【課題】装置の大型化を抑制し、インダクタンスの増大を抑制できるパワー半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるパワー半導体装置は、パワー半導体素子４と、パワー半導体素子４上面に選択的に形成された第１上面電極パターンとしての上面電極パターン１００を介してパワー半導体素子４と接続された、第１金属ブロックとしての金属ブロック７と、パワー半導体素子４と金属ブロック７とを覆って充填されたモールド樹脂９とを備え、金属ブロック７は、その上面がモールド樹脂９表面から露出する。 （もっと読む）

【課題】一つの平衡端子を複数個の平衡端子のいずれかに切り替えて接続するスイッチ回路を備える高周波モジュールを、簡素且つ小型の形状で実現する。
【解決手段】高周波モジュール１００は、スイッチＩＣ素子ＳＷ−，ＳＷ＋と、基板１０１とを備える。スイッチＩＣ素子ＳＷ−，ＳＷ＋は、同じＩＣチップであり、同じ向きで実装されている。スイッチＩＣ素子ＳＷ−は基板１０１に実装されている。スイッチＩＣ素子ＳＷ＋は、スイッチＩＣ素子ＳＷ−上に実装されている。スイッチＩＣ素子ＳＷ−，ＳＷ＋の各パッド電極は、それぞれのパッド電極に接続すべき、基板１０１のランド電極にワイヤーボンディングによって接続されている。互いに接続されるパッド電極とランド電極との間には、他のランド電極が配設されていない。 （もっと読む）

【課題】圧接により複数の半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールの放熱性を向上する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子２ａ〜２ｄ（半導体素子）と、このＩＧＢＴ素子２ａ〜２ｄの電極層と電気的に接続されるコレクタ電極端子３及びエミッタ電極端子７とを備えた半導体モジュール１において、エミッタ電極端子７にばね電極６を設け、エミッタ電極端子７をＩＧＢＴ素子２ａ〜２ｄ方向に押圧する。ばね電極６は、導電板部材８ａ，８ｂとばね９ａ〜９ｄとから構成される。導電板部材８ａ，８ｂは、導体平板を折り返して断面Ｕ字状に形成される。各導電板部材８ａ，８ｂを、導電板部材８ａ，８ｂの開口部が向かい合う向きに咬み合わすことで、楕円状の空間を形成し、この楕円状の空間であって、ＩＧＢＴ素子２ａ〜２ｄの電極面の法線方向延長上にそれぞればね９ａ〜９ｄを設ける。 （もっと読む）

【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置２のパッケージＰＡ内には、パワーＭＯＳ・ＦＥＴが形成された半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬと、その動作を制御する制御回路が形成された半導体チップ４Ｄとが内包されている。ハイサイド側の半導体チップ４ＰＨのソース電極用のボンディングパッド１２Ｓ１，１２Ｓ２は、金属板８Ａを通じてダイパッド７Ｄ２に電気的に接続されている。ロウサイド側の半導体チップ４ＰＬのソース電極用のボンディングパッド１５Ｓ１は、金属板８Ｂを通じてリード配線７ＬＢに電気的に接続されている。金属板８Ｂは、半導体チップ４ＰＬのボンディングパッド１５Ｓ１に接する第１部分８Ｂ１と、その第１部分８Ｂ１の短辺からリード配線７ＬＢまで延びる第２部分８Ｂ２と、第１部分８Ｂ２の長辺からリード配線７ＬＢまで延びる第３部分８Ｂ３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる基板張り合わせ方法を提供する。
【解決手段】 基板張り合わせ方法は、第１条件下で、第１基板（Ｗ１）と第２基板（Ｗ２）とのそれぞれ被加工領域毎（ＥＳ）に設定された計測点のうち、予め選択された所定数のサンプル計測点（ＳＡ）の位置を計測する計測工程（Ｐ１１、Ｐ１２）と、サンプル計測点の計測位置を演算パラメータとして統計演算を行い、第１基準マーク及び第２基準マークを基準としたそれぞれの被加工領域の配列のオフセットなどを算出する算出工程（Ｐ１３）と、第１条件とは異なる第２条件下で、第１基板及び第２基板に対して表面を活性化させる表面活性工程（Ｐ１５）と、第２条件下で、第１基準マーク及び第２基準マークを観察しながら、算出工程の算出結果に基づいて第１基板と第２基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｐ１８、Ｐ１９）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造時におけるはんだ付け工程を簡略化でき、外部端子の接合精度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁基板４上に形成された回路パターンを構成する金属層５に穴５ａを形成し、この穴５ａに外部端子２０を圧入することによって、外部端子２０が金属層５に接続されており、外部端子２０と穴５ａとの接触部５ｂにおける、外部端子２０と直交する方向の断面において、外部端子２０が、穴５ａの内周に対し４０％以上接触している。 （もっと読む）

【課題】長尺接続子により直線上に配列された複数の半導体チップを半田付けにより共通接続する場合において、長尺接続子の撓みを防止して当該長尺接続子と各半導体チップとの間隔を適正な間隔に保持する。
【解決手段】長尺接続子１１０の接続板部１１３を当該長尺接続子１１０の先端部の側に位置する半導体チップ１３３よりもさらに先方にまで延長することによって形成された延長部１５０の下面側に突起部１１４を有する長尺接続子１１０と、リードフレーム１２０を載置するリードフレーム載置面２００ａに長尺接続子１１０の突起部１１４を当接させるための突起当接部２１０を有する台座２００とを用いて、長尺接続子１１０の突起部１１４を台座２００の突起当接部２１０に当接させるようにリードフレーム１２０を台座２００に載置した状態で半導体チップ１３１〜１３３の各上面と長尺接続子１１０の接続板部１１３の下面とを半田付けする。 （もっと読む）

【課題】冷却プレートと半導体パッケージを交互に積層したパワーモジュールにおいて、冷却性能を低下させることなく、異物を除去し排出する技術を提供する。
【解決手段】パワーモジュールの冷却プレート２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇは、筐体を構成する２枚の外板２１、２５を有しており、その両端に貫通孔が形成されているとともに、２枚の外板の間に冷媒流路３１、３２が形成されている。最外側に位置する冷却プレート２ａには、冷媒を供給する供給管８と冷媒を排出する排出管７が接続されている。少なくとも一つの冷却プレート２ａは、２枚の外板に挟まれる中板２３を備えている。中板２３は、冷媒上流側の貫通孔と重なる部分に異物除去フィルタ２９を備えている。異物はフィルタ２９に阻止され、フィルタ２９よりも上流側を通り排出管７から出て行くので、半導体パッケージに面している流路には流れない。 （もっと読む）

【課題】基板等に鑞材を介して接合される接続端子の傾きを改善することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明は、接続端子を備える半導体装置１であって、接続端子１４０は、基板、又は、基板上に配置される１つの半導体素子である接合対象物に、それぞれ鑞材を介して接合される２つの脚部１４２と、２つの脚部１４２に接続され、基板又は１つの半導体素子から離間しつつ２つの脚部間を延在する連結部１４１と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）