【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造のＣｕ配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるＣＦ膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長により基材上に膜を形成するための組成物を提供すること。
【解決手段】式Ａによって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択されるアミノシランを含有する、化学気相成長用組成物であって、式中のＲが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、芳香族基、複素環基、アミン基、又は式Ｃにおいてシリル基から選択され、Ｒ１が、分枝又は環状の飽和又は不飽和Ｃ３〜Ｃ１０アルキル基、芳香族基、複素環基、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、ＲとＲ１を結合して環状基にすることも可能であり、ただし、ジイソプロピルアミノシラン、ジｓｅｃブチルアミノシラン、及びジｔｅｒｔブチルアミノシランを除く。 （もっと読む）

【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第１の電極と、前記第１の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第２の電極と、前記柱状形状を有する前記第１の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第２の電極の少なくとも一部を貫通して前記第１の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層１１２に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合）などの不純物を、酸化物半導体層１１２より排除し、上記酸化物半導体層１１２中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層１１２と接して設けられるゲート絶縁層１３２及び／又は絶縁層１１６に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層１１２に付着させてもよい。 （もっと読む）