国際特許分類[H01L21/31]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787)
国際特許分類[H01L21/31]の下位に属する分類
後処理
有機物層,例.フォトレジスト (1,275)
無機物層, (4,431)
マスクを用いるもの (1)
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286)
国際特許分類[H01L21/31]に分類される特許
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基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。
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膜割れ検出装置及び成膜装置
【課題】処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識することが可能な膜割れ検出装置を提供する。
【解決手段】被処理体Wを収容する処理容器4を有すると共に被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置2に設けられて膜割れ検出操作を行う膜割れ検出装置40において、成膜装置に取り付けられて弾性波を検出する弾性波検出手段42と、弾性波検出手段の検出結果に基づいて処理容器4のクリーニングの要否を判断する判断手段44とを備える。これにより、処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識する。
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化学気相堆積のための装置及び方法
【課題】液体前駆体物質を気化形成するための方法及び装置の提供。
【解決手段】この方法又は装置は、例えば、基板上に膜を形成するための化学気相堆積装置又はシステムの部分として使用することができる。この方法及び装置は、液体前駆体211及び拡散素子232を含むための容器218を準備することを含み、その拡散素子は、その容器の内側断面寸法に実質的に等しい外側断面寸法を有している。
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成膜装置
【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器1内において、BTBASガスが供給される処理領域P1とO3ガスが供給される処理領域P2を、水平面に沿って回転する回転テーブル2の周方向に沿って配置する。前記処理領域P1のBTBASガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル2の外側に設けられた排気口61を設けると共に、この排気口61を覆い、基板載置領域24の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト7を設ける。この排気ダクト7には、基板載置領域24の少なくとも内縁側の位置に第2の排気用開口部が設けられており、第1の処理ガスノズル31から吐出されたBTBASガスは、この第2の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハWの径方向に高い均一性を持ってBTBASガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。
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成膜方法、これを含む半導体装置の製造方法、成膜装置、及び半導体装置
【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第1の電極と、前記第1の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第2の電極と、前記柱状形状を有する前記第1の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第2の電極の少なくとも一部を貫通して前記第1の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。
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薄膜製造方法および薄膜製造装置
【課題】基板面内において均一な膜組成で薄膜を形成することができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、基板中央の温度(第1の温度)よりも基板周縁の温度(第2の温度)を高温に維持して成膜するようにしている。このような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できる高蒸気圧成分の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するガス種の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。
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熱処理装置
【課題】被処理体が大型化した場合であっても、同時に処理すべき被処理体の枚数を抑える必要がない。
【解決手段】熱処理装置1はクリーンルーム1A内に設置される。この熱処理装置1は被処理体Wを収容して熱処理するための処理容器3と、処理容器3の周囲を覆う断熱材16と、断熱材16内周面に設けられたヒータ5とを有する熱処理炉2と、処理容器3の上方の炉口3aを閉塞する蓋体10と、蓋体10に保温筒11を介して吊設され被処理体Wを多段に保持する保持具12とを備えている。熱処理装置1の熱処理炉2のうち、高さ方向長さの大部分は、クリーンルーム1Aの床面F下方に位置している。
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、全体としてコイルをなす銅棒3が、石英ブロック4に接合された石英管12内に配置され、石英ブロック4は、石英管12及び石英管15内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。長尺チャンバのチャンバ内部空間7にガスを供給しつつ、銅棒3に高周波電力を供給して、長尺チャンバのチャンバ内部空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。
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温度検出装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
【課題】経時変化により熱電対素線が断線することや、熱電対接合部の位置ずれを抑制することができる温度検出装置を提供する。
【解決手段】鉛直方向に延在するように設置され鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって前記絶縁管の貫通穴に挿通され前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、前記絶縁管の下方に設けられた空間であって前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持されるように温度検出装置を構成する。
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窒化膜の製造装置及びその製造方法、並びにその製造プログラム
【課題】窒化膜の屈折率及び/又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の1つの窒化膜の製造装置100は、チャンバー30内に配置された基板20上にプラズマCVD法によって窒化膜70(70a)を形成する窒化膜の製造装置100である。具体的には、この窒化膜の製造装置100は、窒化膜70(70a)の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第1高周波電力及び/又は相対的に低い周波数の第2高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び/又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望(応力が0の場合を含む)の窒化膜70(70a)の圧縮応力又は引張応力を得るための第1高周波電力が印加される第1期間と第2高周波電力が印加される第2期間とを算出する制御部39を備えている。
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