【課題】 本発明は、ＥＳＤデバイスモデルの指定の能力を必要とせず、且つ、ＥＳＤ回路シミュレーション結果の精度を確保しつつ、収束性を向上させた半導体集積回路のＥＳＤ耐性の回路シミュレーション装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 標準デバイスモデル６に過電圧・過電流特性を追加記述したＥＳＤデバイスモデル７と、標準デバイスモデル６をＥＳＤデバイスモデル７に置き換えるための条件を記したＥＳＤ動作適合判定条件１２とが設定され、回路動作の過渡解析中に半導体デバイスの各端子電圧を抽出し、この抽出された半導体デバイスの各端子電圧とＥＳＤ動作適合判定条件１２とを比較して、ＥＳＤ動作適合判定条件１２に適合したＥＳＤデバイスモデル７を選択し、すなわちＥＳＤ信号に最適なＥＳＤデバイスモデル７を割り当て、このＥＳＤデバイスモデル７を使用して回路シミュレーションを実行する。 （もっと読む）

【課題】ＪＩもしくはＳＩを用いた半導体集積回路の設計方法であって、寄生バイポーラトランジスタの影響やサージに対するガードリングを入れた効果等をシミュレーションにより予め解析することができ、製品コストを低減することのできる半導体集積回路の設計方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表層部において集積回路を構成する複数の半導体素子を、ＣＡＤ上でレイアウトする第１ステップＳ１と、ＣＡＤ上のレイアウト図から、半導体素子以外の寄生バイポーラトランジスタを抽出する第２ステップＳ２と、寄生バイポーラトランジスタの回路パラメータを、デバイスシミュレータ（ＴＣＡＤ）により抽出する第３ステップＳ３と、寄生バイポーラトランジスタを集積回路に組み入れて、回路シミュレータ(ＳＰＩＣＥ)により回路動作解析を行う第４ステップＳ４とを有する半導体集積回路の設計方法とする。 （もっと読む）

【課題】 短い時間で計算できるため実践性が高く、かつ、キャリア速度のオーバーシュートを高い精度で計算できるデバイスの計算方法を提供する。
【解決手段】1次元ポアソン方程式に併せて、5つの多重加速流定義をまとめた図８中のすべての式（流速の式と境界条件の式も含む）を用いることによって、半導体デバイス内部の電気的特性並びに電気的特性分布を推定する。 （もっと読む）

較正法において、デルタドーピング層が設けられる材料で形成された複数のバルク試料に基づき、多層半導体構造中のデルタドーピング層のドーパント濃度とプロセスパラメータとの間の関係が判定される（Ｓ１）。所望のドーパント濃度が選択され（Ｓ２）、プロセスパラメータと所定のドーピング濃度との間の関係に基づき、所定のドーピングレベルを有する半導体構造が生成できる（Ｓ３）。
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【課題】 微細素子等のデバイスシミュレーションのために、３次元不純物分布を精度良く且つ容易に計算できる方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴの３次元構造におけるチャネル幅方向断面（Ａ−Ａ’線の断面）及びチャネル長方向断面（Ｂ−Ｂ’線の断面）のそれぞれの２次元不純物分布を２次元プロセスシミュレーションにより算出する。素子領域と素子分離領域２との界面９ａ及び９ｂの延びる方向にチャネル幅方向断面の２次元不純物分布を順次移動させると共にゲート酸化膜３の縁１０ｃ及び１０ｄの延びる方向にチャネル長方向断面の２次元不純物分布を順次移動させながら、両方の２次元不純物分布を足し合わせることによって、３次元不純物分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】 高電界領域におけるキャリアオーバシュートの効果を取り込める高精度キャリア移動度モデルを提供する。
【解決手段】 前記キャリア移動度モデルは、半導体装置のチャネル領域中におけるキャリアのドリフト速度と電界の関係を、低電界領域では第１の比例係数で電界に比例し、高電界領域では前記第１の比例係数とは異なる第２の比例係数で電界に比例するように表現する。 （もっと読む）

【課題】微細化に際してもより高精度に電圧変動を考慮し、高精度でかつ動作特性の良好な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置の回路情報に基づいて、電源ノイズを解析する方法であって、基板のインピーダンスの影響を考慮して電源ノイズを解析することにより、従来考慮していなかった基板によるインピーダンスを考慮するようにしているため、より解析精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】トランスコンダクタンスｇｍ及びソースドレインコンダクタンスｇｄｓの減衰を再現し、片側ＬＤＤ構造を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタのシミュレーション精度を向上する。
【解決手段】このＭＯＳトランジスタモデルは、ドレイン側に、不変抵抗値を有する抵抗１０がＭＯＳトランジスタモデルＭＴに接続されたＢＩＳＭ３モデルに、さらにゲート電位ＶＧ及びドレイン電位ＶＤに依存して抵抗値が変化する可変抵抗２０を抵抗１０に直列に接続したものである。即ち、可変抵抗２０の抵抗値Ｒ２０は、ゲート電位ＶＧ及びドレイン電位ＶＤの関数であり、例えばそれらのパラメータの多項式（例えば、２次式や３次式）で表現される。そして、それらの多項式の各項の係数を実際のＭＯＳトランジスタの電気的特性から抽出する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の評価方法及び半導体装置の解析装置に関し、移動度のチャネル長依存性を取り込みながらモデルパラメータを精度良く効率的に抽出する。
【解決手段】 実効的な反転層移動度をμ_eff 、実効チャネル幅をＷ_eff 、実効チャネル長をＬ_eff 、単位面積当たりのゲート絶縁膜容量をＣ_OX、実効的なゲート電圧をＶ_geff、Ｖ_geff＝０の時の実効的な反転層移動度をμ₀ とした場合にＵ₀ ＝μ₀ Ｗ_eff Ｃ_OX／Ｌ_eff で表されるＵ₀ 、実効一次移動度減衰係数Θ_1eff、二次移動度減衰係数Θ₂ 、及び、しきい値電圧Ｖ_thからなる（Θ_1eff，Θ₂ ，Ｕ₀ ，Ｖ_th）の組の最適解を求めることによって、直列寄生抵抗Ｒ_sdと実効的な反転層移動度μ_eff を求める。 （もっと読む）

【課題】 プロセス・シミュレーションの不純物濃度分布及び形状計算結果を、デバイス・シミュレーション構造定義に反映させ、少ないプロセス・シミュレーション回数で効率良くプロファイル設定を行うデバイス・シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】 補間濃度分布算出部１５は、複数のプロセス・シミュレーションの結果から、不純物濃度分布の差分を求め、その差分情報を処理し補間データを作成する。そして、その補間データをデバイス・シミュレーション用に設定されたメッシュ情報上に展開する。デバイス特性シミュレーション部１６は、デバイス・シミュレーションを実行する。出力分１２は、実行結果について表示等の出力を行う。 （もっと読む）