【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置内で液浸流体を使用する際の局所的な熱負荷の影響を低減する。
【解決手段】基板を支持する支持テーブルであって、基板を支持する支持セクションと、支持セクションに熱エネルギーを供給し、及び／又はそこから熱エネルギーを除去する調節システムとを有し、調節システムは、個別に制御可能な複数の調節ユニットを備える。 （もっと読む）

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】液浸液の蒸発に起因する基板冷却の補償を改善する。
【解決手段】基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置およびデバイス製造方法が開示される。基板テーブルアセンブリは、基板を支持する基板テーブルと、基板テーブルと基板テーブル上に搭載された基板との間の領域にガスを供給するガスハンドリングシステムとを備える。ガスハンドリングシステムにより供給されるガスは、２９８Ｋで１００ｍＷ／（ｍ．Ｋ）以上の熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】新たな情報を適切に記録できるとともにコストダウンと廃棄が容易な接着シートをウェハに貼付可能なシート貼付装置、および、その方法を提供すること。
【解決手段】シート貼付装置１は、基材シートＢＳの一方の面に接着剤層ＡＤを有する原接着シートＳ０が、接着剤層ＡＤを介して帯状の剥離シートＲＬの一方の面に仮着された原反Ｒ１を繰り出す繰出手段１０と、所定情報を記録可能な磁気記録層ＭＬを原接着シートＳ０に積層して接着シートＳ１を形成する積層手段３０と、接着シートＳ１を剥離シートＲＬから剥離する剥離板７０と、剥離板７０で剥離された接着シートＳ１をウェハＷに押圧して貼付する押圧ローラ８１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】被着体の平面形状を維持した状態で表裏各面に接着シートを貼付して被着体を挟み込むことのできるシート貼付装置と貼付方法を提供すること。
【解決手段】被着体ＷＫの表裏各面ＷＫ１、ＷＫ２に、第１及び第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２を貼付するシート貼付装置１０であり、同装置は、被着体ＷＫを支持する支持手段１４と、被着体ＷＫの表面ＷＫ１に第１接着シートＡＳ１を繰り出す第１繰出手段１３と、第１接着シートＡＳ１を前記表面ＷＫ１に貼付する第１押圧手段１５と、被着体ＷＫの裏面ＷＫ２に第２接着シートＡＳ２を繰り出す第２繰出手段１７と、第２接着シートＡＳ２を前記裏面ＷＫ２に貼付する第２押圧手段１９とを備えている。第１押圧手段１５は、支持手段１４で平面状態が維持された被着体ＷＫに第１接着シートＡＳ１を貼付する。 （もっと読む）

【課題】コストダウンと廃棄が容易なウェハの加工用シート、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】ウェハＷとリングフレームＲＦとに貼付されることで、リングフレームＲＦでウェハＷを保持させる接着シートＳ１は、基材シートＢＳと、基材シートＢＳの一方の面に積層されて所定情報を記録可能な磁気記録層ＭＬと、基材シートＢＳ上に磁気記録層ＭＬを覆うように積層された接着剤層ＡＤとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）