【課題】基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、小型化が容易な電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置を得ること。
【解決手段】第１のパワーモジュール７，１０と、第１のパワーモジュール７，１０よりも高耐熱な第２のパワーモジュール８と、第１のパワーモジュール７，１０と第２のパワーモジュール８とが混載される基板と、第１のパワーモジュール７，１０および第２のパワーモジュール８が発する熱を放熱する放熱手段１５と、第１のパワーモジュール７，１０と放熱手段１５とを密着固定する固定手段２０と、を備え、第２のパワーモジュール８は、第１のパワーモジュール７，１０の放熱面と放熱手段１５とが固定手段２０により密着固定されることにより、第２のパワーモジュールの放熱面と放熱手段１５とが密着する。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に均一に加圧でき絶縁材が均一に貼着された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板３０の一方の面に第１の半導体素子１０が接合され、他方の面に第１の絶縁材５０を介して第１の放熱板７０が接合され、種類の異なる複数の端子９０、９１、９２が側方に延び、モールド成形された第１のユニット１７０と、第２の基板４０の一方の面に第２の半導体素子２０が接合され、他方の面に第２の絶縁材６０を介して第２の放熱板８０が接合され、種類の異なる複数の端子１００、１０１、１０２が側方に延び、モールド成形された第２のユニット１８０とを有し
、前記第１のユニットと前記第２のユニットが対向して固定され、前記種類の異なる複数の端子のうち、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの接続が必要な端子９０、１００は重なって配置され、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの接続が不要な端子は重ならずに配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージモジュールの設置面積を縮小させる技術を提供する。
【解決手段】半導体パッケージモジュール１は、半導体素子を収容する扁平状の第１のパッケージ２１０、及び半導体素子を収容する扁平状の第２のパッケージ２１０を、互いの主表面同士が対向するように配置された状態でケース体１００に収容している。 （もっと読む）

【課題】貫通電極が絶縁膜で被覆されていようがいまいが、貫通電極と配線の接触面積を確保すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、第１の半導体チップ２００と、第１の半導体チップ２００上に積層された第２の半導体チップ３００と、第１の半導体チップ２００と第２の半導体チップ３００とを接続する貫通電極１２０と、を有している。貫通電極１２０は、第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４を有している。第１の貫通電極部１２２は、第２の半導体チップ３００において、第２の絶縁膜４２の上面から第２の配線３２の上部まで設けられている。第２の貫通電極部１２４は、第１の貫通電極部１２２の下面と繋がっており、かつ第２の配線３２と同一層から第２の半導体チップ３００の第１の配線３０上部まで設けられている。第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４の孔径は、平面視で、第１の貫通電極部１２２の孔径の方が大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子とＩＣチップ搭載実装基板との半田接合状態を均一にして、圧電振動子の端子とＩＣチップ搭載実装基板の接続端子との間に正常な半田フィレットを形成させ、近接するＩＣ実装用の電極パッドとの干渉を防止しつつ、当該接合部分の強度を向上した圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子２の端子２７と、圧電振動子２と共に発振回路を構成するＩＣチップ３３を搭載した実装基板３の接続端子３６の間に配置する半田ボール４が溶融した際に、その流動を規制して半田を所定の領域に留置する中間層５を設けた。中間層５は、近接して配置されている配線パターンや電極３５に半田ボールの溶融半田が流れないようにする、所謂ソルダレジストとしての機能も有する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を有効に防止しつつ、良好な冷却機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１，２が配置される主面を有する第１の電極３と、第１の電極３の主面に配置された半導体素子１，２と、半導体素子１，２を介して、第１の電極３と対向するように配置された第２の電極４と、第１の電極３の周囲を覆う第１の樹脂からなる樹脂枠部５と、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成される空間に充填された第２の樹脂６１からなる樹脂封止部６と、を備え、樹脂枠部５には、第２の樹脂６１が充填された空間から外部へと、樹脂枠部５を貫通する１以上の連通路５１が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ウエハトゥウエハ積層法によって製造される半導体チップ積層体の歩留りを改善する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１が複数形成された第１種の半導体ウエハ１０、および第２の半導体チップ３１が複数形成された第２種の半導体ウエハ３０が積層してなる半導体ウエハ積層体の製造方法であって、前記第１の半導体チップ各々の物理的または電気的特性が既知である前記第１種の半導体ウエハを複数用意し、前記第２の半導体チップ各々の物理的または電気的特性が既知である前記第２種の半導体ウエハを複数用意し、前記第１種の半導体ウエハ各々における前記第１の半導体チップ各々の物理的または電気的特性、および前記第２種の半導体ウエハ各々における前記第２の半導体チップ各々の物理的または電気的特性に基づいて、前記複数の第１種および第２種の半導体ウエハの中から、積層させる第１種および第２種の半導体ウエハの選定を行う。 （もっと読む）

【課題】圧接型半導体モジュールにおいて複数の半導体素子を備えた場合でも半導体素子と冷却部材との熱的接触性及び当該冷却部材の放熱性を維持させる。
【解決手段】半導体モジュール１は半導体素子４を介在させた積層部材２とこの部材２の両面に接触配置される一対の冷却部材３ａ，３ｂとを備える。冷却部材３ａ，３ｂの内部には冷却部材３ａ，３ｂと積層部材２との接触面３０ａ，３０ｂと重複しないように冷媒流路３１が形成されている。冷却部材３ａは付勢部材１６により積層部材２に圧接している。冷却部材３ａ，３ｂは接触面３０ａ，３０ｂと重複しない壁部３２ａ，３２ｂの壁厚が接触面３０ａ，３０ｂと重複する壁部３３ａ，３３ｂの壁厚よりも薄く設定されている。付勢部材１６は密閉部材１７の押圧を受けて壁部３３ａの面に圧接する。積層部材２間の空間には冷却部材３ａ，３ｂによって狭持される絶縁熱分離部材１５が具備される。 （もっと読む）

【課題】軽量、高放熱効率、高剛性のパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース１と、ベース１に配設される半導体回路２と、半導体回路２を冷却する冷却フィン３と、を備えるパワー半導体装置であって、ベース１には１つ以上の凸部１ａ，１ｂが形成され、凸部１ａ，１ｂにおける、ベース１表面に平行な方向の幅が、ベース１の厚さよりも長くなっていることにより、軽量、高放熱効率、高剛性のパワー半導体装置１００，２００，３００，４００を提供することができる。 （もっと読む）