国際特許分類[H01L21/31]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787)
国際特許分類[H01L21/31]の下位に属する分類
後処理
有機物層,例.フォトレジスト (1,275)
無機物層, (4,431)
マスクを用いるもの (1)
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286)
国際特許分類[H01L21/31]に分類される特許
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基板処理装置
【課題】大気圧センサ41が誤動作した場合にも処理室204外の大気が処理室204内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。
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固体材料ガスの供給装置および供給方法
【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができること。
【解決手段】 キャリアガスCにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料に溶剤を添加してペースト状に加工し、該溶剤を蒸発除去させて固体試料Sを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスCが供給される供給部1と、供給されたキャリアガスCを分散させる分散部2と、固体試料Sが設置される試料設置部3と、試料設置部3から供出される固体材料ガスGが供出される供出部4と、を有すること。
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複数領域のヒータを大気から隔離する方法
【課題】ヒータアセンブリの内容積が大気に曝され、構成部品の機械的強度が使用中に劣化することを防止する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを処理する方法であって、加熱ディスク116から基部まで広がり、加熱ディスクに接続された少なくとも一つの加熱エレメント112を囲んでいる内容積を有するヒータを含む反応チャンバ108内でウェハを処理するステップ、内容積は反応チャンバから内容積を隔離する密封を有し;ヒータで反応チャンバを加熱するステップ;ヒータ内容積の内部に不活性ガスをパージするステップ;内容積から反応チャンバの外側まで不活性ガスを排出するためヒータ内容積に接続されたガス抜きポートで不活性ガスをガス抜きするステップ;を含む、方法。
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振幅変調された高周波エネルギーを使用してゲート誘電体をプラズマ窒化するための方法及び装置
【課題】二酸化シリコン層及びシリコン基板を窒素イオンで過剰にダメージを生じさせることのないプラズマ窒化プロセスのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のRF電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。
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基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【課題】 基板が収容された処理室内に光を照射して複数枚の基板を連続的に処理する際に、基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ、基板を載置する載置面を備える基板載置部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、基板載置部の載置面に対向する位置に設けられ、処理室内に向けて光を照射する光源を備える光源格納室と、処理室と光源格納室とを気密に隔離する光透過性窓と、光透過性窓の温度を調整する窓温度調整部と、を備える。
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成膜方法及び成膜装置
【課題】膜厚分布や膜質に優れた薄膜を、成膜速度を維持しつつ堆積することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に基板を搬入し、真空容器内に回転可能に設けられた回転テーブルに基板を載置するステップと、回転テーブルを回転するステップと、第1の反応ガス供給部から基板に対して第1の反応ガスを供給し、第1の反応ガスを基板に吸着させる吸着ステップと、第2の反応ガス供給部から基板に対して、第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスを供給し、基板に吸着される第1の反応ガスと第2の反応ガスを反応させて、基板に反応生成物を形成する形成ステップと、第1及び第2の反応ガス供給部からから回転テーブルの周方向に離間して設けられるプラズマ発生部に対して水素含有ガスを供給し、回転テーブルの上方にプラズマを生成するステップとを含む成膜方法が提供される。
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化学蒸着エッチングチャンバから副生成物の堆積物を除去するインサイチュチャンバ洗浄プロセス
【課題】処理チャンバを洗浄するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内の支持部材の中のチャネルへの冷却流体フローを遮断するステップと、支持部材をガス分配プレートの約0.1インチ以内であるように上昇させるステップと、ガス分配プレートを加熱するステップと、熱伝導ガスをガス分配プレートを通って処理チャンバに導入するステップと、を含む前記方法及び装置。一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも部分的に配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。チャンバは、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを更に備えている。リッドアセンブリは、最上部プレートと、それとの間にプラズマキャビティを画成するガス分配アセンブリとを含み、ガス分配アセンブリが基板を加熱するように適合されている。U型プラズマ領域を有するリモートプラズマ源は、ガス分配アセンブリに接続されている。
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プラズマCVD装置
【課題】プラズマCVD装置の電極面積が大きくなると、表面定在波の影響が顕著に現れ
るようになり、ガラス基板に形成される薄膜の膜質や厚さの面内均一性が損なわれるとい
ったことが問題となる。
【解決手段】反応室内にグロー放電プラズマを生成する電極に周波数の異なる二以上の高
周波電力を供給する。周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し
、半導体若しくは絶縁体の薄膜を形成する。好ましくは周波数の異なる高周波電力を供給
する場合と、一の周波数の高周波電力を供給する場合とを自在に切替える。周波数の異な
る(波長が異なる)高周波電力をプラズマCVD装置の電極に重畳印加することで、プラ
ズマの高密度化と、プラズマの表面定在波効果が生じないように均一化を図る。
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断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法
【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体42であって、円筒形状に形成された側壁部43を有し、該側壁部43が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層44の上部に設けられる冷却ガス供給口74と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層45と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路47と、前記側壁内層の内側に設けられる空間75と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔78と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部79と、を有する断熱構造体。
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誘電体基板に基づいて円板状の加工品を製造する方法、ならびにそのための真空処理設備
【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板(100)は第1の真空蒸着ステーション(102)で、10−5Ωcm≦ρ≦10−1Ωcmが抵抗率(ρ)について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率RSが0≦RS≦10−4Ωδの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板(104)にステーション(105)で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。
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