【課題】 封止部材を配置する支持体の反りを低減させ信頼性の高い半導体装置とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、一対の第一導電体１０１ａ、１０１ｂと、その第一導電体１０１ａ、１０１ｂとは別の一対の第二導電体１０２ａ、１０２ｂとが絶縁性基板１００ａに配置された支持体１００と、その支持体１００に配置された半導体素子を覆う封止部材１１２と、を備えており、上記支持体１００は、上記一対の第一導電体の間に上記絶縁性基板が露出されてなる絶縁部を有しており、且つ、上記一対の第二導電体のうち少なくとも一方は、上記絶縁部の側方に配置されており、上記封止部材が上記第一導電体または上記第二導電体の領域の少なくとも一部を含む領域の上に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子部品を収容する凹部に最適な保護膜を備えた電子部品収容基板を提供する
。
【解決手段】 第一表面に電子部品を収容する凹部を有する電子部品収容基板には、第一
表面側の凹部の底面および凹部のすべての内側面に保護膜が形成され、凹部が形成された
電子部品収容基板の第一表面には保護膜が形成されていない状態で蓋部材が接合される。
（もっと読む）

【課題】化合物半導体に適用可能で、かつ、小型化が可能で、かつ、気密封止型のシーリング構造を有する半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】搭載した機能回路の配線層を利用して半導体素子基板１の外周部に少なくとも該機能回路を囲うシーリング構造２１を形成し、かつ、実装基板６に、半導体素子基板１を収納するキャビティ７を設けるとともに、実装基板６の外周部に、配線層を利用して、シーリング構造２１と鏡像対称な形状のシーリング構造５を形成し、半導体素子基板１のシーリング構造２１と実装基板６のシーリング構造５とを、共晶温度が３００℃以下の共晶合金による接合または表面活性化接合により接合する。また、半導体素子基板１上の機能回路の電極４と、実装基板６に設けられた電極１５とを、共晶温度が３００℃以下の共晶合金または表面活性化接合またはワイヤボンディングにより接合する。 （もっと読む）

【課題】
基体及び枠体との密着力が悪いシリコン樹脂接着剤や、可トウ性がないために、応力、衝撃がかかると接着界面で剥離が起こりやすいガラスペーストを接着剤として使用して基体１と枠体２とを接着しても、基体１と枠体２間との接着の信頼性が高く、耐久性のある電子素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】
少なくとも、接着剤層を介して接着された基体と枠体とから成る電子素子収納用パッケージであって、
該枠体の底面の外周部分に、巾０．０１〜１．０ｍｍ、高さ０．０１〜０．５ｍｍの凹部が存在することを特徴とする電子素子収納用パッケージ。 （もっと読む）

【課題】両基板の接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間に所定の雰囲気を封入して当該空間を外部の雰囲気から確実に遮断できる技術を提供する。
【解決手段】蓋基板８０７およびデバイス基板８０８に形成された外周接合部８３１ｂどうしを加圧して仮接合することで、両基板８０７，８０８の接合面間に外周接合部８３１ｂによって囲まれる空間に所定の雰囲気を封入できる。したがって、当該空間内の所定の雰囲気中で加圧することにより両基板８０７，８０８の内部接合部８３１ａどうしの本接合を確実に行うことができるので、両基板８０７，８０８の接合面間に内部接合部８３１ａによって輪郭状に囲まれて形成される空間に所定の雰囲気を封入するとともに、この空間を外部の雰囲気から確実に遮断できる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内面に形成する絶縁膜を必要とする部位のみに正確に形成した高精度の圧電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ２の壁部２ｂ上面の内周縁部は、傾斜面部２ｃを有した構成で、傾斜面部２ｃは、蓋部材４とは接合されない面になっている。この傾斜面部２ｃは、パッケージ２の底部２ａへ向かって傾斜する傾斜面であり、この傾斜面は平坦な面となっている。パッケージ２は、シリコン材料で構成されているためキャビティ内面とパッケージ２の底部２ａの外表面には絶縁膜９が形成されている。キャビティ内面の絶縁膜９は、前記傾斜面部２ｃの一部から連続してキャビティＣの内壁面および内底面にかけて形成された構成である。 （もっと読む）

【課題】ベースと蓋とを接合する際にスプラッシュによる金属成分の飛散物が発生しても、その飛散物が内部空間に届くのを抑える。
【解決手段】発振器１の本体筐体１１は、水晶振動片３とＩＣチップ２とを搭載するベース４と、ベース４と接合して内部空間１２を形成し、水晶振動片３とＩＣチップ２とを内部空間１２に気密封止する蓋５と、から構成される。蓋５のベース４との接合面５１には、その外周５２に曲率半径をＲ１とする外周角部５３が形成されている。また、ベース４と蓋５との接合の際に蓋５と接する接触部（金属リング７）の接合面７１には、その内周７２に内部空間１２に面した曲率半径をＲ２とする内周角部７３が形成されている。蓋５の外周角部５３の曲率半径Ｒ１は、金属リング７の内周角部７３の曲率半径Ｒ２より小さい。 （もっと読む）

【課題】 素子側基板と封止側基板の間の封止空間に電極が封止されているとともに、封止側基板の表面から配線を引き出すタイプの半導体装置を、簡単な工程で製造できる。
【解決手段】 加速度センサ１００は、シリコン基板２とガラス基板４を備えている。シリコン基板２とガラス基板４の間の封止空間１６には、電極２０を有する検出部２４が封止されている。ガラス基板２の一部には貫通孔８が形成されており、樹脂ペースト１０で封止されている。貫通孔８の側面８ａには側面導電膜６ｂが形成されている。ガラス基板４の外面４ａには配線導電膜６ａが形成されている。電極２０と配線導電膜６ａは、封止空間１６内において側面導電膜６ｂと電極２０の両者に接触するはんだ１２ａを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】気密封止の際に、レーザを照射して加熱し、その結果、流動性を有するようになったフリットを物理的に加圧することにより、フリットの接着力を向上させ、ひいては、有機電界発光表示装置の信頼性を向上させる気密封止装置及び気密封止方法を提供する。
【解決手段】フリットを用いて第１基板と第２基板とを貼り合わせる気密封止装置において、前記第１基板の上面に配置されたガラスマスクと、該ガラスマスクの上面に配置された支持部材と、前記ガラスマスクの上面に離隔して位置し、前記第１基板の下面の外郭領域に閉曲線状に配置された前記フリットに対して、前記閉曲線に対応する軌跡を移動しながら、レーザを照射して前記フリットを加熱するレーザ照射部材と、前記第２基板の下面の外郭領域に配置され、前記第２基板を支持する複数の下部支持部材と、該下部支持部材の下面に配置されており、前記下部支持部材に上方に加圧力を加えることにより、加熱された前記フリットを加圧する加圧部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】外部応力に対する蓋部材の破損を防止した高信頼性の圧電デバイスと、その製造方法を提供する。
【解決手段】底部２ａの周縁部に立設する壁部２ｂによって内側にキャビティを形成するパッケージ２と、このパッケージ２内に収容される圧電振動片３と、圧電振動片３を前記パッケージ２内に気密に封止するために前記壁部２ｂ上面に接合される蓋部材４と、を有する圧電デバイスの前記壁部２ｂの上面内周縁部に、前記パッケージの底部２ａ側に向かって傾斜する傾斜面部２ｃを設け、蓋部材４が外部応力により撓みを生じても、ある一箇所に集中する応力を分散し、応力緩和して蓋部材の破損を防止する。 （もっと読む）