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国際特許分類[H01L25/07]の内容

国際特許分類[H01L25/07]に分類される特許

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【課題】半導体素子を有する回路基板とベースとの間において高い位置決め精度を有する半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、ベース20と、少なくとも1つの回路基板30とを備える。少なくとも1つの回路基板が、支持基板31と支持基板によって支持される半導体素子とを有する。ベース及び/又は支持基板が、少なくとも1つの回路基板をベースに嵌め合わせるための構造22、35を有する。 (もっと読む)


【課題】組立工数の短縮化および熱履歴の軽減を図る。
【解決手段】半導体素子、半導体素子が実装される絶縁基板および絶縁基板が搭載される金属ベース板を有する回路部と、回路部を収容する外囲ケースとを用意する工程と、回路部と外囲ケースとの少なくとも一方の接着面に接着剤を塗布する工程と、外囲ケースに形成されている端子部と、回路部の半田部位との少なくとも一方に半田を塗布する工程と、トレー部と固定枠部の間で回路部および外囲ケースを組み合わせ、トレー部と固定枠部とを互いに接続することにより、回路部および外囲ケースを、トレー部と固定枠部との間で均一に押圧されて固定された状態にし、加熱処理を施す工程と備える。加熱処理により、回路部と外囲ケースとの接着および端子部と回路部との半田付けを一括して行って半導体装置を組み立てる。 (もっと読む)


【課題】複数の電力変換装置を一体化した一体型電力変換装置及びそれに用いられるDCDCコンバータ装置の小型化を図ることである。
【解決手段】本発明に係る一体型電力変換装置は、第1電力変換装置と第2電力変換装置を接続した一体型電力変換装置であって、前記第1電力変換装置は、電力を変換する第1パワー半導体モジュールと、冷却冷媒が流れる流路を形成する流路形成部と、前記第1パワー半導体モジュールと前記流路形成体を収納する第1ケースと、前記流路と繋がる入口配管と、前記流路と繋がる出口配管と、を備え、前記第2電力変換装置は、電力を変換する第2パワー半導体モジュールと、前記第2パワー半導体モジュールを収納する第2ケースと、前記流路形成体は、前記流路と繋がる開口部を有し、前記第2ケースは、当該第2ケースの一部が前記開口部を塞ぐように、前記流路形成体または前記第1ケースに固定される。 (もっと読む)


【課題】製造コストの安い記憶装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に搭載され、ボンディングワイヤによって基板と接続された第1のチップと、第1のチップ上に積層される様に基板上に搭載され、第1のチップよりも大きい第2のチップとを有する半導体装置の製造方法である。第2のチップの第1のチップとの接着面のボンディングワイヤが形成された部分と対応する部分に絶縁層を塗布し、第2のチップの接着面に接着層を形成し、基板と第2のチップとを貼り合わせる。 (もっと読む)


【課題】単位時間あたりに製造できる積層チップパッケージの個数を増やして積層チップパッケージの製造コストを低減する。
【解決手段】積層半導体基板100は、複数の半導体基板1が積層されている。各半導体基板1はスクライブラインに沿った複数のスクライブ溝部20,21が形成されている。また、各半導体基板1は半導体装置が形成され、それぞれ絶縁されている複数のデバイス領域10と、複数のデバイス領域10のそれぞれに形成されている半導体装置に接続され、かつデバイス領域10からスクライブ溝部20,21の内側に延出している複数の配線電極15とを有している。複数の配線電極15は部分配置パターンで配置され、スクライブ溝部20,21を挟んで隣り合う2つのデバイス領域10のうちのいずれか一方だけから延出している。 (もっと読む)


【課題】貫通ビアを用いた実装における端子間のショートや実装精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体チップ88の貫通ビア86の上に、他の半導体チップ101を実装する。半導体チップ101のバンプ103は、4つの貫通ビア86で囲まれた領域に導かれて接合される。各貫通ビア86は、バンプ103に面する側面及び上面の保護膜31がエッチングによって除去されており、バンプ103のハンダ材料への濡れ性が保護膜31で覆われた領域よりも良好になっている。このために、ハンダ材料のはみ出しによる他の電極との間のショートが防止される。さらに、1つのバンプ103に複数の貫通ビア86からなる接続端子を配置するので、バンプ103に確実に接合できる。 (もっと読む)


【課題】冷却プレートと半導体パッケージを交互に積層したパワーモジュールにおいて、冷却性能を低下させることなく、異物を除去し排出する技術を提供する。
【解決手段】パワーモジュールの冷却プレート2a、2b、2c、2d、2e、2f、2gは、筐体を構成する2枚の外板21、25を有しており、その両端に貫通孔が形成されているとともに、2枚の外板の間に冷媒流路31、32が形成されている。最外側に位置する冷却プレート2aには、冷媒を供給する供給管8と冷媒を排出する排出管7が接続されている。少なくとも一つの冷却プレート2aは、2枚の外板に挟まれる中板23を備えている。中板23は、冷媒上流側の貫通孔と重なる部分に異物除去フィルタ29を備えている。異物はフィルタ29に阻止され、フィルタ29よりも上流側を通り排出管7から出て行くので、半導体パッケージに面している流路には流れない。 (もっと読む)


【課題】基板等に鑞材を介して接合される接続端子の傾きを改善することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明は、接続端子を備える半導体装置1であって、接続端子140は、基板、又は、基板上に配置される1つの半導体素子である接合対象物に、それぞれ鑞材を介して接合される2つの脚部142と、2つの脚部142に接続され、基板又は1つの半導体素子から離間しつつ2つの脚部間を延在する連結部141と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば12アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】1枚の絶縁基板108上に2組の上アーム(100,104と102,106)を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、2組の下アーム(101,105と103,107)を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、2組の上アームを第1の配線パターンC01上に実装し、2組の下アームは第1の配線パターンの下に配置した第2、第3の配線パターンC02,C02上にそれぞれ実装して、第2、第3の配線パターンの間に第1の配線パターンC01を延長し、その延長した端部に正極端子T01からの配線を接続し、さらに、絶縁基板108を1モジュール中に3枚並置して実装して12in1モジュールの構成とすること。 (もっと読む)


【課題】より小型化可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2と複数の冷媒流路11とを積層した積層体10を備える。半導体モジュール2のパワー端子21の突出側には電子機器3が配置されている。半導体モジュール2の本体部20と電子機器3との間に、パワー端子21に接続した複数のバスバー4が介在している。また、半導体モジュール2を電子機器3に電気的に接続する接続部5が形成されている。バスバー4には、正極バスバー4aと負極バスバー4bとがある。正極バスバー4aと負極バスバー4bとは、パワー端子21の突出方向(Z方向)に所定間隔をおいて対向配置されている。接続部5は、電子機器3と積層体10との間において、正極バスバー4a及び負極バスバー4bに対して、冷媒流路11の長手方向(Y方向)に隣接する位置に配置されている。 (もっと読む)


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