【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板に電気素子をモールディングするモールディング膜をボイドなしに効率的に形成できる回路基板及びその製造方法、並びに前記回路基板を備える半導体パッケージに関する。
【解決手段】本発明の実施形態による回路基板は、電気素子が実装される素子実装領域を有するベース基板と、素子実装領域が露出されるようにベース基板を覆うレジストパターンと、を含み、ベース基板は、絶縁層と、絶縁層上に形成された回路パターンと、素子実装領域内で回路パターンが形成されていない絶縁層に提供された凹部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 実装信頼性が高い配線基板および電子装置ならびに電子モジュール装置を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板は、中央領域Ｍおよび周囲領域Ｓを有する上面を含んでおり、周囲領域Ｓに設けられておりそれぞれ電子部品Ｅが収納される複数の凹部３と中央領域Ｍまたは周囲領域Ｓに設けられており複数の凹部３を連結する連結部４とを有している絶縁基体２を備えており、同様の高さの部分をたどって中央領域Ｍから周辺領域Ｓを介して周辺領域Ｓの外側へつながる経路を有するように連結部４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板に大きな反りが生じることがなく、かつ、金属層においてブローホール等の欠陥が発生することなく、回路層が銅板で構成されるとともに金属層がアルミニウム板で構成されたパワーモジュール用基板を安定して製造することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に、銅又は銅合金からなる銅板２２を接合して回路層１２を形成する銅板接合工程と、セラミックス基板１１の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板２３を接合して金属層１３を形成するアルミニウム板接合工程と、を有し、前記銅板接合工程では、銅板２２とセラミックス基板１１とを、液相温度が前記アルミニウム板の融点未満とされた接合材２４を用いて接合する構成とされており、銅板接合工程とアルミニウム板接合工程とを同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単層絶縁基板に貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁に成膜する金属膜の密着度をあげ、小型、低背化した電子部品用の容器、これを用いた電子デバイスを得る。
【解決手段】回路基板１は、単層絶縁基板１０と、貫通孔１５と、単層絶縁基板の両主面に設けた配線導体２０ａ、２０ｂと、を備えた回路基板である。貫通孔１５は、単層絶縁基板の両主面に形成した第１の凹部１５ａと、第２の凹部１５ｂと、両凹部間を連通させる貫通部１５ｃと、を有している。第１の凹部１５ａと第２の凹部１５ｂとの重なる部分の開口面積が、両凹部の何れか大きい方の開口面積の１／２以下であり、第１及び第２の凹部１５ａ、１５ｂ、及び貫通部１５ｃの夫々の内壁面は、金属膜１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士１３３１，１３４１が互いに離間して対向した２つの伝送線路１３３，１３４と、２つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極３０と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極３２を備えるキャパシタＣと、２つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Ｒと、キャパシタの上面電極と２つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれによる不良品の発生を低減する。
【解決手段】球状体を吸着する吸着ヘッド１１と、基板４００を支持すると共に支持状態の基板４００の位置を変更可能に構成された基板搬送部４と、球状体を吸着している吸着ヘッド１１を移動させて基板４００の目標搭載位置に球状体を搭載する搭載処理を実行する搭載部３と、基板搬送部４および搭載部３を制御する制御部と、球状体が搭載された基板４００の撮像画像に基づいて球状体の搭載状態の良否検査を実行する検査部とを備え、制御部は、良否検査に用いた撮像画像に基づいて球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれを補正するための補正値を特定すると共に、良否検査の以後に実行する搭載処理において、基板搬送部４による基板４００の位置の変更量および搭載部３による吸着ヘッド１１の移動距離を補正値に基づいて増減させて位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】特性の変動や電磁波の漏洩を抑え、高周波集積回路の放熱性に優れた半導体モジュールを得ること。
【解決手段】金属キャリア２と、サーマルビアホール１４とＲＦ線路１０とを有し、金属キャリア２の上に接合されて、金属キャリア２からはみ出た部分の下面にＲＦ線路１０の接続用パッドが配置される誘電体多層基板１と、誘電体多層基板１上に実装されて、誘電体多層基板１の表面でＲＦ線路１０と電気的に接続され、サーマルビアホール１４を介して金属キャリア２と熱的に接続されるＲＦＩＣ４と、誘電体多層基板１の金属キャリア２からはみ出た部分と重なるように配置され、接続用パッドがＲＦ線路１０の接続用パッドと対向するように形成されたＲＦ線路９を有する入出力インタフェース基板３と、ばね性を有し、信号接続パッド６、８の間に挟持されて、両者を電気的に接続するコンタクト端子７と、これらを収容するシャーシ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】コイル導体の特性を考慮しつつ、ＩＣ素子およびコイル導体の放熱性を向上させること。
【解決手段】コイル内蔵基板１は、フェライト基体11と、フェライト基体11内に設けられたコイル導体12と、フェライト基体11の上面に設けられたＩＣ素子用導体層14と、ＩＣ素子用導体層14およびコイル導体12に熱的に結合されておりフェライト基体11の表面に熱を伝導するようにフェライト基体11内に設けられた熱伝導経路13とを含んでいる。熱伝導経路13は、フェライト基体11よりも低い比透磁率およびフェライト基体11よりも高い熱伝導率を有する材料を含んでいる。 （もっと読む）