【課題】微細化及び狭ピッチ化に対応して、精度良くバンプ電極を形成することができる半導体チップ接続用バンプ電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】フリップチップ半導体パッケージ基板の半導体チップとの接続用バンプ電極２形成手段であって、前記基板の金属配線によって電極パッド８を構成し、ソルダーレジスト層７とめっきレジスト層１５を一括で開口し、電極パッド８を露出させた後に給電層１４を形成し電解めっきにより金属層２２を形成する。次に開口の内部以外の電解めっき層２２及び給電層１４を除去し、めっきレジスト１５を除去し、電極バンプ２３を完成させる。電極バンプ２３はソルダーレジスト７開口との位置ズレがなく、ソルダーレジスト７開口と同じ径で形成されるので、微細化、狭ピッチ化に適したパッケージ基板を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 高い信頼性を有する半導体実装部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第２基板３００が、上方へ突き出る第２接続導体３３２Ｐを備える。第１基板５００が、上方へ突き出る第１接続導体８７２Ｐを備える。例えば半導体実装部材を外部基板に実装する際に生じる応力を、第１接続導体３３２Ｐで第１基板側へ逃がすと共に、第２接続導体８７２Ｐで第２基板側へ逃がし、靱性が高く脆い半導体素子９０へ加わる応力を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき層を構成する材料にかかわらず、複数のめっき層を積層する際に、特殊な処置を行わなくてもめっき層同士の密着性を確保することができる配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本配線基板の製造方法は、支持体上に、複数のめっき層が積層されてなるパッドを形成するパッド形成工程と、前記支持体上に前記パッドを被覆する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記支持体を除去し、前記絶縁層の支持体除去面から前記パッドの一部を露出する支持体除去工程と、を有し、前記パッド形成工程において、あるめっき層の表面を粗化面とした後、前記粗化面上に次層のめっき層を積層する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率の低下を抑制しつつも、配線の狭ピッチ化に対応することができる基板、発光装置及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１は、複数の外部接続用の電極１１と放熱板１２を有する第１リードフレーム１０と、発光素子搭載用の第１配線２１及び第２配線２２を有し、第１リードフレーム１０上に積層された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０との間に充填された樹脂層３０と、を有している。放熱板１２の上方に第１配線２１が配置され、電極１１と第２配線２２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の放熱性を向上させる。
【解決手段】 半導体素子と、その半導体素子を搭載し側面および背面の一部に切り欠き部が形成された絶縁性基板と導電配線とから構成された配線基板とを備えており、上記導電配線が、上記絶縁性基板の上面に、上記半導体素子の外形よりも配置面積が大きく少なくとも銅を含む上面導電配線と、上記絶縁性基板の背面に、上記上面導電配線と電気的に接続された背面導電配線とを有する半導体装置であって、上記背面導電配線が、上記絶縁性基板の背面から上記切り欠き部に延長して配置され、少なくともタングステンを含む第一の金属膜と、その第一の金属膜の配置面積よりも広く、その一部が上記第一の金属膜の上に配置され、少なくとも銅を含む第二の金属膜とから構成されており、上記第二の金属膜が上記第一の金属膜の上から上記第一の金属膜が配置されていない上記絶縁性基板の背面上にかけて略均一な膜厚である。 （もっと読む）

【課題】ピンとの接合に適した突起電極を備えることにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板１０１は、基板裏面１０３上の電極形成領域内に複数の突起電極１１が配置され、複数の突起電極１１上に母基板搭載用の複数のピン２１がはんだ部３１を介して接合された構造を有する。複数のピン２１は、軸部２２と、軸部２２よりも外径が大きい頭部２３とを有する。複数の突起電極１１は、外径Ｂ１が頭部２３の外径Ａ２よりも大きく設定されるとともに、基板裏面１０３からの突出量Ｂ２が最大となる最突出部１３が中心軸Ｃ１上に位置している。なお、頭部２３は、突起電極１１の中心軸Ｃ１とピン２１の中心軸Ｃ２とが一致するように、はんだ部３１を介して突起電極１１上に接合される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを小型化、低背化し、且つコストを低減する手段を得る。
【解決手段】電子デバイスは、第１の電子素子２０と、第１の電子素子２０を搭載する絶縁基板１１と、を備えた電子デバイスであって、絶縁基板１１は一方の主面に第１の電子素子２０を搭載する電極パッド１２を有すると共に、他方の主面に実装端子１３を備え、第１の電子素子２０に設けた端子と電極パッド１２とは、接続用導電部材１５を介して導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板本体に設けられた半導体素子搭載用パッドと半導体素子との間の接続信頼性を向上させた配線基板を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載用パッド２１と、半導体素子搭載用パッド２１が設けられる絶縁層２２と、半導体素子搭載領域Ａとを有する配線基板本体１１と、絶縁層２２の面２２Ａに接着され、半導体素子搭載領域Ａを露出する半導体素子搭載用貫通部１２Ａを有するスティフナー１２と、を備えた配線基板であって、スティフナー１２の側壁の一部に、スティフナー１２を厚さ方向に貫通して前記側壁から半導体素子搭載用貫通部１２Ａ側に向かって窪み、半導体素子搭載領域Ａよりも外側に位置する部分の絶縁層２２の面２２Ａを露出する切り欠き部４１を配線基板本体１１の各辺に対応するスティフナー１２の各側壁に少なくとも１つずつ設け、平面視において、各切り欠き部４１の長手方向の一辺を、半導体素子搭載領域Ａの一辺と対向させた。 （もっと読む）

【課題】一つの平衡端子を複数個の平衡端子のいずれかに切り替えて接続するスイッチ回路を備える高周波モジュールを、簡素且つ小型の形状で実現する。
【解決手段】高周波モジュール１００は、スイッチＩＣ素子ＳＷ−，ＳＷ＋と、基板１０１とを備える。スイッチＩＣ素子ＳＷ−，ＳＷ＋は、同じＩＣチップであり、同じ向きで実装されている。スイッチＩＣ素子ＳＷ−は基板１０１に実装されている。スイッチＩＣ素子ＳＷ＋は、スイッチＩＣ素子ＳＷ−上に実装されている。スイッチＩＣ素子ＳＷ−，ＳＷ＋の各パッド電極は、それぞれのパッド電極に接続すべき、基板１０１のランド電極にワイヤーボンディングによって接続されている。互いに接続されるパッド電極とランド電極との間には、他のランド電極が配設されていない。 （もっと読む）