【課題】この発明は、金属配線部材とヒートシンクとの間に介装される絶縁樹脂層の厚みを高精度に管理できるようにし、要求される電気絶縁性と熱伝導性を安定して確保することができる電力変換装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体素子３が表面に搭載された金属配線部材４、金属配線部材４の裏面を露出させて、金属配線部材４および半導体素子３を埋設するモールド樹脂５、およびモールド樹脂５から延出する入出力端子７，９を有するパワーモジュール２と、金属配線部材４の露出面に対向して配設されるヒートシンク１１と、モールド樹脂４の金属配線部材４の露出面の外側部位とヒートシンク１１との間に挟持されて、金属配線部材４の露出面とヒートシンク１１との間に所定の隙間を形成する樹脂厚み規制部材１３と、金属配線部材４の露出面を覆うようにパワーモジュール２とヒートシンク１１との間に充填された絶縁樹脂層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】受熱板とカバーケースの間に絶縁部材が設けられた電力変換装置において、受熱板とカバーケースを締結する締結部材の締結力の低下を防止する。
【解決手段】受熱板（１４）とケース（１９）との間に設けられた絶縁部材（２０）を備えた電力変換装置において、前記受熱板（１４）は、締結部材の軸部（１６ｂ）が挿通される挿通孔（１７）と、前記挿通孔の周囲において前記締結部材の前記軸部以外の一部（１６ａ）と接触して押圧される接触部（１４ｅ）とを備える。前記ケース（１９）は、前記受熱板の前記挿通孔（１７）に対向する凹部（２５）と、前記凹部に連通して前記締結部材の軸部（１６ｂ）が挿入される穴部（２１）とを備える。前記凹部（２５）は、前記受熱板（１４）の面（１４ｃ）に沿った方向において前記接触部（１４ｅ）よりも大きな断面を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の厚さ方向のサイズを縮小化する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、第一の半導体チップ１１と、前記第一の半導体チップの電極形成面に形成された第一の導電体１３と、第二の半導体チップ２１と、前記第二の半導体チップの電極形成面に形成された第二の導電体２２と、前記第二の半導体チップの電極形成面の、前記第二の導電体が形成されていない部分に形成された第三の導電体２３と、前記第三の導電体に接続された外部電極１５と、を備え、前記第一の半導体チップの電極形成面と前記第二の半導体チップの電極形成面とが向かい合うようにして、前記第一の半導体チップが前記第二の半導体チップの電極形成面に設置され、前記第一の導電体と前記第二の導電体とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂部5とベース板1との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置される場合であって、１回のねじ止めによってねじ止め部1aが被取り付け部材200に固定され、次いで、１回のねじ止めによってねじ止め部1bが被取り付け部材200に固定される場合であっても、ベース板1の変形を抑制する。
【解決手段】ねじ止め部1a,1bとそれらの間の搭載部1cとを有するベース板1を設け、搭載部1cにパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとを搭載し、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように樹脂材料の成形によりベース板1の一部とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部とを封止した樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、張り出し部1d2,1e2,1f2,1g2と、ベース板1の中心面CPabと鋭角をなす直線状の溝部1h1,1h2,1h4,1h5とを設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置で生じる熱をより効率的に放熱することができる半導体ユニットを提供する。
【解決手段】半導体ユニット１０は、第１、第２金属プレートと、第１中間金属プレートと、第１、第２半導体装置と、第１、第２セラミック体を有する。第１半導体装置は、第１金属プレートと第１中間金属プレートの間に配置されている。第２半導体装置は、第１中間金属プレートと第２金属プレートの間であって、積層方向に沿って見たときに第１半導体装置と重ならない位置に配置されている。第１セラミック体は、第１金属プレートと第１中間金属プレートの間であって、前記積層方向に沿って見たときに第２半導体装置と重なる位置に配置されている。第２セラミック体は、第１中間金属プレートと第２金属プレートの間であって、前記積層方向に沿って見たときに第１半導体装置と重なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】インバータ等のパワーモジュールを始めとする大容量モジュールにおいて、小型軽量化、低サージ化、及び低損失化を達成しつつ、パワー半導体素子等の高発熱素子から発生する熱をより効率良く外部に伝達することができる、信頼性の高い大容量モジュールの周辺回路用の回路基板、当該回路基板を用いる周辺回路を含む大容量モジュール、及び当該大容量モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワー回路基板１１１上に配設されたパワー半導体素子１１３上に周辺回路基板１２１を積層してモジュール１００の小型軽量化及び低損失化を達成しつつ、周辺回路基板１２１内にコンデンサ１２６を埋設して低サージ化を達成し、更に、周辺回路基板１２１のパワー半導体素子１１３と対向する表面に対応する領域にはコンデンサを配設しない構成により周辺回路基板１２１を経由する熱伝導経路を確保する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークに集中する応力の方向依存性を低減して、クラックを発生しにくくする。
【解決手段】基板の第１の主面に、環状の第１の溝及びドット形状の第２の溝を形成する。第１及び第２の溝を埋め込むように絶縁膜を形成した後、基板の第１の主面にフォトレジスト膜を形成する。絶縁膜で埋め込まれた第２の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第１のパターンを、フォトレジスト膜に転写する。絶縁膜で埋め込まれた環状の第１の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂で封止された半導体装置において、絶縁耐圧の高い電力制御用の半導体装置を提供する。
【解決手段】電力制御用の半導体装置１は、電極部４０Ａを有する低電圧側の第１電極端子４０と、電極部５０Ａを有する高電圧側の第２電極端子５０と、電極部４０Ａ，５０Ａに接続されているスイッチング素子１０と、スイッチング素子１０をモールド樹脂で封止する封止部８０とを備えている。絶縁シート４３，５３は封止部８０から露出するように電極部４０Ａ，５０Ａの第２面４２，５２に設けられている。絶縁シート４３，５３は第２面４２，５２よりも大きい形状とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の複数の電子部品を備え、薄型化、小型化及び製造の低コスト化の要求に対応することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、支持基板１１と、前記支持基板１１の一方の主面に搭載された第１の半導体素子２１と、前記支持基板１１と前記第１の半導体素子２１との間に配置された電子部品３１と、を具備し、前記支持基板１１は、前記第１の半導体素子２１から離間する方向に変形して形成される凹部Ｓを有し、前記電子部品３１は、その厚さの少なくとも一部が前記凹部Ｓに収容されて搭載されてなることを特徴とする。 （もっと読む）