、その中央部より隆起した外周部を主にドレッシングする。これと同時に、例えば、第２のドレスプレートの矩形状の第２のドレス工具によって、下研磨布の研磨作用面のうち、その外周部より隆起した中央部を主にドレッシングする。これにより、従来法の等量ドレッシングを施した場合に比べて、上研磨布の研磨作用面と下研磨布の研磨作用面との平行度が高まり、両面研磨後のウェーハの平坦度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】端材のリサイクルが可能な被研磨物保持キャリア材用基材を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂の少なくとも一方と、繊維状充填剤と、の抄造体で構成される被研磨物保持キャリア材用基材であって、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂の少なくとも一方と、繊維状充填剤と、を分散媒に添加し混合することによりスラリーを得る混合工程と、前記混合行程により得られたスラリーを抄造し脱分散媒乾燥することにより抄造シートを得る抄造工程と、前記抄造シートを所定の形状に加工することにより素形体を得る加工工程と、前記素形体を加熱加圧する工程を含むことを特徴とする被研磨物保持キャリア材用基材の製造方法により達成される。 （もっと読む）