【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅層および／または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および／または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅（ＩＩ）イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線内における空孔の集中を抑制することでＣｕ配線内でのボイドの形成を抑え、例えば２層間配線系におけるビア接続部等における、いわゆるストレスマイグレーションと呼ばれる断線等の配線不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法において、配線形成後に被処理基板を加熱および除熱する熱サイクル工程を行う、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】容量素子を有する半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】ＭＩＳＦＥＴ形成領域Ａ１の配線Ｍ１Ａと配線Ｍ２Ａとの間に位置する層間絶縁膜ＩＬ２Ａと、キャパシタ形成領域Ｂ１の導電膜Ｍ１Ｂと導電膜Ｍ２Ｂとの間に位置する層間絶縁膜ＩＬ２Ｂについて、層間絶縁膜ＩＬ２Ｂを、層間絶縁膜ＩＬ２Ａより誘電率の大きい膜[ε（ＩＬ２Ａ）＜ε（ＩＬ２Ｂ）]とする。また、導電膜Ｍ１Ｂと導電膜Ｍ２Ｂとは、層間絶縁膜ＩＬ２Ｂを介して対向し、導電膜Ｍ１Ｂには第１電位が印加され、導電膜Ｍ２Ｂには第１電位とは異なる第２電位が印加される。このように、縦方向に容量（Ｃｖ）を形成することで、耐圧劣化の問題を回避し、容量を構成する導電膜Ｍ１ＢとＭ２Ｂ間に高誘電率の絶縁膜を用いることで、容量を大きくする。 （もっと読む）

【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第１絶縁膜１２とする。次いで、めっきシード層１８形成、フォトレジスト溝パターン２２形成、めっき、フォトレジスト溝パターン２２除去、配線下以外のめっきシード層１８除去に依り、第１の絶縁膜上に配線２６を形成する。そして、第１絶縁膜の表面上にシリカ粒子３０を分散し、散したシリカ粒子３０をマスクとして、ＣＦ４及びＯ２を混合したガスで、第１絶縁膜１２をドライエッチングすることに依り、段差が１００ｎｍ以上の凹凸３２を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第２絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の表示装置、太陽電池やタッチパネルの電極などに使用される透明導電膜のエッチング液組成物に関するものであって、銅および／または銅合金膜と酸化インジウム錫膜等の透明導電膜とを一括エッチングすることが可能なエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、銅および／または銅合金膜と透明導電膜とを一括でエッチング処理するのに用いられるエッチング液組成物であって、塩酸と、塩化第二鉄または塩化第二銅と、水とを含み、塩酸の濃度が、１５．０〜３６．０重量％であり、塩化第二鉄または塩化第二銅の濃度が、０．０５〜２．００重量％である、前記エッチング液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第１トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第１コンタクトを備える。基板１上には、層間絶縁層４、５が設けられている。第１トランジスタ３ａは、半導体基板１に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第１トランジスタは、少なくともゲート電極３２及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子１９は、多層配線層内に設けられている。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、ゲート電極３２の上面と接しており、層間絶縁層４内に埋設されている。第１コンタクト１０ａは、第１トランジスタ３ａの拡散層に接続しており、層間絶縁層４内に埋設される。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、第１コンタクト１０ａと同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗（配線抵抗）も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むＡｌ合金の第１層と；Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆ、およびＣｒよりなる群（Ｙ群）から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはＡｌ合金の窒化物の第２層と、が積層された表層構造を有する。 （もっと読む）