国際特許分類[H01L21/31]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787)
国際特許分類[H01L21/31]の下位に属する分類
後処理
有機物層,例.フォトレジスト (1,275)
無機物層, (4,431)
マスクを用いるもの (1)
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286)
国際特許分類[H01L21/31]に分類される特許
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気化ユニットの洗浄方法
【課題】気化ユニット内部に堆積物が大量に蓄積する前に、気化ユニットを配管から取り外すこと無くその堆積物を外部へと排出させる。また、原料の分解によって発生した副生成物を除去してパ−ティクル(塵埃)の増加を防止し、配管やバルブ等のメンテナンス周期を延ばす。
【解決手段】気化ユニット内に堆積した生成物を除去して気化ユニットを洗浄する気化ユニットの洗浄方法において、生成物が堆積した気化ユニット内に第1の洗浄液を供給する第1の工程と、第1の洗浄液を気化ユニット内から排出しない状態で、気化ユニット内に第2の洗浄液を供給する第2の工程と、第1の洗浄液および第2の洗浄液を気化ユニットから排出する第3の工程と、を順に行う。
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シリコン絶縁膜の形成方法
【課題】熱CVD法やALD法等によってシリコン絶縁膜を形成する際に、成膜温度を増加させることなく薄膜成長速度を増加させて生産性の向上が可能なシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン源としてアミノシラン化合物を用いるシリコン絶縁膜の形成方法であって、前記アミノシラン化合物は、分子内の全てのSi−NR1R2(R1及びR2は、水素(H)又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状アルキル基)結合が、H3Si−NR1R2構造としたときの正規化双極子モーメントが1.37以上を有するとともに、分子内にアミノ基を3個有するトリスアミノ構造又は分子内にアミノ基を4個有するテトラキスアミノ構造を有することを特徴とするシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
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プラズマ発生装置およびCVD装置
【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部17と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極1と高圧電極3と誘電体2a,2bとを備え、誘電体バリア放電空間6を有し、貫通口PHを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口PHの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔21xを有する絶縁筒部21と、絶縁筒部21の空洞部21A内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。
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成膜装置
【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマPを生成する。このプラズマPを被処理物Wの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Aに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスCGを流通させる第1流路5。プラズマ生成ガスPGを流通させる第2流路9。前記プラズマ生成ガスCGに電界Eを印加してプラズマPを生成させるための電極3。前記第1流路5と前記第2流路9とを合流させるための合流部14。前記合流部14から前記膜原料を放出させるための放出口11とを備える。前記第1流路5から前記合流部14への前記成膜ガスCGの流入方向と、前記合流部14での前記プラズマPの流通方向とが略平行となるように前記第1流路5が前記第2流路9内に形成され、前記第1流路5から前記合流部14への前記成膜ガスCGの流入速度が、前記合流部14での前記プラズマPの流速よりも高速である。
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基板処理装置
【課題】大気圧センサ41が誤動作した場合にも処理室204外の大気が処理室204内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。
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半導体装置の製造方法
【課題】半導体装置の製造において基板の金属汚染を抑える。
【解決手段】半導体素子が設けられた基板の、半導体素子形成面とは反対側の裏面および端部に保護膜を形成する工程と、前記半導体素子形成面に設けられた金属含有膜を加工する工程と、前記金属含有膜の加工後に前記保護膜を除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するALD法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド16が、第1の空間S1内の第1の領域で第1のプロセスガスをステージ14に向けて供給する。ヘッド16は、第2の領域R2に退避可能である。ヘッド16は、第1の空間S1内の第1の領域の上方の上部領域Raと第1の領域の下方の下部領域Rbとを画成する。供給源18は、上部領域Raに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Raには、第2のプロセスガスが供給される。ヘッド16は、ステージ14を覆い、且つ、下部領域Rbに面する連通路Pの開口を覆う大きさを有する。
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スパッタリング装置
【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室1aで基板Wと共に配置されるターゲット31〜34のスパッタ面3a側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場M1,M2を形成する磁石ユニット41〜44と、ターゲットの長手方向をX方向、このX方向に直交する方向をY方向とし、磁石ユニットをX方向及びY方向の少なくとも1方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段6とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド5を更に有する。
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熱処理炉及び熱処理装置
【課題】ウエハを均一に加熱することができ、かつヒータエレメントの寿命を伸ばすこと。
【解決手段】熱処理炉2は被処理体Wを収容して熱処理するための処理容器3と、該処理容器3の周囲を覆う断熱材16と、断熱材16内周面16aに設けられ被処理体Wを加熱するヒータ5とを備えている。上記ヒータ5は、円筒状の断熱材16の内周面16aに沿ってスパイラル状に配置されたヒータエレメント18を有している。ヒータエレメント18は帯状のものを波形に曲げ加工してなり、外側に突出する谷部18aと内側へ突出する山部18bとを有するコルゲート型のヒータエレメントからなる。谷部18aは谷部支持ピン部材20aにより支持され、山部18bは山部支持ピン部材20bにより支持されている。
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半導体装置の製造方法および成膜装置
【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】HDP−CVD装置(1)の処理室内に半導体基板(100)を搬入し、半導体基板上に化学気相成長法により第1膜(例えば、酸化シリコン膜)を形成する。その後、リモートプラズマ装置(20)内から、Alを含有する材料よりなる配管であって、その内壁にコーティング材料層を有する配管(10)を通して、処理室内にラジカル化されたガス(例えば、フッ素ラジカル)を導入することにより処理室の内壁に付着した第1膜(例えば、酸化シリコン膜)を除去(クリーニング)する。かかる方法によれば、コーティング材料層により、発塵を低減し、クリーニング効率を向上することができる。
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