【課題】リードピンへの応力の集中を抑制すると共に、張り合わせ時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置用多層配線基板を提供することにある。
【解決手段】導体層１０４〜１０９と誘電体層１１１〜１１７とが交互に積層され、最上面と最下面が導体層１０１，１０２ａ，１０２ｂ、１０９で構成されると共に、最上面の導体層１０１，１０２ａ，１０２ｂが、半導体装置が備えるリードピン１１，１２ａ，１２ｂを当接接合可能な接合領域１２１で構成された半導体装置用多層配線基板１００であって、前記接合領域１２１の下部に位置する導体層１０４〜１０８は２次元アレイ状に整列配置された複数個の孤立パタンで構成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】高温における基板またはパッケージで生じる反り（Ｗａｒｐａｇｅ）現象を樹脂の硬化収縮力により改善することができるとともに、パッケージリフローの際に、ぬれ不良（Ｎｏｎ Ｗｅｔｔｉｎｇ）、バンプクラッキング（Ｂｕｍｐ Ｃｒａｃｋｉｎｇ）のような不良現象を低減させて収率を向上させることができる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ１００は、一面及び他面を有する基板１１０と、基板１１０の一面に実装される半導体素子１２０と、基板１１０の他面に形成される外部接続端子１１１と、基板１１０の一面または基板１１０の他面に形成される反り防止層１３０と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】信号にノイズがのることを抑制する。
【解決手段】第１配線基板１００の第１面１０２上には、半導体チップが搭載される。第１配線基板１００の第１面１０２は、ボンディング電極１１０の外に、第１グランドプレーン１２０、信号用第１配線１３２、グランド用第１配線１３４、及び電源電位用第１配線１３６を有している。グランド用第１配線１３４は、信号用第１配線１３２に隣接するように延伸しており、グランド用ボンディング電極１１４を第１グランドプレーン１２０に接続している。グランド用ホール配線１４４は、信号用ホール配線１４２に隣接している。グランド用ホール配線１４４は、第１グランドプレーン１２０を、第２面１０４に設けられたグランド用第２配線に接続している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置１は、マルチセル構成の半導体チップ２４と、整合回路と、半導体チップ２４と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ１２、１４とを備え、複数本のボンディングワイヤ１２、１４は、半導体チップ２４に対して平面上で９０°以下の所定の角度を有する。 （もっと読む）

【課題】反りを低減することができる半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を覆うように形成された第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に積層され、半導体チップ２と電気的に接続された第２〜第５配線層２０，３０，４０，５０と第２〜第４絶縁層２１，３１，４１とが交互に積層されてなる配線構造と、を有する。第１絶縁層１１の面１１Ａとは反対側の最外層の第４絶縁層４１には、その第４絶縁層４１を厚さ方向に貫通する溝部４１Ｘが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ピンとの接合に適した突起電極を備えることにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板１０１は、基板裏面１０３上の電極形成領域１０内に複数の突起電極１１が配置され、複数の突起電極１１上に母基板搭載用の複数のピン２１がはんだ部３１を介して接合された構造を有する。複数のピン２１は、軸部２２と、軸部２２よりも外径が大きい頭部２３とを有する。複数の突起電極１１は、凹み部１３を表面１２に有する。なお、頭部２３は、少なくとも一部が凹み部１３に入り込んだ状態で、はんだ部３１を介して突起電極１１上に接合される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来、基板との接合が困難であった材料からなるヒートシンクを基板に接合可能とする。
【解決手段】 半導体パッケージ用基板１０は、ヒートシンク１２と、前記ヒートシンク１２に積層される接合材層１４と、前記接合材層１４に積層されるとともに、半導体素子１８に接続される配線２０が形成された基板１６と、を含む積層体を備える。この積層体の各層が、大気雰囲気で焼成されることによって接合される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態による半導体パッケージは、第１側面を有する電気素子と、電気素子が位置するキャビティを有するコア基板と、を含み、コア基板は、コア基板の厚さ方向に対して傾き、キャビティを定義する第２側面を有する。 （もっと読む）

【課題】接続端子間の短絡を防止するとともに、接続端子の狭ピッチ化に対応できる配線基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板は、絶縁層と配線層とが交互に積層された配線基板であって、最外層の絶縁層上に、互いに離間して形成された複数の配線導体と、前記複数の配線導体における各配線導体上の一部にそれぞれ形成され、半導体チップの電極と接続される凸部と、上面視で前記複数の配線導体を取り囲む位置に開口縁を有する開口が形成され、前記複数の配線導体と接続されてなる配線パターンを覆うソルダーレジスト層と、前記凸部の少なくとも一部が露出するように、前記開口の内側領域となる前記絶縁層の表面側を覆う絶縁部材と、を備える。 （もっと読む）