【課題】本発明は、積層されるチップに形成される貫通ビアの多様な連結構造を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、積層される第１および第２チップを備える。第１及び第２チップに垂直な同一線上に位置し、各々第１及び第２チップを貫通して形成される第１ないし第３貫通ビアと、第１チップの第２貫通ビアと連結される第１入出力回路及び第２チップの第２貫通ビアと連結される第２入出力回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高さの指標であるガラス転移温度が高く、且つ高密着性及び低吸湿性を実現するポリマーナノコンポジット樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性樹脂３と、硬化剤４と、シルセスキオキサン誘導体２により表面改質処理された無機ナノフィラー１とを含んでなるポリマーナノコンポジット樹脂組成物、かかる組成物を硬化してなるポリマーナノコンポジット樹脂硬化物、かかる組成物の製造方法、かかる組成物により封止してなる半導体モジュール、ならびに半導体モジュールの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と外部回路とを接続させる際、モールドパッケージの外側において余分なスペースが発生せず、またはんだを用いず当該接続を可能せしめる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１，２および電極端子部３，４，６がモールドパッケージ部９により覆われている。また、モールドパッケージ部９の第一の主面内には、底面から電極端子部３，４，６が露出している第一の開口孔１０，１１が形成されている。そして、第一の開口孔１０，１１の開口部を塞ぐように、第一の主面上に固定される外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと、第一の開口孔１０，１１の内部に配設され、弾性を有し、電極端子部３，４，６と外部接続部材１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃとを電気的に接続する第一のコンタクト部材１６Ａ，１６Ｂ，１９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】回路配線パターンのレイアウトの自由度の高さを有し、かつ、高い組立性を有し、かつ、厳しい温度環境下においても部材接続信頼性を維持するようなパワー半導体装置を提供すること。
【解決手段】交流端子の基板接続端と直流端子の基板接続端とは、ケースの外周部において対向するように配置され、交流端子と直流端子それぞれは、基板接続端と外部機器接続端との間に基板の主面と略平行な平面部（１３０ｂ、１３１ｂ、１３２ｂ）を有し、交流端子と直流端子それぞれは、平面部よりも幅の狭い連結部（１３０ｃ、１３１ｃ）を有し、交流端子と直流端子は、交流端子の基板接続端側において連結部によって連結される。 （もっと読む）

【課題】コントローラによるメモリに対するデータの読み書きの高速化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、半導体装置が提供される。半導体装置は、パッケージ基板と、パッケージ基板上に実装され、個別に機能が割り当てられて第１の順序で配列された複数の第１ボンディングパッドを上面に有する第１の半導体チップと、第１の半導体チップよりも外形が小さく、第１の半導体チップの上に配置され、複数の第１ボンディングパッドの各々と対応する機能が割り当てられて、第１の順序で並ぶように配列された複数の第２ボンディングパッドを上面に有する第２の半導体チップと、第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドとを接続する第１ボンディングワイヤと、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化することのできる配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面１１にソース電極１４およびゲート電極１５が形成されかつ第２主面１２にドレイン電極１３が形成されたスイッチング素子１０と、ドレイン電極１３に接続された導電層積層基板８０とを備える半導体装置１に対して、配線シート付き配線体３０は、上側配線構造体として適用される。配線シート付き配線体３０は、ソース電極１４に接続される第１配線体４０と、ゲート電極１５に接続されるゲート端子が設けられた配線シート６０とを備える。第１配線体４０においてソース電極１４が接続される面に配線シート６０が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａを含む内側トレイ１６ａを有し、且つ該配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は内側トレイ１６ａを収容し、下部ステージ２８はチャンバ２７内において内側トレイ１６ａを載置し、上部ステージ２９は、下部ステージ２８に載置された内側トレイ１６ａにおける配置面１６ａａと平行な押圧面２９ａを有し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９はそれぞれヒータ３３，３９を内蔵し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９が間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】 貫通ビアを用い積層した半導体装置においては、信号を伝送する貫通ビアがオープンやショートした場合に、その貫通ビアを回避して積層チップ全体を正常動作させるために、複雑な回路を構成が必要であった。
【解決手段】 信号を伝送する貫通ビアにおいて、ビアの内壁を構成するシリコンに高い不純物の領域を形成して貫通導体とシリコン基板が接触したときに基板に接続されているＶＳＳなどの基準電位に誘導する。故障モードを固定できるため、冗長化／復号化回路が簡単になるうえ、必要な冗長貫通ビアの本数を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイ積層システムを持つ大きい電気的伝導性表面領域を有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】システム１００は、代表的ワイアボンド１２０等のワイアボンド群を介して、第一のダイ１０２に結合される半導体デバイスパッケージ基板１０１を含んでいる。この第一のダイは、パッシベーション領域１０４と、ボンドパッド領域１０６のような伝導性ボンドバッド領域と、第一の積層ダイ受容領域１０８と、第二の伝導性積層ダイ受容領域１１０と、を含む表面を有する。この第一の伝導性積層ダイ受容領域は、少なくとも第二のダイ１１２を受容できるサイズとされている。この第二の伝導性積層ダイ受容領域は、少なくとも第三のダイ１１４を受容できるサイズとされている。各伝導性積層ダイ受容領域およびは、ボンドパッド領域のような従来のボンドパッド領域より広い伝導性領域を有する。 （もっと読む）

【課題】薄くされたチップを積層して半導体装置を製造する際に、処理対象の上面に存在する異物によって積層させるチップが割れてしまうことを防ぐ異物検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、異物検査装置２０は、下地検査部２２１および下地検査部２２１を支持する支持部２２２を有する検知ヘッド２２と、下地データ格納部２３３、検査制御部２３２および異物存在判定部２３４を有する制御部２３と、を備える。下地データ格納部２３３は、配線基板８０または配線基板８０の最上層のチップの配置位置を示す下地配置領域を含む下地データを格納する。検査制御部２３２は、検知ヘッド２２を検査対象上の所定の位置に接触させながら所定の力で押圧するように制御する。異物存在判定部２３４は、下地検査部２２１から取得した検査データから、下地データを参照して下地配置領域のうち周囲よりも圧力が高まっている領域を異物存在領域として抽出する。 （もっと読む）