【課題】製造工程を簡略化することのできる配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面１１にソース電極１４およびゲート電極１５が形成されかつ第２主面１２にドレイン電極１３が形成されたスイッチング素子１０と、ドレイン電極１３に接続された導電層積層基板８０とを備える半導体装置１に対して、配線シート付き配線体３０は、上側配線構造体として用いられる。配線シート付き配線体３０は、ソース電極１４に接続される配線体４０と、ゲート電極１５に接続されるゲート端子が設けられた配線シート６０とを備える。配線体４０の外面４１Ｂに配線シート６０が貼り付けられている。配線シート６０のうち少なくとも先端部６０Ｃは可撓性を有し、かつ先端部６０Ｃのうちゲート端子を含む端子部６２Ｂは配線体４０から外側に突出する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑えると共に、発生ノイズを低減することができる電力変換装置を、提供することを目的とする。
【解決手段】パワー半導体素子を内蔵し、パワー半導体素子の電極に接続された複数の電極フレーム１６ａ、１６ｂが外部に突出するようにモールド樹脂１８にて封止された樹脂封止型の半導体モジュール８が、金属ブロック１１ａ、１１ｂと絶縁された金属ベース２０ｂに載置された電力変換装置１であって、モジュール８の直流電力を供給する電源２の高電位側に接続され、パワー半導体素子の第一電極に接続された正電極フレーム１６ａ及び、電源２の低電位側に接続され、パワー半導体素子の第二電極に接続された負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとの間に配置され、正電極フレーム１６ａ及び負電極フレーム１６ｂと金属ベース２０ｂとを容量結合するノイズバイパス手段７を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁耐圧と信頼性の向上を図ることができるパワー半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマ表面処理工程（工程５）と、シリコーンゲル注入前の予備加熱工程（工程６）を組み合わせることで、シリコーンゲル９（保護材）と導電パターン付絶縁基板１および半導体チップ２との密着性を向上させ、高温環境下でのパワー半導体装置の絶縁耐圧と信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極におけるボイドの発生を防止することができ、従来に比べて信頼性の高い半導体装置およびその製造方法、ならびに電子部品を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板２９上のゲート絶縁膜３０上に電極層５１を形成する。ゲート絶縁膜３０上に層間絶縁膜３１を形成した後、ダマシン法により電極層５１と同一パターンの下側配線４２と、反対パターンの下側絶縁膜４３を含む下側パッド４０を形成する。次に、貫通孔５９を形成し、同時に、貫通孔５９内に下側絶縁膜４３と同一パターンの突出部６０が形成された第１層間絶縁膜３２を露出させる。そして、突出部６０の一部がエッチング残渣として残るように第１層間絶縁膜３２をエッチングした後、ビア絶縁膜３８を形成し、貫通孔５９の底面のビア絶縁膜３８をエッチングする。次に、貫通孔５９のビア絶縁膜３８の内側に電極材料をめっき成長させることにより、貫通電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ３次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントを提供すること。
【解決手段】 複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド（４０）の組合わせであって、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプ（１０）のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されていて、複数のシリコンチップが横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が（高さ方向において）整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおいて複数のスタッド（４０）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は線膨張係数差によって生じる応力を緩和する応力緩和部１７（例えば長溝状スリット１７ａ，１７ｂ等）を有する構成とした。この構成によれば、放熱部１５と絶縁部材１４との間に温度差が生じても、絶縁部材１４に備える応力緩和部１７が線膨張係数差によって生じる応力を緩和する。こうして応力が緩和されるので、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、半導体モジュールを製作する際の作業負担を従来よりも小さくし得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書の半導体モジュール２は、巻き付けシート１０の所定位置に第１バスバー５０、第２バスバー８０、縦型の半導体素子７０をそれぞれ設置して、巻き付けシート１０を被巻き付け部材に巻き付けることによって製作される。巻き付けシート１０を冷却器４０に巻き付けると、半導体素子７０の一方の表面と第１バスバー５０とが電気的に接続すると共に、半導体素子７０の他方の表面と第２バスバー８０とが電気的に接続する。そのため、半導体モジュール２を製作する場合、半導体素子７０、第１バスバー、第２バスバー８０の各要素を互いに正確に位置合わせして積層させる必要がない。 （もっと読む）

【課題】複数の貫通電極を選択的に利用可能な積層型の半導体装置において、回路動作を安定させる。
【解決手段】半導体記憶装置１０は、インターフェースチップＩＦと複数のコアチップＣＣを含む。コアチップＣＣは、インターフェースチップＩＦに積層される。インターフェースチップＩＦとコアチップＣＣは複数の貫通電極ＴＳＶにより接続される。コアチップＣＣに含まれる入力切り替え回路２４０、２３０は、電源投入時における設定処理の前に、コアチップＣＣに含まれる複数の入力信号線と複数の貫通電極ＴＳＶとの接続をいったん遮断し、コアチップＣＣの設定後に、複数の入力信号線と複数の貫通電極ＴＳＶの接続を示す救済情報にしたがって各入力信号線を複数の貫通電極ＴＳＶのいずれかと接続する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の微細化と表面電極の縮小化とを両立することができる半導体装置、および表面電極の大きさに関わらず、表面電極に対して貫通電極を確実にコンタクトさせることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板２９の表面１３に複数の絶縁膜リング３２を選択的に形成し、絶縁膜リング３２の開口４２に対向するように表面パッド３３を形成する。次に、Ｓｉ基板２９を裏面１４からエッチングすることにより、絶縁膜リング３２の開口４２を通過して表面パッド３３に達する貫通孔５６を形成し、貫通孔５６の側面にビア絶縁膜３５を形成した後、貫通孔５６に電極材料を充填することにより、表面パッド３３に電気的に接続されるように貫通電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱板とモールド樹脂との間の剥離の発生を適切に防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明による半導体装置１は、正面及び背面を有する半導体素子２と、半導体素子２の正面側に位置して半導体素子２の熱を放熱する正面側放熱板３と、半導体素子２の背面側に位置して熱を放熱する背面側放熱板４と、正面側放熱板３と半導体素子２との面方向の間隔を調節する調節部材６と、を含む半導体装置１であって、正面側放熱板３の正面と背面側放熱板４の背面を除いて半導体装置１を覆う封止材５を含み、調節部材６は封止材５よりも熱硬化収縮率が大きい樹脂層６１を含むことを特徴とする。 （もっと読む）