【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体装置を効率的に冷却すること。
【解決手段】積層された複数の半導体チップ５と、複数の半導体チップ５のいずれかの間に設けられ、冷媒が流れる複数の流路Cを備えたインターポーザ４とを有し、インターポーザ４は、一方の主面同士が互いに接合された第１の基板２１と第２の基板３１とを備え、第１の基板２１と第２の基板３１の少なくとも一方の表面により流路Cが画定された半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】電力用半導体素子２１、２２を接合するダイパッド１１ｄと、ダイパッド１１ｄに対して段差を付けられた制御素子２３を接合するダイパッド１２ｄが、並列する複数の端子１１、１２を形成するリードパターンとともに、端子の延在方向におけるそれぞれ一端側の領域と他端側の領域で連なり、かつ、一端側の領域から他端側の領域にかけて延在する延在パターン１３、１５が形成された１枚のリードフレーム１０を用い、リードフレーム１０の面を保ったまま、延在パターン１３、１５の所定部分Ｒｂに屈曲部１３ｂ、１５ｂを形成することにより、制御素子２３が、電力用半導体素子２１、２２にオーバーラップするようにした。 （もっと読む）

【課題】より高品質、高生産性及び高歩留まりで電気部品の積層構造体を製造することができる電気部品の積層構造体の製造方法及び電気部品の平面配置集合体を提供する。
【解決手段】水平に配置されたチップ１０同士の隙間を再配置材料２２で固定して再配置チップ集合体２０を形成し、再配置チップ集合体２０同士をそれぞれのチップ１０同士が対応するように重ね合わせて結合させる。このため、再配置チップ集合体２０の積層構造体を一括して製造できる。再配置チップ集合体２０それぞれの再配置材料を溶解可能な液体で溶解させることにより再配置チップ集合体２０内のチップ１０それぞれを分離して積層チップ４０を形成する。ダイシングによるチップ１０及びチップ１０同士の結合部への機械的ダメージや歩留まりの低下が無くなる。より高品質、高生産性及び高歩留まりで電気部品の積層構造体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】自己インダクタンスの低減性能を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、相隔てて配置される正電極材１１および負電極材１３と、正電極材１１と負電極材１３の間において、正電極材１１と負電極材１３を結ぶ直線ＳＬと平行となる平行部（凹部１５ａ）、または正電極材と負電極材とを結ぶ曲線の接線と平行となる平行部を有する導電層（第１の導電材１５）とを備える。これにより、主電流による磁束が集中する箇所に導電層の一部が配置されることになる。よって、導電層に磁束が集中し易くなり、誘導電流を効率的に発生可能となり、電極材１１、１３に生じる自己インダクタンスの低減性能を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品と制御回路基板を繋ぐワイヤを保持しやすく、フレームを容易に反転できる電力変換装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール２と冷媒流路３とを有する装置本体部１０をフレーム４内に固定し、フレーム４に電子部品５（平滑コンデンサ）を取り付ける。そして、フレーム４の側壁部４０に形成した被係合部４１に治具１１を係合し、該治具１１を使ってフレーム４を反転する。その後、半導体モジュール２の制御端子２２に制御回路基板６を接続し、電子部品５と制御回路基板６とをワイヤ１２によって接続する。そして、被係合部４１にワイヤ保持具７を係合し、ワイヤ保持具７を使ってワイヤ１２を保持する。 （もっと読む）

【課題】ケースを固定する接着剤の塗布量を抑え、なおかつパワーデバイスへのはみ出しを防止できるパワーモジュールを提供すること。
【解決手段】パワーデバイス３を載置した複数のベース板５を並べて配置し、これらのベース板５をケース７で囲んだパワーモジュール１において、前記ケース７は、複数の前記ベース板５の全てを囲む外囲壁２０と、隣り合う前記ベース板５同士の間に沿って配置される仕切壁２１と、を備え、前記外囲壁２０、及び前記仕切壁２１の底面２０Ａ、２１Ａが前記ベース板５の上面に接着剤４０で接着されるとともに、前記仕切壁２１の底面２１Ａには、前記ベース板５同士の間に沿って延在し、隣り合う前記ベース板５同士の間に塗布された接着剤４０を封じる溝５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にメモリチップとコントローラチップとを積層したパッケージ構造を備えた半導体装置において、メモリチップとコントローラチップを接続する配線の自由度を向上させる。
【解決手段】メモリカード１Ａは、配線基板２とその主面上に積層された４枚のメモリチップＭ１〜Ｍ４と最上層のメモリチップＭ４の表面上に実装されたコントローラチップ３およびインターポーザ４とを備えている。メモリチップＭ１〜Ｍ４のそれぞれは、その長辺を配線基板２の長辺と同じ方向に向けた状態で配線基板２の表面上に積層されている。最下層のメモリチップＭ１は、配線基板２のパッド９と重ならないよう、メモリカード１Ａの先端部方向に所定距離ずらした状態で配線基板２上に実装されている。メモリチップＭ１上に積層された３枚のメモリチップＭ２〜Ｍ４は、パッド６が形成されている側の短辺がメモリカード１Ａの先端部に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに、効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】はんだの高さを確保し、接合の信頼性を向上させることができる接合体、該接合体を用いることで小面積化が可能な半導体装置、該接合体でプリント配線板に接合される半導体装置を有するプリント回路板を提供する。
【解決手段】プリント回路板１００は、半導体素子１が実装され、片面に電極パッド８が形成されたインターポーザ２と、インターポーザ２に対向する片面に電極パッド９が形成されたプリント配線板３と、電極パッド８，９を接合する接合体７０と、を備えている。接合体７０は、はんだ層６０と、電極パッド８，９に接合された金属層５０，５０と、を有している。各金属層５０，５０は、金属粒子同士が結合して形成された金属粒子集合体１０と、金属粒子集合体１０の隙間に埋められたはんだ１１とからなる。 （もっと読む）