【課題】ケースを固定する接着剤の塗布量を抑え、なおかつパワーデバイスへのはみ出しを防止できるパワーモジュールを提供すること。
【解決手段】パワーデバイス３を載置した複数のベース板５を並べて配置し、これらのベース板５をケース７で囲んだパワーモジュール１において、前記ケース７は、複数の前記ベース板５の全てを囲む外囲壁２０と、隣り合う前記ベース板５同士の間に沿って配置される仕切壁２１と、を備え、前記外囲壁２０、及び前記仕切壁２１の底面２０Ａ、２１Ａが前記ベース板５の上面に接着剤４０で接着されるとともに、前記仕切壁２１の底面２１Ａには、前記ベース板５同士の間に沿って延在し、隣り合う前記ベース板５同士の間に塗布された接着剤４０を封じる溝５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にメモリチップとコントローラチップとを積層したパッケージ構造を備えた半導体装置において、メモリチップとコントローラチップを接続する配線の自由度を向上させる。
【解決手段】メモリカード１Ａは、配線基板２とその主面上に積層された４枚のメモリチップＭ１〜Ｍ４と最上層のメモリチップＭ４の表面上に実装されたコントローラチップ３およびインターポーザ４とを備えている。メモリチップＭ１〜Ｍ４のそれぞれは、その長辺を配線基板２の長辺と同じ方向に向けた状態で配線基板２の表面上に積層されている。最下層のメモリチップＭ１は、配線基板２のパッド９と重ならないよう、メモリカード１Ａの先端部方向に所定距離ずらした状態で配線基板２上に実装されている。メモリチップＭ１上に積層された３枚のメモリチップＭ２〜Ｍ４は、パッド６が形成されている側の短辺がメモリカード１Ａの先端部に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに、効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】はんだの高さを確保し、接合の信頼性を向上させることができる接合体、該接合体を用いることで小面積化が可能な半導体装置、該接合体でプリント配線板に接合される半導体装置を有するプリント回路板を提供する。
【解決手段】プリント回路板１００は、半導体素子１が実装され、片面に電極パッド８が形成されたインターポーザ２と、インターポーザ２に対向する片面に電極パッド９が形成されたプリント配線板３と、電極パッド８，９を接合する接合体７０と、を備えている。接合体７０は、はんだ層６０と、電極パッド８，９に接合された金属層５０，５０と、を有している。各金属層５０，５０は、金属粒子同士が結合して形成された金属粒子集合体１０と、金属粒子集合体１０の隙間に埋められたはんだ１１とからなる。 （もっと読む）

【課題】回路配線パターンのレイアウトの自由度の高さを有し、かつ、高い組立性を有し、かつ、厳しい温度環境下においても部材接続信頼性を維持するようなパワー半導体装置を提供すること。
【解決手段】交流端子の基板接続端と直流端子の基板接続端とは、ケースの外周部において対向するように配置され、交流端子と直流端子それぞれは、基板接続端と外部機器接続端との間に基板の主面と略平行な平面部（１３０ｂ、１３１ｂ、１３２ｂ）を有し、交流端子と直流端子それぞれは、平面部よりも幅の狭い連結部（１３０ｃ、１３１ｃ）を有し、交流端子と直流端子は、交流端子の基板接続端側において連結部によって連結される。 （もっと読む）

【課題】コントローラによるメモリに対するデータの読み書きの高速化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、半導体装置が提供される。半導体装置は、パッケージ基板と、パッケージ基板上に実装され、個別に機能が割り当てられて第１の順序で配列された複数の第１ボンディングパッドを上面に有する第１の半導体チップと、第１の半導体チップよりも外形が小さく、第１の半導体チップの上に配置され、複数の第１ボンディングパッドの各々と対応する機能が割り当てられて、第１の順序で並ぶように配列された複数の第２ボンディングパッドを上面に有する第２の半導体チップと、第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドとを接続する第１ボンディングワイヤと、を有する。 （もっと読む）

【課題】主回路インダクタンスを低減でき、かつ、電流振動が発生する周波数帯域で高抵抗になる導体形態を有する電力変換器を提供することにある。
【解決手段】上記の課題を解決する手段として、正極側電流を流す導体と絶縁シートと負極側電流を流す導体とを積層接着させ、各々の導体に流れる電流の経路を対向させた電力変換器の主回路配線において、積層された導体の表面のうち、他方の導体側の面について、導体内部よりも高周波帯域において高抵抗な部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】 多様な方式でスキャンテスト経路を形成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１チップおよび第２チップを電気的に連結する第１貫通ビアおよび第２貫通ビアと、前記第１チップに配置され、テストデータを受信するとともに前記第１貫通ビアと接続される第１回路部と、前記第１チップに配置され、前記第２貫通ビアおよび前記第１回路部と接続される第２回路部と、前記第２チップに配置され、前記第１貫通ビアと接続される第３回路部と、を含み、前記第１回路部は第１制御信号に応答して前記第１貫通ビアおよび前記第２回路部のうちいずれか一つに前記第１回路の出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成の半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１０は、第１構造体１０Ｕａと第２構造体１０Ｕｂを備えている。第１構造体１０Ｕａと第２構造体１０Ｕｂが共通形態である。第１構造体１０Ｕａの第１出力バスバーＵout１と第２構造体１０Ｕｂの高圧側バスバー１０Ｐが共通形態であり、第１構造体１０Ｕａの低圧側バスバー１０Ｎと第２構造体１０Ｕｂの第２出力バスバーＵout２が共通形態である。 （もっと読む）